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11. 发明公开

KR1020070042033A 배터리 팩 失效
标题翻译：电池组
公开(公告)号：KR1020070042033A
公开(公告)日：2007-04-20
申请号：KR1020050097784
申请日：2005-10-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최귀용 , 옥금명 , 송주호 , 김성규 , 이세용 , 김상용
IPC分类号： H01M2/10 , H01M2/02 , H01M2/34
CPC分类号： H01M2/34 , H01M2/0202 , H01M2/0267 , H01M2/0292 , H01M2/0404 , H01M2/08 , H01M10/0404 , H01M2220/30 , Y02E60/12
摘要： 제조를 용이하게 할 수 있고, 소형화 및 박형화할 수 있으며, 보호회로모듈을 확실히 보호할 수 있도록 한 배터리 팩을 개시한다. 이 배터리 팩은 충전된 전원을 공급하며 상부에 음극단자와 양극단자를 갖춘 배터리 셀과, 배터리 셀의 상부에 설치되며 음극 및 양극단자와 각각 단자판을 통하여 전기적으로 연결되는 보호회로모듈과, 상부에 보호회로모듈을 수용한 상태에서 배터리 셀 상부에 장착되는 보호회로케이스와, 배터리 셀의 하부에 결합되는 하부커버와, 보호회로케이스와 배터리 셀 상단 일부를 덮는 형태로 배터리 셀의 상부에 결합되는 상부커버와, 상부 및 하부커버와 배터리 셀의 외면에 접착되는 접착테이프를 포함한다.
摘要翻译：因此能够方便生产，它可以在尺寸和厚度可以减小，并且开始电池组以确保保护电路模块。所述的电池组电保护电路模块，并且通过供给所述充电电源的保护连接到彼此的顶部和安装到电池单元中，与阳极端子和阴极端子上的负电极和正电极端子和相应的端子板与电池单元的上端部其被安装到所述上电池单元容纳的情况下的电路模块的状态和连接到所述下盖的上部分的电路保护，以及保护电路壳体和电池组电池，在形成电池单元覆盖耦合到所述电池单元的下部的上部，所述上部盖并且将胶带粘附到上盖和下盖以及电池单元的外表面上。

12. 发明公开

KR1020000075080A 휴대용 충전장치 失效
标题翻译：便携式充电装置
公开(公告)号：KR1020000075080A
公开(公告)日：2000-12-15
申请号：KR1019990019446
申请日：1999-05-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황보상무 , 곽동욱 , 송주호 , 서정우 , 최해완
IPC分类号： H01M10/42
CPC分类号： H02J7/0044
摘要： PURPOSE: A portable charging device is provided to reduce the developing cost of a charging device and commonly use a charging housing in different terminals. CONSTITUTION: A charging housing includes opposite inner walls, a ceiling wall located between the inner walls, and at least one opening end. A mounting space is surrounded by the inner walls and the ceiling wall. The charging housing comprises at least one pair of terminals and a board connected to the terminals. A charging unit has a tip end, a rear end, two side ends, and at least one upper end. The charging unit is engaged with the mounting space. The charging unit is detachable from the charging housing. A guide means horizontally engages the charging unit to the charging housing. A connecting means electrically connects the charging housing to the charging unit when the charging unit is horizontally engaged with the charging housing.
摘要翻译：目的：提供一种便携式充电装置，以减少充电装置的开发成本，并在不同的端子中通常使用充电外壳。构成：充电壳体包括相对的内壁，位于内壁之间的顶壁和至少一个开口端。安装空间被内壁和天花板墙包围。充电壳体包括至少一对端子和连接到端子的板。充电单元具有尖端，后端，两个侧端和至少一个上端。充电单元与安装空间接合。充电单元可从充电壳体拆卸。引导装置将充电单元水平地接合到充电壳体。当充电单元与充电壳体水平接合时，连接装置将充电壳体与充电单元电连接。

13. 发明公开

KR1019930006817A 금속배선막 형성방법 失效
公开(公告)号：KR1019930006817A
公开(公告)日：1993-04-21
申请号：KR1019910016898
申请日：1991-09-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송주호
IPC分类号： H01L21/04

