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11. 发明授权

KR100809322B1 이미지 센서 제조 방법 및 이에 따라 제조된 이미지 센서 失效
标题翻译：由此制造图像传感器和图像传感器的方法
公开(公告)号：KR100809322B1
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：KR1020060003604
申请日：2006-01-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송재호 , 박찬 , 박영훈 , 정상일 , 박거성 , 홍종욱 , 김은수 , 김푸라 , 이원정 , 성대철 , 박원제 , 박진형
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14689
摘要： 이미지 래그를 개선시킬 수 있는 이미지 센서 제조 방법 및 이에 따른 이미지 센서가 제공된다. 이미지 센서 제조 방법은 반도체 기판 상에 게이트 절연막 및 제 1 도전형 불순물이 도핑된 게이트 도전막을 형성하고, 게이트 절연막 및 게이트 도전막을 패터닝하여 트랜스퍼 게이트 패턴을 형성하고, 트랜스퍼 게이트 패턴 일측의 반도체 기판 내에 제 1 도전형 포토다이오드와 제 1 도전형 포토다이오드 표면에 제 2 도전형 포토다이오드를, 트랜스퍼 게이트 패턴 타측의 반도체 기판 내에 제 1 도전형 플로팅 확산 영역을 형성하여 트랜스퍼 게이트 전극을 완성하는 것을 포함한다.
이미지 래그, 트랜스퍼 게이트 전극, 농도

12. 发明授权

KR100761824B1 이미지 센서 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR100761824B1
公开(公告)日：2007-09-28
申请号：KR1020040090444
申请日：2004-11-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신종철 , 박찬
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/335
摘要： 포토다이오드를 구비하는 이미지 센서에서 트랜스퍼 트랜지스터의 채널 영역으로서 P
- 형의 제1 채널 영역과, 포토다이오드와는 격리되도록 상기 제1 채널 영역의 위에서 반도체 기판의 표면에 형성되어 있는 N
- 형의 제2 채널 영역을 구비하는 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 이미지 센서는 CMOS 이미지 센서 및 CCD 이미지 센서에 모두 적용될 수 있다. CMOS 이미지 센서에서는 제2 채널 영역이 플로팅 확산 영역에 연결되고, CCD 이미지 센서에서는 제2 채널 영역이 BCCD 영역에 연결된다. 트랜스퍼 게이트의 하부에서 반도체 기판 표면에 열적으로 생성되는 전자의 포토다이오드 쪽으로의 확산은 억제되고, 플로팅 확산 영역의 전위에 의하여 플로팅 확산 영역 쪽으로 쓸려가게 된다.
이미지 센서, CIS, CCD, 채널 영역, 댕글링 본드, 암전류, 노이즈

13. 发明公开

KR1020090085982A 오븐 有权
标题翻译：烤箱
公开(公告)号：KR1020090085982A
公开(公告)日：2009-08-10
申请号：KR1020080011962
申请日：2008-02-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김경호 , 황윤익 , 홍석원 , 현종학 , 김철진 , 하유즙 , 김민석 , 이길영 , 김은오 , 조진희 , 박찬
IPC分类号： F24C15/02 , F24C15/32 , F24C15/34
CPC分类号： F24C15/006 , F24C15/04
摘要： An oven is provided to perform the cooling and the insulation of a door at the same time by cooling the door using pressure difference of the upper and lower parts of the door and insulating a cavity using the door at the same time. An oven comprises an inner case(11), a door(20), a cooling fan(43), an exhaust duct, a plurality of flow paths(53,54,55), and a flow converting part(56). The inner case has a cavity(30). The door opens and closes the front side of the cavity. The cooling fan is installed at the top of the cavity and sucks outer air and blows the air. The exhaust duct discharges air which is blown with the cooling fan to the front of the door. The flow path is formed in the door. The outer air is flowed inside with the air discharged through the flow path with the exhaust duct and the air flows. The flow converting part stops the flowing of the air in one among a plurality of flow paths.
摘要翻译：提供一个烘箱以同时通过使用门的上部和下部的压差来冷却门并且同时使用门绝缘空腔来同时进行门的冷却和绝缘。烤箱包括内壳体（11），门（20），冷却风扇（43），排气管道，多个流路（53,54,55）和流转换部分（56）。内壳具有空腔（30）。门打开和关闭空腔的前侧。冷却风扇安装在空腔顶部，吸入外部空气并吹空气。排气管将与冷却风扇一起吹送的空气排放到门的前部。流路形成在门中。外部空气流过内部时，通过流路与排气管排出的空气流通。流动转换部分使多个流路中的空气流动停止。

