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11. 发明公开

KR1020000059314A 실리사이드막 형성 방법 无效
标题翻译：形成硅胶层的方法
公开(公告)号：KR1020000059314A
公开(公告)日：2000-10-05
申请号：KR1019990006797
申请日：1999-03-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김영남 , 이은구 , 백두현
IPC分类号： H01L21/28
摘要： PURPOSE: A method of forming a silicide layer is to form a uniform silicide layer in an active region on a substrate, thereby lowering a junction leakage current. CONSTITUTION: A method of forming a silicide layer comprises the steps of: providing a substrate(10) having a silicon surface; forming a conductive metal layer on the surface of the silicon; forming a capping layer containing a titanium on the conductive metal layer; performing a rapid thermal process to react the surface of the silicon with the conductive metal layer, forming a metal silicide layer(17); removing the capping layer and the conductive metal layer; partially etching the metal silicide layer; and performing a rapid thermal process to form the metal silicide layer having a low resistance.
摘要翻译：目的：形成硅化物层的方法是在衬底上的有源区中形成均匀的硅化物层，从而降低结漏电流。构成：形成硅化物层的方法包括以下步骤：提供具有硅表面的衬底（10）; 在硅表面上形成导电金属层; 在所述导电金属层上形成含有钛的覆盖层; 执行快速热处理以使硅的表面与导电金属层反应，形成金属硅化物层（17）; 去除所述覆盖层和所述导电金属层; 部分蚀刻金属硅化物层; 并进行快速热处理以形成具有低电阻的金属硅化物层。

12. 发明公开

KR1020000013443A 셀리사이드 공정에서의 산화막 제거방법 失效
标题翻译：去除氧化过程氧化膜的方法
公开(公告)号：KR1020000013443A
公开(公告)日：2000-03-06
申请号：KR1019980032304
申请日：1998-08-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 양희석 , 김영남 , 황경환 , 백두현
IPC分类号： H01L21/31
摘要： PURPOSE: Method to remove oxidation film in the salicide (self aligned silicide) process is provided which can solve the problem of an increase in surface resistance caused by oxidation film on the surface of silicide in the salicide process. CONSTITUTION: Silicide is formed by RTS (Rapid Thermal Silicidation) process (S10) and strip (S12). After strip, remove the oxidation film on the silicide with dry etching (S14) or wet etching. And the problem of an increase in surface resistance caused by the remaining oxidation film can be solved.
摘要翻译：目的：提出在自对准硅化物工艺中去除氧化膜的方法，可以解决自杀化硅工艺中硅化物表面氧化膜引起的表面电阻增加的问题。构成：通过RTS（快速热硅化）工艺（S10）和条（S12）形成硅化物。剥离后，用干蚀刻（S14）或湿法蚀刻去除硅化物上的氧化膜。并且可以解决由剩余的氧化膜引起的表面电阻增加的问题。

13. 发明公开

KR1019990058613A 반도체장치의커패시터제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019990058613A
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019970078755
申请日：1997-12-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 백두현 , 김동원
IPC分类号： H01L27/108
摘要： 본 발명은 반도체장치의 커패시터 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 스토리지폴리막과 유전체막 사이에 유티엔시오(UTNCO : Utlra Thin Nitrogen Coordinate Oxide)막을 증착시킨 반도체장치의 커패시터 제조방법에 관한 것이다.
발명은, 스토리지전극을 형성시킬 수 있는 스토리지폴리막을 절연막 및 하부구조를 갖는 웨이퍼 위에 증착하는 단계; 상기 스토리지폴리막을 사진공정과 식각공정을 수행하여 스토리지전극을 형성하는 단계; 상기 스토리지전극 상에 유티엔시오(UTNCO : Utlra Thin Nitrogen Coordinate Oxide)막을 증착하는 단계; 상기 유티엔시오막 상에 유전체막을 증착하는 단계; 상기 유전체막 상에 플레이트전극을 형성하는 플레이트폴리막을 증착하는 단계를 구비하여 이루어진다.
따라서, 스토리지폴리막과 유전체막 사이에 유티엔시오막을 증착하므로써 상기 스토리지폴리막과 유전체막 사이의 경계에서의 불순물이나 국소구조를 변화시킴으로서 전기적인 내압을 증가시키고 전기용량을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.

14. 发明公开

KR1020050079569A 문턱 전압 조절이 가능한 전자 소자의 제조 방법과 이에사용되는 이온 주입기 조절기 및 이온 주입 시스템 失效
标题翻译：电子装置制造方法能够控制阈值电压，以及离子植入物控制器和离子植入系统
公开(公告)号：KR1020050079569A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：KR1020040008059
申请日：2004-02-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이영호 , 이선용 , 백두현
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L22/20 , H01J2237/30455 , H01J2237/31701 , H01L29/6659 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 게이트 전극의 임계 디멘젼의 변화에 따른 문턱 전압 변동을 보상하여 공정 마진 확보와 불량 감소가 가능한 전자 소자의 제조 방법과 이에 사용되는 이온 주입기 조절기 및 이온 주입 시스템이 제공된다. 전자 소자의 제조 방법은 웨이퍼 상에 형성된 게이트 전극의 계측 임계 디멘젼에 기초하여 트랜지스터의 정션 콘택 플러그 이온 주입 레서피를 조정한 후, 조정된 레서피를 사용하여 정션 콘택 플러그 이온을 주입한다.

15. 发明授权

KR100175012B1 초경강판재의 패턴 형성 방법 失效
标题翻译：在硬钢板上形成图案的方法
公开(公告)号：KR100175012B1
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019950029830
申请日：1995-09-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강승언 , 문상영 , 백두현 , 서원채
IPC分类号： C23F1/44
CPC分类号： C25F3/14
摘要： 본 발명은 초경강판재의 패턴 형성에 관한 것으로서, 사진식각(Photo-Lithography)과 전기화화적 에칭(Electro-Chemical Etching)을 이용하여 초경강판재의 미세패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
즉, 사진 식각과 전기화학적 에칭 기법을 이용하여 각종 모양의(원형, 별형, 사각형, 삼각형, 마름모형 등)의 미세패턴을 쉽게 제작할 수 있으며, 종전의 방법에 있어서의 문제점인 열에 의한 산화를 방지할 수 있고 초경강판재의 앞면과 뒷면의 구멍 크기를 동일하게 형성할 수 있게 되었다.

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