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11. 发明授权

KR101615280B1 열처리 시스템, 열처리 방법 및, 프로그램이 기록된 컴퓨터 판독가능 기록매체 有权
标题翻译：热处理系统热处理方法和具有程序的计算机可读记录介质
公开(公告)号：KR101615280B1
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：KR1020130020185
申请日：2013-02-26
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다케나가유이치 , 구도다이스케
IPC分类号： H01L21/22
CPC分类号： F27D19/00 , C23C16/46 , F27B17/0025 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/67248
摘要： (과제) 피(被)처리체로의열처리를용이하게조정할수 있는열처리시스템, 열처리방법및, 프로그램을제공한다. (해결수단) 열처리장치(1)의제어부(50)는, 반도체웨이퍼(W)에 D-poly막을성막하고, 성막한 D-poly막이목표로하는열처리특성을충족하는지아닌지를판별한다. 제어부(50)는, 목표로하는열처리특성을충족하지않는다고판별하면, 성막한 D-poly막의열처리특성과, 반응관(2) 내의온도및 처리가스공급관(21∼23)의유량의변화와열처리특성의변화와의관계를나타내는모델에기초하여, 목표로하는열처리특성을충족하는바와같은반응관(2) 내의온도및 처리가스공급관(21∼23)의유량을산출한다. 제어부(50)는, 산출한온도및 유량으로변경한열처리조건으로반도체웨이퍼(W)에 D-poly막을성막하여, 목표로하는열처리특성을충족하는열처리로조정한다.

12. 发明公开

KR1020130110013A 열처리 시스템, 열처리 방법 및, 프로그램이 기록된 컴퓨터 판독가능 기록매체 有权
标题翻译：热处理系统，热处理方法和具有程序的计算机可读记录介质
公开(公告)号：KR1020130110013A
公开(公告)日：2013-10-08
申请号：KR1020130020185
申请日：2013-02-26
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다케나가유이치 , 구도다이스케
IPC分类号： H01L21/22
CPC分类号： F27D19/00 , C23C16/46 , F27B17/0025 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/67248
摘要： PURPOSE: A heat treatment system, a heat treatment method, and a computer readable recording medium with a program satisfy target heat treatment characteristics by forming a D-poly film on a semiconductor wafer according to heat treatment conditions including calculated temperature and calculated flow rates. CONSTITUTION: A heating means (10) heats inside a processing chamber accommodating multiple objects (W). Multiple process gas supply units (21-23) supply process gas into the processing chamber. A heat treatment condition storage means stores heat treatment conditions according to processing details. Heat treatment units (16-18) thermally treat the object according to the heat treatment conditions stored in the heat treatment condition storage unit. An adjusting unit (50) satisfies target heat treatment characteristics by thermally treating the object according to the changed heat treatment conditions. [Reference numerals] (50) Control unit
摘要翻译：目的：根据包括计算出的温度和计算流量的热处理条件，通过在半导体晶片上形成D多晶膜来实现程序满足目标热处理特性的热处理系统，热处理方法和计算机可读记录介质。构成：加热装置（10）在容纳多个物体（W）的处理室内加热。多个工艺气体供应单元（21-23）将处理气体供应到处理室中。热处理条件存储装置根据处理细节存储热处理条件。热处理单元（16-18）根据存储在热处理条件存储单元中的热处理条件对物体进行热处理。调整单元（50）通过根据改变的热处理条件对物体进行热处理来满足目标热处理特性。（附图标记）（50）控制单元

13. 发明公开

KR1020040019386A 열처리방법 및 열처리장치 有权
标题翻译： 열처리방법및열처리장치
公开(公告)号：KR1020040019386A
公开(公告)日：2004-03-05
申请号：KR1020047001794
申请日：2002-08-05
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 사카모토고이치 , 다케나가유이치 , 요코타다카시 , 가와무라가즈히로
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67253 , F27D19/00 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , Y10T29/41
摘要： 열처리방법은, 피처리체 유지구에 있어서의 최대처리가능수 보다 적은 수량의 피처리체에 대해서 열처리를 하는 경우에, 피처리체 유지구에 있어서의 최대처리가능수보다 적은 기준수량이 최대치로서 설정된 1 또는 2이상의 피처리체 수량범위에 의해, 처리해야 할 피처리체의 수량이 속하는 피처리체 수량범위가 추정된다. 이 지정된 피처리체 수량범위에 대응하여 설정된 얹어놓기 패턴에 따라서 피처리체가 놓여진다. 해당 얹어놓기 패턴에 따라 이미 설정된 처리조건에 따라 열처리가 행해진다. 열처리장치는 상기의 열처리방법을 실행하기 위한 제어장치를 구비하여 이루어진다.
摘要翻译：热处理方法从多个批处理尺寸范围中选择包括要处理的工件数量的批量尺寸范围，该批量尺寸范围包括批量尺寸范围，在该批量尺寸范围中小于工件夹具的保持容量的参考标号为最大值。根据对应于指定批量范围确定的工件分配模式，将工件分布在工件夹具中。热过程的加工条件根据工件分布模式确定。热处理设备包括能够执行热处理方法的控制器。