14. 发明授权

KR100817076B1 와이어 본딩용으로 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어 및이를 이용한 반도체 패키지의 와이어 본딩 방법 失效
标题翻译：部分绝缘涂层金属线用于使用其的半导体封装的线接合和线接合方法
公开(公告)号：KR100817076B1
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：KR1020060118555
申请日：2006-11-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 오민호 , 박찬
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/48 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/05554 , H01L2224/32225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45565 , H01L2224/45686 , H01L2224/4569 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2924/01049 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要： A partially insulation-coated metal wire for wire bonding is provided to improve adhesion with a pad while maintaining an insulation characteristic by including a partially coated insulation layer for reducing a contact area with a pad to be bonded. A partially coated insulation layer(52) is formed on the surface of a metal wire(50) in a manner that a contact area of the surface of the metal wire and a bonded pad is reduced. The metal wire has a flat section, and a part of the surface of the metal wire bonded to a pad is not coated to improve adhesion with the pad while maintaining an insulation characteristic. The lower section of the surface of the metal wire bonded to the pads is not coated.
摘要翻译：提供用于引线接合的部分绝缘涂覆的金属线，以通过包括用于减少与要接合的焊盘的接触面积的部分涂覆的绝缘层来保持绝缘特性来改善与焊盘的粘合性。在金属线（50）的表面上以金属线表面和接合衬垫的接触面积减小的方式形成部分被覆绝缘层（52）。该金属线具有平坦的部分，并且在保持绝缘特性的同时，不涂覆粘合到焊盘的金属线的表面的一部分，以提高与焊盘的粘合性。接合到焊盘的金属线的表面的下部不被涂覆。

15. 发明授权

KR100757345B1 플립 칩 패키지 및 그의 제조 방법 有权
标题翻译： FLIP芯片包装及其制造方法
公开(公告)号：KR100757345B1
公开(公告)日：2007-09-10
申请号：KR1020060137916
申请日：2006-12-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박찬
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/02
CPC分类号： H01L21/563 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/06136 , H01L2224/13016 , H01L2224/13099 , H01L2224/16105 , H01L2224/73203 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81194 , H01L2224/81801 , H01L2924/01033 , H01L2924/014
摘要： A flip chip package and a manufacturing method thereof are provided to control short phenomenon between adjacent conductive bumps by arranging second pads of a substrate centering on first pads of a semiconductor chip in a zigzag form. A semiconductor chip(110) has first pads(112) arranged along a first direction. A substrate(120) is opposite to the semiconductor chip. The substrate has second pads arranged in a zigzag form by centering of the first pads. Conductive bumps(131,132) connect the first pads and the second pads one-on-one. The neighboring conductive bumps are extended to different directions one another. The second pads are arranged along a first direction. The first pads have a first pitch. The second pads have a second pitch that is two times greater than the first pitch. Each conductive bump includes a stud and a tail. The stud is contacted to the first pad. The tail is extended from the stud to be contacted to the second pad.
摘要翻译：提供一种倒装芯片封装及其制造方法，以通过以半字形形式设置以半导体芯片的第一焊盘为中心的基板的第二焊盘来控制相邻的导电凸块之间的短路现象。半导体芯片（110）具有沿着第一方向布置的第一焊盘（112）。衬底（120）与半导体芯片相对。基板具有通过第一焊盘的居中排列成Z字形的第二焊盘。导电凸块（131,132）一对一连接第一焊盘和第二焊盘。相邻的导电凸块彼此延伸到不同的方向。第二垫沿着第一方向布置。第一垫具有第一间距。第二垫具有比第一间距大两倍的第二间距。每个导电凸块包括螺柱和尾部。螺柱与第一个垫接触。尾部从螺柱延伸以与第二垫接触。

