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11. 发明授权

KR100910509B1 반도체 소자의 제조를 위한 ＣＭＰ 장치 失效
标题翻译：用于制造半导体器件的化学机械抛光装置
公开(公告)号：KR100910509B1
公开(公告)日：2009-07-31
申请号：KR1020070133756
申请日：2007-12-18
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정성훈
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명은 반도체 소자의 제조를 위한 CMP 장치에 관한 것으로서, 반도체 소자의 제조를 위한 CMP 장치에 있어서, 폴리싱 패드가 상면에 부착되며, 구동수단에 의해 회전 가능하도록 설치되는 폴리싱 플래튼과, 폴리싱 패드 상에 설치되고, 웨이퍼를 폴리싱 패드에 밀착시켜서 회전시키는 폴리싱 헤드와, 폴리싱 패드 상에 설치되고, 폴리싱 패드에 슬러리 및 초순수를 공급함과 아울러 폴리싱 패드 상의 슬러리나 파티클을 진공으로 흡입하는 공급 및 흡입 모듈을 포함한다. 따라서, 본 발명은 폴리싱 패드에 사용을 마친 슬러리와 폴리싱 및 컨디셔닝으로 인해 발생된 파티클 등을 진공으로 흡입함으로써 슬러리의 뭉침에 의한 폴리싱의 효율 저하를 방지하고, 웨이퍼에서 폴리싱되는 정도를 균일하도록 함과 아울러 파티클로 인한 스크래치를 방지함으로써 반도체 소자의 결함을 줄이며, 슬러리 공급, 초순수 공급, 슬러리나 파티클 흡입 및 컨디셔닝을 위한 유닛들을 단일로 모듈화시킴으로써 이들 유닛들이 차지하는 공간을 최소화하여 장치의 크기를 줄이고, 이로 인해 클린 룸 내의 설치 공간을 감소시켜서 시설에 소요되는 비용을 줄이는 효과를 가지고 있다.
폴리싱 패드, 슬러리, 초순수, 진공 흡입, 컨디셔너, 탄성부재

12. 发明公开

KR1020090068410A 이미지 센서 및 그 제조방법 无效
标题翻译：图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090068410A
公开(公告)日：2009-06-29
申请号：KR1020070135998
申请日：2007-12-24
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정성훈
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14625 , H01L27/14636 , H01L27/14685
摘要： An image sensor and a manufacturing method thereof are provided to detect sequentially electrical signals of unit pixels in a switching manner and to form images by forming a photodiode and a MOS transistor within the unit pixels. An image sensor includes a semiconductor substrate(10), an interlayer dielectric, a transmitting layer(90), a diffraction layer(100), and a micro lens(120). The semiconductor substrate includes unit pixels. The interlayer dielectric includes metal lines(80) which are arranged on the semiconductor substrate. The transmitting layer is arranged on the interlayer dielectric. The diffraction layer is arranged on the transmitting layer in order to generate a spectrum with respect to light. The micro lens is arranged on the diffraction layer.
摘要翻译：提供图像传感器及其制造方法，以切换方式依次检测单位像素的电信号，并通过在单位像素内形成光电二极管和MOS晶体管来形成图像。图像传感器包括半导体衬底（10），层间电介质，透射层（90），衍射层（100）和微透镜（120）。半导体衬底包括单位像素。层间电介质包括布置在半导体衬底上的金属线（80）。透射层布置在层间电介质上。衍射层布置在透射层上以产生相对于光的光谱。微透镜布置在衍射层上。

13. 发明公开

KR1020090064972A 화학기계적 연마 장치 失效
标题翻译：化学机械抛光
公开(公告)号：KR1020090064972A
公开(公告)日：2009-06-22
申请号：KR1020070132366
申请日：2007-12-17
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정성훈
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/04 , B24B37/20 , B24B53/017
摘要： A chemical mechanical polishing apparatus is provided to improve conditioning efficiency by increasing an occupied area of a polishing pad and to maintain an optimum conditioning state of the polishing pad by adjusting horizontal and vertical pressure. A polishing pad(120) is installed at a top surface of a base body. A wafer carrier is installed at one side of a top part of the base body. A polishing pad conditioner is installed at the other side of the top part of base body. A conditioner pad is formed with of a roll type(242). The polishing pad comes in contact with the polishing pad conditioner. The polishing pad conditioner includes a conditioner body, a roll type conditioner pad, and a housing. The roll type conditioner pad is rotatably at one side of the conditioner body and comes in contact with the polishing pad. The housing is formed to surround the outer circumference of the roll type conditioner pad.
摘要翻译：提供化学机械抛光装置，通过增加抛光垫的占用面积来提高调节效率，并且通过调节水平和垂直压力来保持抛光垫的最佳调节状态。抛光垫（120）安装在基体的顶面。晶片载体安装在基体的顶部的一侧。抛光垫调节器安装在基体顶部的另一侧。调节垫由辊型（242）形成。抛光垫与抛光垫调节器接触。抛光垫调节器包括调节器主体，辊型调节器垫和壳体。辊型调节垫在调节器主体的一侧是可旋转的，并与抛光垫接触。壳体形成为围绕辊式调节器垫的外周。