14. 发明公开

KR1020160103528A 열처리 시스템, 열처리 방법 및 프로그램 审中-实审
标题翻译：热处理系统，热处理方法和程序
公开(公告)号：KR1020160103528A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：KR1020160020712
申请日：2016-02-22
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다케나가유이치 , 오타히로이치 , 세키사와신고
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/16
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/45578 , C23C16/4583 , C23C16/46 , G05B15/02 , H01L21/67109
摘要： 본발명은피처리체의면내형상을제어할수 있는열처리시스템, 열처리방법및 프로그램을제공하는것을과제로한다. 열처리장치(1)는, 복수매의반도체웨이퍼(W)를수용하는반응관(2) 내를가열하는히터부(10)와, 열처리내용에따른열처리조건을기억하는열처리조건기억수단과, 반응관(2) 내의온도의변화와, 열처리결과의변화의관계를나타내는열처리변화모델을기억하는열처리변화모델기억수단과, 열처리조건에서의열처리결과를실행하는열처리실행수단과, 실행된열처리결과를수신하는열처리결과수신수단과, 목표로하는열처리결과와, 목표로하는열처리결과의형상에관한정보에기초하여, 반도체웨이퍼(W)의면내형상에관한목표로하는열처리결과를산출하고, 산출한면내형상에관한목표로하는열처리결과와, 열처리변화모델에기초하여, 목표로하는열처리결과가되는최적온도를산출하는최적온도산출수단을구비한다.
摘要翻译：本发明涉及热处理系统，热处理方法和控制处理对象的平面形状的程序。热处理系统（1）包括：加热单元（10），其加热容纳多个半导体晶片（W）的反应管（2）的内部; 热处理条件存储装置，其存储根据热处理的热处理条件; 存储表示反应管（2）内的相对温度变化的热处理变化模型和热处理结果的变化的热处理变化模型存储单元; 在热处理条件下进行热处理的热处理执行装置; 接收所执行的热处理结果的热处理结果接收装置; 以及根据目标热处理结果的形状来计算关于半导体晶片（W）的面内形状的目标热处理结果的最佳温度计算单元，并计算关于所计算的热处理结果的目标热处理结果平面形状和最佳温度，这是热处理变化模型的基础上的目标热处理结果。

15. 发明授权

KR101565896B1 연속 처리 시스템, 연속 처리 방법 및, 프로그램이 기록된 컴퓨터 판독가능 기록매체 有权
标题翻译：连续处理系统连续处理方法和具有程序的计算机可读记录介质
公开(公告)号：KR101565896B1
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：KR1020130020286
申请日：2013-02-26
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다케나가유이치 , 도조유키오
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/66 , H01L21/02
CPC分类号： H01L22/12 , C23C16/24 , C23C16/52 , H01L21/02104 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： (과제) 피(被)처리체로의연속처리를용이하게조정할수 있는연속처리시스템, 연속처리방법및, 프로그램을제공한다. (해결수단) 열처리장치(1)의제어부(50)는, 입력된 D-poly막및 a-Si막의목표막두께로부터, 각층의가중치를산출하고, 산출한가중치와활성화에너지에기초하여적층막의활성화에너지를산출한다. 다음으로, 제어부(50)는, 산출한활성화에너지와 D-poly막및 a-Si막의막두께에있어서의각 ZONE의온도와의관계에기초하여적층막의모델을작성하고, 작성한적층막의모델을이용하여 ZONE마다의최적온도를산출한다. 그리고, 제어부(50)는, 히터(11∼15)의전력컨트롤러(16∼20)를제어하여, 반응관(2) 내의온도가산출된각 존의온도로설정함과함께, 압력조정부(5), 유량조정부(24∼26) 등을제어하여, 반도체웨이퍼(W)에적층막을형성한다.

