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11. 发明授权

KR101446977B1 저온에서 반도체층들을 분리하는 방법 有权
标题翻译：在低温下分离半导体层的方法
公开(公告)号：KR101446977B1
公开(公告)日：2014-10-07
申请号：KR1020117031016
申请日：2009-10-29
申请人： 소이텍
发明人： 랑드뤼디디에 , 라뒤로뉘 , 뱅상세바스티앙
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/187 , H01L21/76251
摘要： 본 발명은 UTBOX 타입의 구조물들을 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은, a) "도너" 기판으로 알려진 기판(1)을 "리시버" 기판으로 알려진 기판(2)과 조립하는 단계로서, 상기 두 기판들 중 적어도 하나는 50 ㎚ 미만의 두께를 갖는 절연층(3)을 포함하는 단계; b) 상기 조립하는 단계 동안 및/또는 상기 조립하는 단계 후에, 상기 두 기판들 사이의 조립을 보강하기 위해 400℃ 미만의 온도에서 상기 조립을 보강하기 위한 제1 열 처리하는 단계; 및 c) 900℃ 초과의 온도에서 제2 열처리하는 단계로서, 400℃ 내지 900℃ 사이의 노출 시간은 1분 또는 30초 미만인 단계를 포함한다.

12. 发明授权

KR101365234B1 반도체온인슐레이터 구조의 처리 공정 有权
标题翻译：用于处理绝缘体上半导体结构的方法
公开(公告)号：KR101365234B1
公开(公告)日：2014-02-18
申请号：KR1020120002529
申请日：2012-01-09
申请人： 소이텍
发明人： 랑드뤼디디에 , 리우그레고리
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/84
CPC分类号： H01L21/76243
摘要： 본 발명은 반도체-온-인슐레이터 구조의 처리 공정에 관한 것으로, 후술하는 단계들:
(i) 노출 영역들이라고 지칭되는 박막의 영역들(3a) 및 마스크(4)에 의해 커버되는 영역들(3b)을 정의하는 상기 마스크(4)를 박막(3)의 표면 상에 형성하는 단계; 및
(ii) 산화물 또는 산질화물 층(2) 내의 적어도 일부의 산소가 상기 노출 영역들(3a)을 통해 확산되도록 열 처리를 적용하는 단계를 포함한다.
(ii) 단계 전에 또는 (ii) 단계 중에, 상기 박막(3)의 반도체 질화물 또는 산질화물 층(5)이 상기 노출 영역들(3a) 상에 형성되고, 상기 층(5)의 두께는 상기 노출 영역들(3a)을 통한 산소 확산율 대 상기 마스크(4)에 의해 커버되는 상기 영역들(3b)을 통한 산소 확산율의 비율이 2보다 크게 되도록 한다.

13. 发明公开

KR1020110091587A 반도체 온 절연체 형태의 구조의 주변 링부분에서 산화물층을 용해하기 위한 공정 有权
标题翻译：在半导体绝缘体类型结构的外围环中分解氧化物层的方法
公开(公告)号：KR1020110091587A
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：KR1020117015424
申请日：2009-12-30
申请人： 소이텍
发明人： 랑드뤼디디에 , 그리티파브리스 , 구트에릭 , 코논추크올레그 , 베티주크리스텔
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/3247 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/31662 , H01L21/7624
摘要： 본 발명은, 캐리어 기판(1), 산화물층(2) 및 반도체 재료의 얇은 층(3)을 연속해서 포함하는 반도체 온 절연체 형태의 구조를 처리하기 위한 공정에 관한 것으로서, 상기 구조는 상기 산화물층(2)이 노출되는 주변 링부분(peripheral ring)을 가지며, 상기 공정은 중성 또는 제어된 환원 분위기에서의 주 열처리의 적용을 포함한다. 본 발명은 상기 주 열처리 이전에, 적어도 상기 산화물층(2)의 노출된 주변 부분을 덮는 단계를 포함하고, 이러한 열처리는 상기 산화물층(2)의 산소의 적어도 일부가 상기 얇은 반도체층(3)을 통해 확산하도록 제어된 시간 및 온도 조건들 하에서 실행되어, 상기 산화물층(2)의 두께의 감소를 제어한다.
摘要翻译：本发明涉及一种处理载体衬底，氧化物层和半导体材料薄层的绝缘体上半导体结构的结构的方法，其中具有暴露氧化物层的外围环的结构和该方法包括在中性或受控还原气氛中应用主要热处理。该方法包括在主要热处理之前至少覆盖氧化物层的暴露的周边部分的步骤，该后处理在受控的时间和温度条件下进行，以便促使氧化物层中的至少一部分氧通过薄的半导体层扩散，导致氧化物层的厚度受到控制的减小。

14. 发明公开

KR1020100113117A 절연 매몰층 내에 차징된 영역을 갖는 기판 有权
标题翻译：具有绝缘层的充电区的基底
公开(公告)号：KR1020100113117A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：KR1020107017903
申请日：2008-03-13
申请人： 소이텍
发明人： 알리베르프레데릭 , 고댕그웰타즈 , 랄르망파브리스 , 랑드뤼디디에 , 랑드리카린느 , 샤힌모하마드 , 마쭈레카를로스
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78603 , H01L29/32 , H01L29/7841 , H01L31/0248 , H01L27/10844
摘要： Embodiments of the invention relate to substrates comprising a base wafer, an insulating layer and a top semiconductor layer, wherein the insulating layer comprises at least a zone wherein a density of charges is in absolute value higher than 1010 charges/cm2. The invention also relates to processes for making such substrates.