16. 发明公开

KR1020070075160A 이미지 센서 제조 방법 및 이에 따라 제조된 이미지 센서 失效
标题翻译：用于制作图像传感器和图像传感器的方法
公开(公告)号：KR1020070075160A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：KR1020060003604
申请日：2006-01-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송재호 , 박찬 , 박영훈 , 정상일 , 박거성 , 홍종욱 , 김은수 , 김푸라 , 이원정 , 성대철 , 박원제 , 박진형
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14689
摘要： A method for fabricating an image sensor is provided to reduce a potential barrier generated by an impurity density difference between regions in a transfer gate pattern by forming an image sensor after impurities of a first conductivity type are implanted into a transfer gate pattern. A gate insulation layer and a gate conductive layer doped with impurities of a first conductivity type are formed on a semiconductor substrate(102). The gate insulation layer and the gate conductive layer are patterned to form a transfer gate pattern. A photodiode of the first conductivity type is formed at one side of the transfer gate pattern and a photodiode of a second conductivity type is formed on the photodiode of the first conductivity type. A floating diffusion region of the first conductivity type is formed in the substrate at the other side of the transfer gate pattern to complete a transfer gate electrode. In forming a gate conductive layer, the impurities of the first conductivity type can be doped at a dosage that can invert the impurities in the photodiode of the second conductivity type.
摘要翻译：提供一种用于制造图像传感器的方法，用于通过在将第一导电类型的杂质注入传输栅极图案之后形成图像传感器来减小由传输栅极图案中的区域之间的杂质浓度差产生的势垒。在半导体衬底（102）上形成栅极绝缘层和掺杂有第一导电类型的杂质的栅极导电层。栅极绝缘层和栅极导电层被图案化以形成传输栅极图案。第一导电类型的光电二极管形成在传输栅极图案的一侧，并且在第一导电类型的光电二极管上形成第二导电类型的光电二极管。在传输栅极图案的另一侧的基板中形成第一导电类型的浮动扩散区域，以完成传输栅电极。在形成栅极导电层时，可以以能够反转第二导电类型的光电二极管中的杂质的剂量来掺杂第一导电类型的杂质。

17. 发明授权

KR100703987B1 이미지 센서의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 이미지 센서 有权
标题翻译：制造图像传感器和图像传感器的方法
公开(公告)号：KR100703987B1
公开(公告)日：2007-04-09
申请号：KR1020060044372
申请日：2006-05-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박원제 , 박찬 , 박영훈 , 송재호 , 홍종욱 , 박거성
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 마스크 수를 줄일 수 있는 이미지 센서의 제조 방법이 제공된다. 이미지 센서의 제조 방법은 수광 영역과 비수광 영역이 정의된 기판을 제공하고, 비수광 영역 상에 다수의 게이트를 형성하고, 수광 영역 내에 제1 도전형의 불순물을 이온 주입하여, PPD(Pinned Photo Diode) 제1 불순물 영역을 형성하고, 기판 전면에 다수의 게이트를 마스크로 이용하여 제1 도전형과 다른 제2 도전형의 불순물을 제1 이온 주입하고, 다수의 게이트의 양 측벽에 스페이서를 형성하고, 기판 전면에 스페이서가 형성된 다수의 게이트를 마스크로 이용하여 제2 도전형의 불순물을 제2 이온 주입하여, 수광 영역의 표면에 PPD 제2 불순물 영역을 완성하는 것을 포함한다.
이미지 센서, 마스크, PPD, P형 불순물 영역
摘要翻译：提供了一种能够减少掩模数量的图像传感器的制造方法。的图像传感器的制造方法是一个光接收区域，并且设置规定的基板上的非光接收区域，并且不形成多个所述光接收区栅极，和接收区域注入的在光的第一导电类型的杂质离子，PPD（铰接光并且使用多个栅极作为掩模来注入与第一导电类型不同的第二导电类型的第一杂质以在多个栅极的两个侧壁上形成间隔物，并且其包括第二导电型第二离子注入使用多个栅极隔离物的杂质，形成作为掩模，以完成基板的整个表面上的光接收区域的表面上的PPD第二杂质区。