16. 发明公开

KR1020150107659A 제어 장치, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템 审中-实审
标题翻译：控制装置，基板处理装置和基板处理系统
公开(公告)号：KR1020150107659A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：KR1020150034439
申请日：2015-03-12
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다케나가유이치 , 사이토다카노리
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/66
CPC分类号： G05B19/41865 , G05B2219/45032 , H01L21/67253 , Y02P90/04 , Y02P90/20 , H01L21/67757 , H01L22/34
摘要： 본 발명은, 모니터 웨이퍼의 투입 빈도를 최적화할 수 있는 제어 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
적어도 모니터 기판을 배치할 수 있는 기판 처리 장치의 작동을 제어하는 제어 장치로서, 상기 제어 장치는, 상기 기판 처리 장치에 의해 처리된 상기 모니터 기판의 처리 결과와 예측 결과 사이의 편차에 기초하여, 상기 모니터 기판의 투입 빈도를 최적화하도록 상기 기판 처리 장치의 작동을 제어하는 제어 장치.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种优化放置监视晶片的频率的控制装置。控制装置控制至少配置有监视器基板的基板处理装置。控制装置基于预测结果与由基板处理装置处理的监视基板的处理结果之间的差异来控制基板处理装置来优化放置监视器基板的频率。

17. 发明授权

KR100857302B1 처리 장치 有权
标题翻译：治疗装置
公开(公告)号：KR100857302B1
公开(公告)日：2008-09-05
申请号：KR1020047002697
申请日：2002-08-28
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 오바라아사미 , 다케나가유이치
IPC分类号： G05B13/02
CPC分类号： H01L21/67276 , C23C16/52 , G05B19/4099 , G05B2219/32182 , G05B2219/45031 , H01L21/67253 , H01L22/20 , Y02P90/22
摘要： Plural processing apparatuses 3 such as CVD apparatuses 31 and diffusion apparatuses 33, measuring apparatuses 5, and a control computer 7 for management are connected through a LAN 9. Each processing apparatuses 3 stores control data for performing a treatment. The control computer 7 also stores the control data for the processing apparatuses 3. The control computer 7 makes each processing apparatus perform a treatment for calibration. The control computer 7 receives a result of the treatment performed by the processing apparatus 3 to be calibrated, and calibrates the control data stored in the control computer 7 based on the treatment result. The control computer sends the calibrated control data to the processing apparatus 3 after completion of the calibration procedure. The processing apparatus 3 stores the calibrated control data, which is used for subsequently performed treatment.

18. 发明授权

KR102234404B1 기판 처리 시스템, 제어 장치, 성막 방법 및 프로그램 有权
公开(公告)号：KR102234404B1
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020180033813
申请日：2018-03-23
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다케나가유이치 , 가사이다카히토
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/44
摘要： 본발명은외란의영향을제거하여성막처리를행하는것이가능한기판처리시스템을제공하는것을과제로한다. 일실시형태의기판처리시스템은, 처리용기내에수용된복수의기판에대하여, 상기복수의기판중 적어도하나의기판에성막된막의특성에기초하여산출되는성막조건을이용하여, 상기복수의기판에성막처리를행하는것이가능한기판처리시스템으로서, 상기기판의표면상태가상기하나의기판에성막되는막의특성에미치는영향을나타내는표면상태정보및 상기기판의상기처리용기내에서의배치상태가상기하나의기판에성막되는막의특성에미치는영향을나타내는배치상태정보를기억하는기억부와, 상기기억부에기억된상기표면상태정보및 상기배치상태정보에기초하여, 상기복수의기판이상기하나의기판의막의특성에미치는영향을나타내는정보를산출하는산출부와, 상기산출부가산출한상기정보에기초하여, 상기하나의기판에성막되는막의특성을보정하는보정부를갖는다.

19. 发明授权

KR101998921B1 열처리 시스템, 열처리 방법 및 프로그램 有权
公开(公告)号：KR101998921B1
公开(公告)日：2019-07-10
申请号：KR1020160020712
申请日：2016-02-22
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다케나가유이치 , 오타히로이치 , 세키사와신고
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/16

20. 发明授权

KR101868669B1 제어 장치, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템 有权
公开(公告)号：KR101868669B1
公开(公告)日：2018-06-18
申请号：KR1020150034439
申请日：2015-03-12
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다케나가유이치 , 사이토다카노리
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/66
CPC分类号： G05B19/41865 , G05B2219/45032 , H01L21/67253 , Y02P90/04 , Y02P90/20
摘要： 본발명은, 모니터웨이퍼의투입빈도를최적화할수 있는제어장치를제공하는것을목적으로한다. 적어도모니터기판을배치할수 있는기판처리장치의작동을제어하는제어장치로서, 상기제어장치는, 상기기판처리장치에의해처리된상기모니터기판의처리결과와예측결과사이의편차에기초하여, 상기모니터기판의투입빈도를최적화하도록상기기판처리장치의작동을제어하는제어장치.

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