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11. 发明公开

KR1019970030355A 고신뢰성 비아 콘택 형성을 위한 금속 층간 절연막 형성 방법 无效
标题翻译：通过接触形成高可靠性的金属夹层绝缘膜的方法
公开(公告)号：KR1019970030355A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950042649
申请日：1995-11-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송종국
IPC分类号： H01L21/28
摘要： 본 발명은 금속층간 절연막 및 비아콘택을 형성하는 방법에 관한 것으로, 하부 금속배선이 형성된 반도체기판 전면에 제1산화막 및 제2산화막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 제2산화막 전면에 평탄화 물질막을 형성하는 단계; 상기 평탄화 물질막 전면에 진성 폴리실리콘막을 형성하는 단계; 상기 진성 폴리실리콘막 전면에 제3산화막을 형성하는 단계; 상기 하부 금속배선 상부의 제3산화막이 노출되도록 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴 및 상기 진성 폴리실리콘막을 각각 식각 마스크 및 식각 저지막으로하여 상기 노출된 제3산화막을 등방성 식각하는 단계; 및 상기 등방성 식각공정에 의해 노출된 진성 폴리실리콘막 및 그 아래의 평탄의 물질막, 제2산화막, 및 제1산화막을 연속적으로 이방성 식각하여 상기 제1금속배선을 노출시키는 비아 콘택을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고신뢰성 비아콘택 형성을 위한 금속층간 절연막 형성방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 하부 금속배선에 식각손상이 가해지는 현상을 크게 억제시킬 수 있다. 따라서 안정된 비아콘택모양 및 비아콘택저항을 얻을 수 있다.

12. 发明公开

KR1020070005234A 누수 센서 및 누수 감지 시스템 无效
标题翻译：泄漏传感器和泄漏传感系统
公开(公告)号：KR1020070005234A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：KR1020050060428
申请日：2005-07-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임평호 , 송종국 , 조성호 , 박기환 , 김우건 , 김태근
IPC分类号： G01M3/04
CPC分类号： G01M3/16 , G01M3/18 , G01M3/183
摘要： A leakage sensor and a leakage detection system are provided to shorten the time for an environmental safety inspection of a semiconductor line by using a litmus paper. A leakage sensor includes a fluid detection member, at least two wires(122,123), and a cable(130). The fluid detection member determines a contact with a fluid. The wires are combined with the fluid detection member. The cable coats the two wires. The fluid detection member takes the form of a film. The fluid detection member in the form of a film includes a litmus paper. The two wires are buried in the interior of the litmus paper.
摘要翻译：提供泄漏传感器和泄漏检测系统，以通过使用石蕊纸来缩短半导体线路的环境安全检查的时间。泄漏传感器包括流体检测构件，至少两根电线（122,123）和电缆（130）。流体检测构件确定与流体的接触。电线与流体检测构件组合。电缆涂上两根电线。流体检测构件采取膜的形式。薄膜形式的流体检测部件包括石蕊纸。两条电线埋在石蕊纸的内部。

13. 发明授权

KR100498495B1 반도체 소자의 세정 시스템 및 이를 이용한 세정방법 失效
标题翻译：半导体器件的清洁系统及使用其的清洁方法
公开(公告)号：KR100498495B1
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：KR1020030028874
申请日：2003-05-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김태균 , 송종국 , 박기환 , 임평호
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67028 , H01L21/31111
摘要： 실리콘 질화막 식각 배스를 포함하는 반도체 소자의 세정 시스템 및 이를 이용한 세정방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 반도체 소자의 세정 시스템은, 소정의 케미컬이 수용되어 있는 다수의 식각 배스, 상기 다수의 식각 배스 사이에 각각 설치되어 탈이온수를 공급하는 세정 배스를 포함한다. 상기 다수의 식각 배스 중 어느 하나는 실리콘 질화막을 제거하기 위한 가열된 인산 용액을 수용하고 있고, 상기 가열된 인산 용액을 수용하는 식각 배스의 전단에는 웨이퍼의 온도를 상승시키기 위한 예열부가 구비되어 있다.

