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11. 发明授权

KR101294879B1 막 결합형 호기성 메탄산화 탈질방법 및 탈질장치 有权
标题翻译：使用甲烷在膜耦合过程中的甲烷氧化进行脱气的方法和使用该方法的系统
公开(公告)号：KR101294879B1
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：KR1020120016508
申请日：2012-02-17
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 이재우 , 최오경 , 이관형
IPC分类号： C02F3/02 , C02F3/12 , C02F9/00 , C02F1/44 , C02F101/16
CPC分类号： Y02W10/15 , C02F3/02 , C02F1/44 , C02F3/12 , C02F9/00 , C02F2101/163
摘要： PURPOSE: A membrane coupled type aerobic methanoic acid denitration method and a denitration apparatus are provided to improve an underwater transfer efficiency of methane, and to reduce a loss of microorganism in a reaction tub, and a membrane blockage phenomenon. CONSTITUTION: A membrane coupled type aerobic methanoic acid denitration method comprises the steps of: inflowing processing water to an aerobic reaction tub (20); adjusting methane gas and oxygen gas to a fixed flowing amount respectively; inflowing the gas into the reaction tub in a form of micro bubble through a micro porous membrane module (30) positioned in the reaction tub; removing nitrate nitrogen in the processing water by microorganism in an aerobic state; precipitating the microorganism for 15-60 minutes; filtering the supernatant of the processing water through the micro porous membrane module and discharge it. [Reference numerals] (AA) Inflow (Treated waste water); (BB) Discharge
摘要翻译：目的：提供膜耦合型需氧甲酸脱硝方法和脱硝装置，以改善甲烷的水下转移效率，减少反应桶中微生物的损失和膜堵塞现象。构成：膜耦合型有氧甲酸脱硝方法包括以下步骤：将加工水流入需氧反应槽（20）; 分别将甲烷气和氧气分别调至固定流量; 通过位于反应桶中的微孔膜组件（30）将气体以微气泡的形式流入反应槽; 在有氧状态下通过微生物除去加工水中的硝酸盐氮; 使微生物沉淀15-60分钟; 通过微孔膜组件过滤处理水的上清液并将其排出。（附图标记）（AA）流入（处理废水）; （BB）放电

12. 发明授权

KR100912366B1 광학현미경을 이용한 포토리소그래피 시스템 失效
标题翻译：使用光学显微镜的光刻系统
公开(公告)号：KR100912366B1
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：KR1020080002104
申请日：2008-01-08
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김규태 , 박응석 , 장도영 , 이재우
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70383
摘要： 본 발명은 광학현미경을 이용한 포토리소그래피 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 대량생산을 목적으로 하지 않는 단위 사이즈의 실리콘 기판을 이용하는 소규모 연구 활동에서 저렴한 비용으로 고가의 포토마스크의 사용없이 다양한 종류의 선택적인 패턴을 형성할 수 있는 광학현미경을 이용한 포토리소그래피 시스템에 관한 것이다.

광학현미경, 스테이지, 광원, 감광제
摘要翻译：提供了一种使用光学显微镜的光刻系统，其可以在不需要昂贵的光掩模的情况下以小规模研究形成各种类型的选择性图案，其使用不是大规模生产的单位尺寸硅衬底。

13. 发明授权

KR100877690B1 나노 와이어 배열 소자 제조방법 失效
标题翻译：纳米线阵列器件的制造方法
公开(公告)号：KR100877690B1
公开(公告)日：2009-01-08
申请号：KR1020070061440
申请日：2007-06-22
申请人： 한국전자통신연구원 , 고려대학교 산학협력단
发明人： 이홍열 , 문승언 , 김은경 , 박종혁 , 박강호 , 김종대 , 김규태 , 이재우 , 유혜연 , 허정환
IPC分类号： H01L29/78 , B82Y10/00
摘要： 본 발명은 나노 와이어 배열소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 나노와이어 배열소자 제조방법은, (a)기판 상에 나노 와이어가 포함된 나노 와이어 용액을 도포하는 단계; (b)상기 기판 상에 형성된 나노 와이어를 스트라이프 형태로 패터닝하고 기판을 노출시켜 상기 스트라이프 형태의 제 1 식각 영역을 형성하는 단계; (c)상기 패터닝된 나노 와이어를 사이에 두고 드레인 전극선과 소스 전극선을 평행하게 형성하는 단계; (d)일단은 상기 드레인 전극선에 연결되며 적어도 하나의 나노 와이어와 접촉하는 복수의 드레인 전극 및 일단은 상기 소스 전극선에 연결되며 상기 드레인 전극과 접촉하는 나노 와이어에 접촉하는 복수의 소스 전극을 형성하는 단계; (e)한 쌍의 상기 드레인 전극 및 소스 전극 쌍들이 전기적으로 접촉되지 않도록 상기 드레인 전극 및 소스 전극 쌍 사이에 제 2 식각 영역을 형성하는 단계; (f)상기 기판상에 절연층을 형성하는 단계; 및 (g)상기 절연층 상에 상기 나노 와이어와 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면 나노 와이어를 전극선과 평행하게 정렬하지 못하더라도 대규모 나노와이어 배열 소자를 구현할 수 있으므로, 정렬시키기 힘든 나노 와이어를 이용한 집적소자 및 디스플레이에도 본 발명을 적용할 수 있다. 나아가 플렉서블(flexible) 기판을 응용한 소자 분야에도 본 발명을 적용할 수 있다.
나노 와이어, 트랜지스터 어레이, 선택적 식각, 선태적 패터닝