14. 发明授权

KR101352434B1 반도체 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：一种半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101352434B1
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020120099218
申请日：2012-09-07
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정충경 , 윤기준 , 정오진 , 류상욱 , 정성훈 , 주성욱
IPC分类号： H01L29/00
CPC分类号： B81C1/00015 , B81B3/0018 , B81B2201/018 , B81C1/00801 , B81C2201/014
摘要： The present invention includes the step of forming a lower electrode pattern on a substrate; the step of forming a first interlayer insulation layer on the lower electrode pattern; the step of forming an upper electrode pattern on the first interlayer insulation layer; the step of forming a second interlayer insulation layer on the upper electrode pattern; the step of forming a wet etching blocking layer positioned at the side surface by penetrating the first interlayer insulation layer; the step of forming a cavity exposing the side surface of the wet etching blocking layer by wet etching the second interlayer insulation layer; and the step of forming a contact ball in the cavity.
摘要翻译：本发明包括在基板上形成下电极图案的步骤; 在所述下电极图案上形成第一层间绝缘层的步骤; 在所述第一层间绝缘层上形成上电极图案的步骤; 在上电极图案上形成第二层间绝缘层的步骤; 通过穿透第一层间绝缘层形成位于侧表面的湿蚀刻阻挡层的步骤; 通过湿式蚀刻第二层间绝缘层形成暴露湿蚀刻阻挡层的侧表面的空腔的步骤; 以及在空腔中形成接触球的步骤。

15. 发明授权

KR101053729B1 이미지 센서 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR101053729B1
公开(公告)日：2011-08-02
申请号：KR1020080111421
申请日：2008-11-11
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정성훈
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/14 , H01L21/28
摘要： 실시예에 따른 이미지 센서는 제 1 금속 배선을 구비하는 기판; 상기 기판 상에 위치하고, 제 1 불순물 영역과 제 2 불순물 영역을 포함하는 본딩 실리콘; 상기 본딩 실리콘 상에 형성되는 제 1 층간 절연막; 상기 본딩 실리콘을 관통하여 상기 제 1 금속 배선과 연결되는 제 1 컨택 플러그; 상기 제 1 층간 절연막 상에 형성되는 제 2 층간 절연막; 상기 제 2 층간 절연막을 관통하여 상기 제 1 불순물 영역과 연결되는 제 2 컨택 플러그; 및 상기 제 2 층간 절연막 상에 형성되어, 상기 제 2 컨택 플러그와 연결되는 제 2 금속 배선;을 포함하고, 상기 제 1 컨택 플러그의 일측에는 상기 제 1 불순물 영역과의 아이솔레이션을 위한 절연막이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
실시예의 이미지 센서에 의해서, 단위 픽셀을 구성하는 포토 다이오드영역에 있어서, 제 1 불순물 영역간에는 보다 효과적인 아이솔레이션이 이루어질 수 있으며, 제 2 불순물 영역에 대해서는 컨택 플러그와의 컨택이 정교하게 이루어질 수 있다.
이미지 센서
摘要翻译：根据实施例的图像传感器包括：具有第一金属布线的基板; 设置在衬底上的键合硅，键合硅包括第一杂质区和第二杂质区; 形成在键合硅上的第一层间绝缘膜; 第一接触插塞，通过键合硅连接到第一金属布线; 形成在第一层间绝缘膜上的第二层间绝缘膜; 贯穿第二层间绝缘膜并连接到第一杂质区的第二接触插塞; 以及第二金属互连，其形成在第二层间绝缘膜上并连接到第二接触插塞，其中用于与第一杂质区隔离的绝缘膜形成在第一接触插塞的一侧上为特点。

16. 发明公开

KR1020110077178A 이미지 센서 및 그 제조방법 无效
标题翻译：图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110077178A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090133665
申请日：2009-12-30
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정성훈
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14685 , H01L27/1462 , H01L27/14636 , H01L27/14683 , H01L27/14698
摘要： PURPOSE: An image sensor and a manufacturing method thereof are provided to secure the reliability of a product in a thermal process for densifying a layer structure after a metal wiring layer and a protection layer are formed. CONSTITUTION: The uppermost metal layer(100) is formed on an insulation layer. A protection layer(200) are formed along the topology of the uppermost metal layer and the insulation layer. The front side of the protection layer is sintered by a thermal process.
摘要翻译：目的：提供一种图像传感器及其制造方法，以确保在形成金属布线层和保护层之后的产品在用于致密化层结构的热处理中的可靠性。构成：最上层的金属层（100）形成在绝缘层上。沿着最上层金属层和绝缘层的拓扑形成保护层（200）。保护层的前侧通过热处理进行烧结。