15. 发明公开

KR1020170091627A 무선 주파수 애플리케이션들을 위한 구조체 审中-实审
标题翻译：射频应用结构
公开(公告)号：KR1020170091627A
公开(公告)日：2017-08-09
申请号：KR1020177015538
申请日：2015-09-17
申请人： 소이텍
发明人： 코논추크올레그 , 랑드뤼디디에 , 피게크리스토프
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/762
CPC分类号： H04B1/03 , H01L21/02167 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/28282 , H01L21/76254 , H01L21/76297 , H01L41/0477 , H01M4/663
摘要： 본발명은, 반도체지지기판(2); 지지기판(2) 상에배열되는트래핑층(3)을포함하고, 트래핑층(3)은미리결정된결함밀도보다큰 결함밀도를포함하는것을특징으로하고; 미리결정된결함밀도는, 그결함밀도위에서트래핑층(3)의전기저항률이온도범위 [-20 ℃; +120 ℃]에걸쳐 10 kohm.cm 이상인결함밀도인, 무선주파수애플리케이션들을위한구조체(1)에관한것이다.
摘要翻译：本发明提供了一种半导体器件，包括：半导体支撑衬底（2）; 其特征在于，它包括布置在支撑衬底（2）上的俘获层（3），其中俘获层（3）包括大于预定缺陷密度的缺陷密度; 预定的缺陷密度使得俘获层3在缺陷密度上的电阻率在温度范围[-20占据; + 120℃）。

16. 发明公开

KR1020150119822A 유용층 이송방법 审中-实审
标题翻译：传输有用层的方法
公开(公告)号：KR1020150119822A
公开(公告)日：2015-10-26
申请号：KR1020150054032
申请日：2015-04-16
申请人： 소이텍 , 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈
发明人： 랑드뤼디디에 , 코논추크올레그 , 벤모하메드나디아 , 매시다미엔 , 마젠프레데릭 , 리에우토르드프랑수아
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381
摘要： 다음의주요단계들을포함하는지지체(4)로유용층(useful layer, 3)을이송하는방법이개시된다. 본방법은, 광종(light species)을제1 기판(1) 내로주입시켜연약한평면(fragilization plane, 2)을형성함으로써, 연약한평면과제1 기판(1)의표면사이에유용층(3)을형성하는단계, 제1 기판(1)의표면상에지지체(4)를적용하여, 두개의노출면(S1, S2)을가지는, 균열될어셈블리(5)를형성하는단계, 균열될어셈블리(5)에열 깨짐처리(thermal fragilization treatment)를수행하는단계, 연약한평면(2)을따라제1 기판(1)에균열파(fracture wave)가개시(initiation)되고및 자가-지속전파(self-sustained propagation)되는단계를포함한다. 균열될어셈블리(5)의면들(S1, S2) 중적어도어느하나가, 컨택존(contact zone)에걸쳐서, 균열파가개시및/또는전파되는동안방출되는음향진동(acoustic vibration)을포집및 소멸시키는데적절한흡수요소(6a, 6b)와긴밀접촉된다.
摘要翻译：公开了一种用于由具有以下主要步骤的支撑体（4）转移有用层（3）的方法。本发明的方法包括以下步骤：通过将光物质注入到第一基底（1）中并形成脆性平面（1），在脆性平面和第一基底（1）的表面之间形成有用层（3） 2）; 通过将支撑体（4）施加到第一基板（1）的表面上，形成具有两个暴露表面（S1，S2）的要破裂的组件（5）; 对组件进行热脆化处理以破裂（5）; 并且沿着所述脆化平面（2）具有在所述第一基板（1）上的断裂波的起始和自持续传播。要破裂的组件（5）的一个或多个表面（S1，S2）紧密接触适当的吸收元件（6a，6b），用于收集和消除在破裂波的开始和/或传播时排出的声音振动在接触区进行。

17. 发明公开

KR1020140104477A 산화물층을 포함하는 구조 내에 위치한 결합 인터페이스의 안정화 방법 및 획득된 구조 审中-实审
标题翻译：粘结界面的方法，位于包含氧化层和获得结构的结构中
公开(公告)号：KR1020140104477A
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：KR1020147018986
申请日：2012-12-13
申请人： 소이텍
发明人： 랑드뤼디디에 , 데이비드카롤 , 라두이오누트 , 카펠로루시아나 , 신쿠인얀
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/20 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/268 , H01L21/02354 , H01L21/2007 , H01L21/324 , H01L21/428
摘要： 본 발명은 전자공학, 광학 및/또는 광전자 분야에서 적용되고 능동층 (14)과 수신기 기판(2) 사이에 매립된 산화물층(5, 16, 23)을 포함하는 구조 (4) 내에 위치되어, 분자 접착에 의하여 획득되는 결합 인터페이스(3)의 안정화 방법에 대한 것이다. 본 발명에 따라, 상기 방법은 레이저(7)에 의하여 제공된 빛 에너지 플럭스로 구조(4)를 방사 처리하는 단계를 포함하고, 구조를 향하는 방향의 플럭스는 에너지 전환층(6)에 의하여 흡수되어 열로 전환되고, 열은 구조(4) 내에서 결합 인터페이스(3)를 향하여 확산되어 결합 인터페이스(3)가 안정화된다.