18. 发明授权

KR100674917B1 ＣＭＯＳ 이미지 센서 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR100674917B1
公开(公告)日：2007-01-26
申请号：KR1020040089255
申请日：2004-11-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박찬 , 신종철
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/10
摘要： N형의 포토다이오드 위에 있는 HAD (hole accumulated device) 영역의 표면에 얕은 표면 확산 영역이 형성되어 있는 CMOS 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서는 반도체 기판에 그 표면으로부터 제1 깊이까지 형성되어 있는 제1 도전형의 포토다이오드와, 상기 포토다이오드의 위에서 상기 반도체 기판의 표면으로부터 상기 제1 깊이보다 얕은 제2 깊이까지 형성된 제1 도전형과 반대인 제2 도전형의 HAD 영역과, 상기 HAD 영역 위에서 상기 반도체 기판의 표면으로부터 상기 제2 깊이보다 얕은 제3 깊이까지 형성된 상기 제1 도전형의 표면 확산 영역을 포함한다.
CMOS 이미지 센서, 포토다이오드, HAD, 백점, 계면 결함

19. 发明授权

KR101281513B1 오븐 有权
标题翻译：烤箱
公开(公告)号：KR101281513B1
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：KR1020080011962
申请日：2008-02-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김경호 , 황윤익 , 홍석원 , 현종학 , 김철진 , 하유즙 , 김민석 , 이길영 , 김은오 , 조진희 , 박찬
IPC分类号： F24C15/02 , F24C15/32 , F24C15/34
CPC分类号： F24C15/006 , F24C15/04
摘要： 본 발명은 오븐에 관한 것으로, 본 발명의 목적은 도어에 형성된 유로의 공기 흐름을 조절하여 단열 및 냉각을 동시에 충족시킬 수 있는 도어를 구현하기 위한 것이다.
이를 위해 본 발명에 따른 오븐은 배출 덕트에 의해 토출되는 공기에 수반하여 외부 공기가 유입되어 공기가 유동하도록 도어에 마련되는 복수의 유로;와, 상기 복수의 유로 중 적어도 어느 하나에서의 공기의 흐름이 정체되도록 하는 상기 복수의 유로 중 적어도 어느 하나에 설치되는 유동 전환부;를 포함하여 구성되는 것이다.
이와 같은 구성을 통하여, 본 발명은 도어의 상하부 압력차를 이용하여 도어를 냉각시킴과 동시에 도어가 조리실을 단열시키므로 도어의 냉각과 단열이라는 상충되는 요건을 동시에 충족시킬 수 있는 효과가 있다.
摘要翻译：一种烤箱，其通过调节在门中形成的通道中的空气流量来满足门的隔热和冷却。烤箱包括设置在门中的多个通道，外部空气流入其中，伴随着由排放管排出的空气，使得空气在多个通道中流动，并且流动转换部分形成在以下中的至少一个多个通道用于使空气流动停滞。由于门将烹饪室隔热，并且使用门的上部和下部之间的压力差来冷却，所以烤箱同时满足诸如隔热和门的冷却的两个要求。

20. 发明公开

KR1020130014881A 홈이 형성된 기판을 포함하는 반도체 장치 无效
标题翻译：包含基底的半导体器件
公开(公告)号：KR1020130014881A
公开(公告)日：2013-02-12
申请号：KR1020110076600
申请日：2011-08-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박찬 , 박태성
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/3128 , H01L21/563 , H01L23/13 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/16 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/81192 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/1815 , H01L2924/014
摘要： PURPOSE: A semiconductor device including a substrate with a groove is provided to prevent the contamination of a ball land due to a molding member leakage by preventing a leaked molding member from flowing on the substrate using a groove. CONSTITUTION: A semiconductor chip(100) is located in an opening part of a substrate(300). The semiconductor chip is electrically connected to the substrate through a first external connection terminal(140). The substrate includes a first wiring layer(320), a second wiring layer(325), a first protection layer(330), and a second protection layer(335) formed on both sides of an insulation layer. The opening part passes through from a first side(301) to a second side(302) of the substrate. A first groove and a second groove are formed on the second surface of the substrate.
摘要翻译：目的：提供一种包括具有槽的基板的半导体装置，其通过防止漏出的模制部件使用凹槽在基板上流动而防止由于模制部件泄漏而导致的焊盘的污染。构成：半导体芯片（100）位于基板（300）的开口部分中。半导体芯片通过第一外部连接端子（140）与基板电连接。基板包括形成在绝缘层两侧的第一布线层（320），第二布线层（325），第一保护层（330）和第二保护层（335）。开口部分从衬底的第一侧（301）穿过第二侧（302）。第一槽和第二槽形成在基板的第二表面上。

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