14. 发明公开

KR1020030010867A 휴대폰의 스마트 배터리 无效
标题翻译：智能电池的细胞电话
公开(公告)号：KR1020030010867A
公开(公告)日：2003-02-06
申请号：KR1020010045510
申请日：2001-07-27
申请人： 주식회사 이랜텍 , 삼성전자주식회사
发明人： 이희범 , 송주호
IPC分类号： H02J7/10
摘要： PURPOSE: A smart battery of a cellular phone is provided to charge the smart battery with electricity without an additional charger by installing a charger and a micro computer in the smart battery. CONSTITUTION: A battery is formed with one cell or plural cells. A safety protection portion protects the battery from an operating temperature of the battery and an over-current state of the battery by using a thermistor. A protective circuit portion(11) includes resistors(R1 to R4), condensers(C1,C2), and a FET(Field Emission Transistor) for performing an on/off operation when over-discharge, over-charge, short-circuit, over-current, and over-temperature are generated from the battery. A smart circuit portion(12) has resistors(R5,R6), a condenser(C3), and a smart IC(IC1) for measuring voltage, current, temperature, and present capacity of the battery. A charge portion(13) is formed with a current limit transistor(TR) and a charge IC(IC2). A micro computer portion controls measured data of the smart circuit portion(12), data transmitting and receiving operations, and a charging and discharging operation of the battery.
摘要翻译：目的：通过在智能电池中安装充电器和微型计算机，提供手机智能电池，为智能电池充电，无需额外的充电器。构成：电池形成有一个电池或多个电池。安全保护部通过使用热敏电阻来保护电池免受电池的工作温度和电池的过电流状态的影响。保护电路部分（11）包括用于在过放电，过充电，短路等情况下进行导通/截止操作的电阻器（R1至R4），电容器（C1，C2）和FET（场致发射晶体管）从电池产生过电流和过温。智能电路部分（12）具有用于测量电池的电压，电流，温度和当前容量的电阻器（R5，R6），电容器（C3）和智能IC（IC1）。电荷部分（13）形成有限流晶体管（TR）和电荷IC（IC2）。微计算机部分控制智能电路部分（12）的测量数据，数据发送和接收操作以及电池的充电和放电操作。

15. 发明授权

KR100098372B1 반도체 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 반도체 장치 失效
公开(公告)号：KR100098372B1
公开(公告)日：1996-04-16
申请号：KR1019910024485
申请日：1991-12-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정병홍 , 송주호 , 장태규 , 장현근
IPC分类号： H01L21/28

16. 发明授权

KR100083223B1 디램의 쎌 캐패시터의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100083223B1
公开(公告)日：1995-03-16
申请号：KR1019860010849
申请日：1986-12-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송주호 , 유재안 , 오영선
IPC分类号： H01L27/00

17. 发明授权

KR1019940001256B1 금속배선막 형성방법 失效
标题翻译：形成金属接线膜的方法
公开(公告)号：KR1019940001256B1
公开(公告)日：1994-02-18
申请号：KR1019910016898
申请日：1991-09-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송주호
IPC分类号： H01L21/04
摘要： The method for forming a metal wiring film comprises (a) forming an insulating layer on the semiconductor substrate formed with a lower wiring layer, (b) forming a contact hole on the insulating layer, (c) forming a first material layer and a barrier metal layer on the whole surface, (d) retaining the layers in the contact hole, (e) forming an upper wiring layer on the whole surface, and (f) forming a metal silicide layer by the laser irradiation to the whole surface. The first material is pref. Pt, Rh or Pd, the barrier metal is pref. Ti, Ta, W, Mo or their cpds., and the upper wiring is Al or Al alloy. The method decreases a contact resistance of the semiconductor device.
摘要翻译：形成金属布线膜的方法包括：（a）在形成有下布线层的半导体基板上形成绝缘层，（b）在绝缘层上形成接触孔，（c）形成第一材料层和屏障金属层，（d）保持接触孔中的层，（e）在整个表面上形成上部布线层，（f）通过激光照射形成金属硅化物层至整个表面。第一个材料是pref。 Pt，Rh或Pd，阻挡金属是优先的。 Ti，Ta，W，Mo或它们的cpds，上部配线是Al或Al合金。该方法降低了半导体器件的接触电阻。

18. 发明授权

KR1019960000362B1 반도체 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 반도체 장치 失效
标题翻译：半导体器件制造方法和由该方法制造的半导体器件
公开(公告)号：KR1019960000362B1
公开(公告)日：1996-01-05
申请号：KR1019910024485
申请日：1991-12-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정병홍 , 송주호 , 장태규 , 장현근
IPC分类号： H01L21/28
摘要： forming a MOSFET insulator on a semiconductor substrate; forming a resist pattern by passivating the resist on a silicon layer after forming the silicon layer on the MOSFET insulator layer; oxidating the front side of the semiconductor by eliminating the resist.
摘要翻译：在半导体衬底上形成MOSFET绝缘体; 通过在MOSFET绝缘体层上形成硅层之后，通过在硅层上钝化抗蚀剂来形成抗蚀剂图案; 通过消除抗蚀剂来氧化半导体的正面。

19. 发明公开

KR1019930011213A 반도체 장치의 소자 분리 구조 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：半导体器件的器件隔离结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1019930011213A
公开(公告)日：1993-06-24
申请号：KR1019910020262
申请日：1991-11-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장현근 , 진영찬 , 송주호 , 송창용
IPC分类号： H01L27/04

20. 发明授权

KR100057475B1 반도체 메모리 소자의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100057475B1
公开(公告)日：1992-12-21
申请号：KR1019880012876
申请日：1988-09-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안태혁 , 송주호
IPC分类号： H01L21/00 , H01L27/108

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