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11. 发明公开

KR1020050108315A 베어링 유니트 및 회전 구동장치 无效
标题翻译：轴承单元和旋转和驱动装置
公开(公告)号：KR1020050108315A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：KR1020047017486
申请日：2004-03-01
申请人： 소니 주식회사
发明人： 가네코다케시 , 야자와겐이치로 , 시시도유지 , 다카다기요유키 , 가키누마요시아키 , 사토히로시
IPC分类号： F16C17/02 , F16C17/08 , F16C35/02 , H02K7/08
CPC分类号： F16C33/107 , F16C17/02 , F16C17/107 , F16C17/22 , F16C35/02 , H02K7/085
摘要： A bearing unit rotatably supporting a shaft (2), comprising a radial bearing (4) rotatably supporting the shaft (2) and a resin housing member (6) holding the radial bearing (4), wherein the housing member (6) is formed of a material having a coefficient of heat contraction larger than that of a material used for the radial bearing (4). Where the radial thickness of the radial bearing (4) is m and the radial thickness of the housing body part of the housing member (6) covering the outer periphery of the radial bearing is n, the requirement of m > n is satisfied. Thus, effect by heat contraction in molding can be prevented from being applied to the radial bearing.
摘要翻译：一种轴承单元，其可旋转地支撑轴（2），包括可旋转地支撑所述轴（2）的径向轴承（4）和保持所述径向轴承（4）的树脂容纳构件（6），其中所述壳体构件的热收缩系数大于用于径向轴承（4）的材料的热收缩系数的材料。如果径向轴承（4）的径向厚度为m，并且覆盖径向轴承外周的壳体构件（6）的壳体主体部分的径向厚度为n，则满足m> n的要求。因此，可以防止成型中的热收缩的影响被施加到径向轴承。

12. 发明公开

KR1020050072070A 데이터 저장 제어 장치, 데이터 저장 제어 방법 및 데이터 저장 제어 프로그램이 기록된 기록 매체 失效
标题翻译：数据存储设备，数据存储控制设备，数据存储控制方法和数据存储控制程序
公开(公告)号：KR1020050072070A
公开(公告)日：2005-07-08
申请号：KR1020050000740
申请日：2005-01-05
申请人： 소니 주식회사
发明人： 곤도데쓰지로 , 데쓰카와히로키 , 다카하시겐지 , 사토히로시 , 한다마사키
IPC分类号： G06F12/00
CPC分类号： G11C7/22 , G11C7/1015 , G11C8/12
摘要： 모든 데이터를 복수의 메모리 뱅크로 이루어지는 메모리(50)에 저장할 때, 데이터 분할 판정부(20)에 의해 동시에 판독하려는 소망의 복수 데이터가 존재하는 범위를 분할 단위로 하여, 모든 데이터를 복수의 범위로 분할한다. 상기 메모리(50)를 구성하는 복수의 메모리 뱅크에, 상기 범위 내의 데이터를 배분하며, 각각의 메모리 뱅크에 있어서 1개의 워드 라인 상에 저장하고, 상기 모든 데이터를 복수의 메모리 뱅크로 이루어지는 메모리(50)상에 배치한다. 상기 메모리(50)상에 배치된 모든 데이터로부터 각 범위에서의 동시 판독 대상의 복수 데이터를 주기적으로 판독하고, 각 범위 내의 일부를 인접하는 범위 내의 데이터와 순차 치환하거나 또는 재기입하여, 다음의 동시 판독 대상의 복수 데이터를 판독하는 제어를 메모리 제어부(10), 어드레스 변환부(30) 및 어드레스 생성부(40)에 의해 행한다.

13. 发明授权

KR100327943B1 반도체 장치 失效
公开(公告)号：KR100327943B1
公开(公告)日：2002-03-15
申请号：KR1020000050036
申请日：2000-08-28
申请人： 소니 주식회사
发明人： 사토히로시 , 오구보야스노리 , 마츠시다다케시 , 니시하라도시유키 , 하시모토마코토
IPC分类号： H01L29/772
摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to effectively prevent a groove from being formed in the surface of a semiconductor substrate by making the thickness of a conductive layer smaller and by relatively reducing an error in an etch process of the conductive layer. CONSTITUTION: Wafers are brought into proximity in a state with one wafer a slight, substantially uniform clearance away from the other wafer. One point of at least one wafer of the two wafers is pressed against the other wafer so that a SOI(silicon on insulator) structure is formed.