14. 发明授权

KR100420559B1 파티클 발생의 억제가 가능한 반도체 장치의 제조방법 失效
标题翻译： 파티클발생의억제가가능한반도체장치의제조방
公开(公告)号：KR100420559B1
公开(公告)日：2004-03-02
申请号：KR1020010002218
申请日：2001-01-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이영구 , 김태룡 , 김진성 , 김진주 , 안정수 , 송종국
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/306 , H01L21/30625 , H01L21/3083
摘要： A method of fabricating a semiconductor device to prevent contaminating particle formation. The method includes depositing a layer having a selected thickness on a wafer and then planarizing the deposited layer. A photoresist layer is then coated on the deposited layer. An edge portion of the coated photoresist layer is removed to thereby expose a dead zone region of the deposited layer, with the dead zone region corresponding to a portion of the initial deposited layer which is not removed during the planarization process. The exposed deposited layer of the dead zone region is then etched, and the photoresist layer remaining on the wafer is stripped to form the desired pattern.
摘要翻译：一种制造半导体器件以防止污染颗粒形成的方法。该方法包括在晶片上沉积具有选定厚度的层，然后平面化沉积层。然后将光致抗蚀剂层涂覆在沉积层上。涂覆的光致抗蚀剂层的边缘部分被去除，从而暴露出沉积层的死区区域，死区区域对应于在平面化过程期间未被去除的初始沉积层的一部分。然后蚀刻死区区域的暴露的沉积层，并且残留在晶片上的光致抗蚀剂层被剥离以形成期望的图案。

15. 发明授权

KR100645042B1 반도체 기판 세정 장치 失效
标题翻译：半导体基板清洁装置
公开(公告)号：KR100645042B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020040071391
申请日：2004-09-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김태균 , 송종국 , 공성배 , 김한밀
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/673
摘要： 본 발명은 반도체 기판을 세정하는 장치에 관한 것으로, 장치는 처리실과 그 상부에 위치되는 건조실을 포함하는 챔버를 가진다. 건조실 내에는 이소프로필 알코올 증기를 공급하는 공급관과 건조실 내의 유체가 배기되는 배기관이 제공된다. 배기관은 웨이퍼들의 배열 방향과 나란하게 건조실 내 양측에 각각 배치되며, 각각의 배기관에는 복수의 배기구들이 형성된다.
반도체, 배기관, 건조, 웨이퍼
摘要翻译：本发明涉及一种用于清洗半导体基片，该装置具有包含处理室和位于在其上部的干燥室的腔室中。在干燥室中它设置有排气管，其中，流体供给管线和用于供给异丙醇蒸气排气的干燥室。排气管平行于分别设置在两侧的每个所述排气管的与多个排气口形成在晶片干燥室的排列方向。

16. 发明授权

KR100626346B1 반도체 장치의 세정 방법 失效
标题翻译：用于半导体器件的清洁方法
公开(公告)号：KR100626346B1
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：KR1019990010303
申请日：1999-03-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송종국
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명의 반도체 장치의 세정 방법은 기판 상에 형성된 텅스텐 실리사이드 배선을 갖는 기판을 준비하고, 상기 텅스텐 실리사이드 배선을 따라 형성된 폴리머를 제거하기 위한 세정 공정을 황산 보일, 묽은 HF 및, SC1 용액으로 순차적으로 수행한다. 이와 같은 방법으로 텅스텐 실리사이드 배선이 형성된 반도체 기판을 세정한 후 기판 상에 HTO 막을 형성하면, HTO 막에 결함이 발생하지 않는다.

17. 发明公开

KR1020060022536A 반도체 기판 세정 장치 失效
标题翻译：用于清洁半导体衬底的装置
公开(公告)号：KR1020060022536A
公开(公告)日：2006-03-10
申请号：KR1020040071391
申请日：2004-09-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김태균 , 송종국 , 공성배 , 김한밀
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/673
摘要： 본 발명은 반도체 기판을 세정하는 장치에 관한 것으로, 장치는 처리실과 그 상부에 위치되는 건조실을 포함하는 챔버를 가진다. 건조실 내에는 이소프로필 알코올 증기를 공급하는 공급관과 건조실 내의 유체가 배기되는 배기관이 제공된다. 배기관은 웨이퍼들의 배열 방향과 나란하게 건조실 내 양측에 각각 배치되며, 각각의 배기관에는 복수의 배기구들이 형성된다.
반도체, 배기관, 건조, 웨이퍼