17. 发明公开

KR1020110072308A 이미지 센서 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：图像传感器和形成方法相同
公开(公告)号：KR1020110072308A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020090129183
申请日：2009-12-22
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정성훈
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14683 , H01L27/1462 , H01L27/14636 , H01L27/14685 , H01L27/14698
摘要： PURPOSE: An image sensor and a manufacturing method thereof are provided to maximally suppress a noise and a dark current by applying a porous insulation layer to an interlayer insulation layer. CONSTITUTION: A first interlayer insulating layer(209) is formed on the upper side of a semiconductor substrate. A porous insulation layer(210) is formed on the upper side of the first interlayer insulation layer. A first contact plug is formed on the first interlayer insulation layer and the porous insulation layer. A metal wiring is formed on the semiconductor substrate with a first contact plug. A second interlayer insulation layer(214) is formed on the upper side of the semiconductor substrate with the metal wiring. A second contact plug is formed on the second interlayer insulation layer. A color filter layer and a micro lens are successively formed on the upper side of the semiconductor substrate with the second contact plug.
摘要翻译：目的：提供一种图像传感器及其制造方法，通过将多孔绝缘层施加到层间绝缘层来最大限度地抑制噪声和暗电流。构成：在半导体衬底的上侧形成第一层间绝缘层（209）。多孔绝缘层（210）形成在第一层间绝缘层的上侧。在第一层间绝缘层和多孔绝缘层上形成第一接触插塞。在第一接触插塞的半导体衬底上形成金属布线。第二层间绝缘层（214）用金属布线形成在半导体衬底的上侧。第二接触塞形成在第二层间绝缘层上。利用第二接触插塞在半导体衬底的上侧依次形成滤色器层和微透镜。

18. 发明公开

KR1020100079261A 반도체소자의 제조방법 无效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020100079261A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080137689
申请日：2008-12-31
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정성훈
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/304
CPC分类号： H01L22/12 , H01L21/7684
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to increase the stability of a post process by estimating the erosion according to plug array size and the space between arrays. CONSTITUTION: A monitoring pattern regularly defines the length between a hole array size and an array. An erosion level is evaluated before CMP by using the monitoring pattern. The erosion is inverse proportion to the space between arrays. The amount of erosion is monitored to be saturated at a creation size. The length of the space which is affected between the arrays is monitored.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，以通过根据插头阵列尺寸和阵列之间的间隔估计侵蚀来增加后处理的稳定性。规定：监视模式定期定义孔阵列大小和阵列之间的长度。通过使用监控模式，在CMP之前评估侵蚀水平。侵蚀与阵列之间的空间成反比。监测侵蚀量以创造尺寸饱和。监视阵列之间受影响的空间的长度。

19. 发明公开

KR1020100079222A 대기 플라즈마를 이용한 베벨 에칭 장치 无效
标题翻译：使用大气等离子体的水蚀蚀装置
公开(公告)号：KR1020100079222A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080137643
申请日：2008-12-31
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정성훈
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32385 , H01J37/32825
摘要： PURPOSE: A bevel etching apparatus using atmospheric plasma is provided to reduce time and costs for removing contaminant by removing contaminant of a wafer edge without using vacuum. CONSTITUTION: A wafer chuck(2) rotates a wafer(1) in a columnar direction. A magnet unit(3) comprises an gap in which a wafer edge is inserted. The magnet unit has a permanent or an electromagnet magnet facing with a wafer. An RF generator(4) is connected to the magnet unit and generates plasma. An N2 gas nozzle(5) sprays N2 gas over the gap of the magnet unit.
摘要翻译：目的：提供使用大气等离子体的斜面蚀刻装置，以便通过在不使用真空的情况下除去晶片边缘的污染物来减少清除污染物的时间和成本。构成：晶片卡盘（2）沿圆柱方向旋转晶片（1）。磁体单元（3）包括其中插入晶片边缘的间隙。磁体单元具有面向晶片的永磁体或电磁体磁体。 RF发生器（4）连接到磁体单元并产生等离子体。 N2气体喷嘴（5）将N 2气体喷射到磁体单元的间隙上。

20. 发明公开

KR1020100079197A 반도체 소자와 이를 위한 제조 방법 无效
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100079197A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080137613
申请日：2008-12-30
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정성훈
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76883 , H01L21/3212 , H01L21/7684
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to obtain a overlay key at the side of a profile by forming a metal pattern with slurry having low selectivity. CONSTITUTION: An PR pattern is formed on a semiconductor substrate(601) to define a trench region. A trench region is formed by performing an etching process using the PR pattern as a mask. The trench region is buried by gap-filling a metal. The buried metal is planarized through a hard type pad and a slurry with a relative lower selection to form a metal wiring(604a).
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以通过以低选择性的浆料形成金属图案来获得侧面侧的覆盖键。构成：在半导体衬底（601）上形成一个PR图形以限定沟槽区域。通过使用PR图案作为掩模进行蚀刻处理来形成沟槽区域。通过间隙填充金属掩埋沟槽区域。掩埋金属通过硬质焊盘和具有相对较低选择的浆料平坦化，以形成金属布线（604a）。

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