14. 发明公开

KR1019940025187A 동기형회로 失效
标题翻译：同步电路
公开(公告)号：KR1019940025187A
公开(公告)日：1994-11-19
申请号：KR1019940008711
申请日：1994-04-25
申请人： 소니 주식회사
发明人： 사토히로시 , 세노가추노리
IPC分类号： H03L7/087
摘要： 본 발명의 목적은 클럭라인을 전송하는 클럭신호의 신호지연이 있어도, 동위상의 클럭신호를 형성할 수 있도록 하는데 있다.
그 구성은 공통의 클럭라인에서 도출되는 클럭신호에 의거해서 회로소자를 동기하여 동작시키는 동기형회로에 있어서, 도중에서 되풀이되고 있는 한쌍의 클럭라인(La,Lb)과, 이들 한쌍의 클럭라인(La,Lb)의 되풀이 하는 점(PO)에서 보다 등거리에 있는 한쌍의 클럭라인(La,Lb)상의 임의의 점에서 얻어지는 위상이 다른 2개의 클럭신호(CLK1,CLK6), (CLK2,CLK5), (CLK3,CLK4)에 의거해서 이들 2개의 클럭신호의 중간 위상을 가지는 클럭신호(CLK0)를 발생하는 수단(M1~M3)을 갖춘다. 되풀이 되는 점(PO)에서 등거리에 있는 위상이 다른 2개의 클럭신호를 이용하고 있으므로, 3개의 클럭신호(CLK0)는 모두 동상이 되는 구성으로 된다.

15. 发明公开

KR1020050046556A 베어링 유닛, 베어링 유닛을 가지는 모터 및 전자기기 无效
标题翻译：轴承单元，带有轴承单元的电机和电子设备
公开(公告)号：KR1020050046556A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：KR1020040090549
申请日：2004-11-08
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야자와겐이치로 , 가네코타케시 , 다카다기요유키 , 가키누마요시아키 , 사토히로시 , 시시도유지
IPC分类号： F16C17/10
CPC分类号： G11B19/2009 , F16C17/107 , F16C33/74 , F16C43/02 , F16C2370/12 , Y10S384/903
摘要： 베어링 유닛은, 축(31)과 축(31)의 주회방향으로 지지를 행하는 래이디얼 베어링(33)과 축(31)의 스러스트(thrust) 방향의 일단을 지지하는 베어링(34)과, 합성 수지의 성형체에 의해 형성되어, 래이디얼 베어링(33)과 스러스트 베어링(34)이 내부에 배설되는 것과 동시에, 축(31)이 삽입 통과되는 축 삽입 통과 구멍을 제외한 밀폐된 구조로 되는 하우징(37)과, 래이디얼 베어링(33)의 스러스트 베어링(34)이 설치된 일단 측에 설치되어, 축(31)이 래이디얼 베어링(33)으로부터 빠지는 것을 방지하는 누락 방지 부재(46)와, 하우징(37) 내에 충전된 점성 유체(38)를 구비한다. 누락 방지 부재(46)는, 하우징(37)을 성형할 때에 누락 방지 부재(46)에 가하는 온도보다 높은 열변형 온도를 가지는 재료로 이루어지기 때문에, 하우징을 아웃 서트 성형할 때의 누락 방지 부재의 변형을 방지하는 것이 가능하다.

16. 发明授权

KR100289346B1 ＳＯＩ 구조상의 반도체장치의 제조에서의 배치방법 失效
标题翻译：在SOI结构上制造半导体器件的布置方法
公开(公告)号：KR100289346B1
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：KR1020000050034
申请日：2000-08-28
申请人： 소니 주식회사
发明人： 사토히로시 , 오구보야스노리 , 마츠시다다케시 , 니시하라도시유키 , 하시모토마코토
IPC分类号： H01L29/772

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