18. 发明授权

KR101304245B1 저온에서 반도체층들을 분리하는 방법 有权
标题翻译：在低温下分离半导体层的方法
公开(公告)号：KR101304245B1
公开(公告)日：2013-09-05
申请号：KR1020117012006
申请日：2009-10-29
申请人： 소이텍
发明人： 랑드뤼디디에 , 라뒤로뉘 , 뱅상세바스티앙
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/187 , H01L21/76251
摘要： 본 발명은 UTBOX 타입의 구조물들을 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은, a) "도너" 기판으로 알려진 기판(1)을 "리시버" 기판으로 알려진 기판(2)과 조립하는 단계로서, 상기 두 기판들 중 적어도 하나는 50 ㎚ 미만의 두께를 갖는 절연층(3)을 포함하는 단계; b) 상기 조립하는 단계 동안 및/또는 상기 조립하는 단계 후에, 상기 두 기판들 사이의 조립을 보강하기 위해 400℃ 미만의 온도에서 상기 조립을 보강하기 위한 제1 열 처리하는 단계; 및 c) 900℃ 초과의 온도에서 제2 열처리하는 단계로서, 400℃ 내지 900℃ 사이의 노출 시간은 1분 또는 30초 미만인 단계를 포함한다.

19. 发明公开

KR1020120038897A 연결 구조물의 구현 방법 有权
标题翻译：实现连接结构的过程
公开(公告)号：KR1020120038897A
公开(公告)日：2012-04-24
申请号：KR1020110104312
申请日：2011-10-12
申请人： 소이텍
发明人： 랑드뤼디디에
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/48
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/80 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0332 , H01L2224/034 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03616 , H01L2224/05006 , H01L2224/05082 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05187 , H01L2224/05546 , H01L2224/05547 , H01L2224/05576 , H01L2224/05578 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05681 , H01L2224/05687 , H01L2224/08121 , H01L2224/80203 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2225/06513 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00014 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/04941 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A connection structure formation method is provided to prevent metal diffusion due to misalignment during a 3D integration process by providing a connection structure used for a semiconductor substrate. CONSTITUTION: A 3D integration process of a semiconductor substrate with a second substrate(1700) is estimated along a first surface. A lateral misalignment is generated with a misalignment value of one dimension. A diffusion prevention structure(2211) is grown in order to prevent diffusion of elements from a conductive layer to other parts of the semiconductor substrate. A first end surface of the diffusion prevention structure is the outermost surface of the diffusion prevention structure which is actually parallel to a first surface with respect to a direction(1800) vertical to the first surface and is extended toward the first surface from the substrate.
摘要翻译：目的：提供一种连接结构形成方法，以通过提供用于半导体衬底的连接结构来防止在3D积分过程期间由于未对准而引起的金属扩散。构成：沿着第一表面估计具有第二衬底（1700）的半导体衬底的3D集成过程。产生横向偏移，其具有一维的未对准值。生长扩散防止结构（2211）以防止元件从导电层扩散到半导体衬底的其它部分。扩散防止结构的第一端面是相对于垂直于第一表面的方向（1800）实际上平行于第一表面并从衬底向第一表面延伸的扩散防止结构的最外表面。

20. 发明公开

KR1020110102949A 캐비티들의 층을 생성하는 방법 有权
标题翻译：生产一层CAVITIES的方法
公开(公告)号：KR1020110102949A
公开(公告)日：2011-09-19
申请号：KR1020117018583
申请日：2010-02-01
申请人： 소이텍
发明人： 랑드뤼디디에
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76243
摘要： 구조물(100) 내에 캐비티들의 층을 생성하는 방법은 산화되거나 질화될 수 있는 물질로 형성된 적어도 하나의 기판(101)을 포함하고, 상기 방법은 주입 이온 농도 영역(102)을 소정 평균 깊이로 형성하기 위하여 상기 기판(101) 내에 이온들(10)을 주입하는 단계; 상기 주입 이온 농도 영역(102)에서 캐비티들의 층(103)을 형성하기 위하여 이온 주입된 상기 기판을 열처리하는 단계; 및 열화학적 처리에 의하여 상기 기판의 한쪽 표면으로부터 상기 기판 내에 절연층(105)을 형성하되, 상기 절연층이 상기 캐비티들의 층(103) 내부로 적어도 부분적으로 연장되어 형성되도록 상기 절연층(105)을 형성하는 단계를 포함한다.

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