18. 发明公开

KR1020050040381A 전자 소자 기판의 표면 처리 장치 및 이를 이용한 표면처리 방법 失效
标题翻译：电子设备基板表面处理装置和表面处理方法
公开(公告)号：KR1020050040381A
公开(公告)日：2005-05-03
申请号：KR1020030075573
申请日：2003-10-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박기환 , 송종국 , 조모현 , 조성호 , 이선재 , 임평호 , 조동욱
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/67028 , Y10S134/902
摘要： 본 발명에 따른 장치는 피건조 기판의 표면을 처리하기 위한 공정 챔버, 공정 챔버로 건조 증기의 유체 흐름이 가능하도록 커플링된 건조 증기 생성 챔버, 건조 증기 생성 챔버에 커플링되어 상기 건조 증기 생성 챔버로부터 상기 공정 챔버로 상기 건조 증기의 유체 흐름이 일어나도록 하는 캐리어 가스 라인, 상기 공정 챔버로 유체 흐름이 가능하도록 커플링되고 상기 캐리어 가스 라인과 독립적으로 유량이 조절되는 불활성 가스 라인을 포함하여 결함이 발생하지 않는 표면 처리 방법을 실시할 수 있다.

19. 发明公开

KR1020040096069A 반도체 소자의 세정 시스템 및 이를 이용한 세정방법 失效
标题翻译：半导体器件的清洁系统和清洁方法使用其保持磷酸盐溶液的恒定温度
公开(公告)号：KR1020040096069A
公开(公告)日：2004-11-16
申请号：KR1020030028874
申请日：2003-05-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김태균 , 송종국 , 박기환 , 임평호
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67028 , H01L21/31111
摘要： PURPOSE: A cleaning system of a semiconductor device and a cleaning method using the same are provided to keep a constant temperature of phosphate solution by installing a preheating unit for preheating a wafer at a front end of an etch bath. CONSTITUTION: A plurality of etch baths(210) are used for storing chemicals. A plurality of cleaning baths(220,240) are installed between the etch baths in order to supply deionized water. One of the etch baths is used for storing heated phosphate solution to etch a silicon nitride layer. A preheating unit is installed at a front end of the etch bath for storing the heated phosphate solution in order to increase the temperature of the wafer.
摘要翻译：目的：提供半导体器件的清洁系统和使用其的清洁方法，以通过在蚀刻浴的前端安装用于预热晶片的预热单元来保持磷酸盐溶液的恒定温度。构成：多个蚀刻槽（210）用于储存化学品。为了提供去离子水，多个清洗槽（220,240）安装在蚀刻槽之间。其中一个蚀刻浴用于储存加热的磷酸盐溶液以蚀刻氮化硅层。预热单元安装在蚀刻槽的前端，用于储存加热的磷酸盐溶液以增加晶片的温度。

20. 发明公开

KR1020040095400A 실리콘 질화막 식각방법 및 시스템 无效
标题翻译：用于蚀刻硅酸盐层以最小化硅酸盐层的比例变化的方法和系统
公开(公告)号：KR1020040095400A
公开(公告)日：2004-11-15
申请号：KR1020030026681
申请日：2003-04-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김태균 , 송종국 , 박기환 , 임평호
IPC分类号： H01L21/306
摘要： PURPOSE: A method and a system for etching a silicon nitride layer are provided to minimize a variation of etch ratio of the silicon nitride layer by maintaining constantly the etch ratio of the silicon nitride layer. CONSTITUTION: A temperature recovery time for phosphate solution is stored according to the number of wafers and the sizes of wafers(S1). The number and the sizes of wafers dipped into the second chemical bath are detected(S2). The temperature recovery time is produced according to the number of wafers and the sizes of wafers dipped into the second chemical bath(S3). A wafer dipping time of the second chemical bath is controlled by using the temperature recovery time(S4).
摘要翻译：目的：提供用于蚀刻氮化硅层的方法和系统，以通过不断地维持氮化硅层的蚀刻比来最小化氮化硅层的蚀刻比的变化。构成：磷酸盐溶液的温度恢复时间根据晶片的数量和晶圆的尺寸进行存储（S1）。检测浸入第二化学浴液中的晶片的数量和尺寸（S2）。温度恢复时间根据晶片的数量和浸入第二化学浴液中的晶片的尺寸而产生（S3）。通过使用温度恢复时间来控制第二化学浴池的晶片浸渍时间（S4）。

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