14. 发明授权

KR102064089B1 담수화 장치 및 그 방법 有权
公开(公告)号：KR102064089B1
公开(公告)日：2020-01-08
申请号：KR1020180120829
申请日：2018-10-11
申请人： 고려대학교 산학협력단 , 리서치 트라이앵글 인스티튜트
发明人： 이재우 , 최영철 , 최오경 , 김규동 , 동단단 , 서준호
IPC分类号： C02F1/26 , C02F1/22 , C02F1/02 , C02F103/08

15. 发明公开

KR1020180123211A 플라빈-의존형 할로게나아제 및 이를 이용한 할로겐화 인돌 화합물의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR1020180123211A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：KR1020180135168
申请日：2018-11-06
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 박제원 , 김별 , 이재우 , 임주현
IPC分类号： C12N9/02 , C12N15/63 , C12P13/02 , C12P17/10 , A23L33/10 , C07C235/34 , C07D209/14
摘要： 본발명은마이크로모노스포라로도랑지아() 방선균유래의재조합플라빈-의존형할로기나아제(MrFDH)를이용하여할로겐화인돌화합물의제조에관한것으로, 더욱자세하게는멜라토닌수용체에대하여길항(antagonist) 활성을가지는신규한할로겐화인돌화합물의효소적제조에관한것이다. 본발명에따른재조합플라빈-의존형할로게나아제(MrFDH)를이용하여효소적생전환된할로겐화인돌유도체화합물은멜라토닌수용체에대한결합력향상및 포도막흑색종에대한항종양활성을나타내므로, 수면장애및 불면증관련질환또는포도막흑색종과같은희귀성안암치료용의약조성물로매우유용하다.

16. 发明公开

KR1020170025114A 디암모늄포스페이트를 포함하는 비료용 조성물의 제조장치 및 디암모늄포스페이트를 포함하는 비료용 조성물의 제조방법 无效
标题翻译：包含磷酸二氢铵的肥料组合物的制造装置及包含磷酸氢钙的肥料组合物的制造方法
公开(公告)号：KR1020170025114A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150121067
申请日：2015-08-27
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 이재우 , 최오경 , 이관형 , 슈크라
IPC分类号： C05F7/00 , C05B7/00
CPC分类号： Y02A40/213
摘要： 본발명은디암모늄포스페이트(DAP, diammonium phosphate)를포함하는비료용조성물의제조장치및 디암모늄포스페이트를포함하는비료용조성물의제조방법에관한것이다. 본발명의제조장치및 제조방법에따라고농도의암모니아성질소가포함된폐수로부터고품질고상비료및 토양개량제등의다양한용도로사용가능한디암모늄포스페이트를회수할수 있으며, 고상의형태로디암모늄포스페이트를회수함에따라기존의건조방법을경제적으로대체하는효과도갖는다.

17. 发明授权

KR101188171B1 유도가열을 이용한 반도체 - 금속 접점의 선택적 열처리 방법과 장치 有权
标题翻译：用于金属 - 半导体接触选择性退火的感应加热方法和装置
公开(公告)号：KR101188171B1
公开(公告)日：2012-10-05
申请号：KR1020100055364
申请日：2010-06-11
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김규태 , 하정숙 , 이성민 , 이재우
IPC分类号： H01L21/324
摘要： 유도가열을 이용한 반도체 - 금속 접점의 선택적 열처리 방법과 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 열처리 방법은, 반도체 - 금속 접점을 가지는 반도체 소자에 유도가열 에너지를 가하여 상기 반도체 - 금속 접점을 선택적으로 가열시킴으로써 접촉 저항을 감소시키는 것이다. 본 발명에 따른 열처리 장치는, 유도가열에 의하여 반도체 - 금속 접점을 가지는 반도체 소자를 열처리하는 공정부를 포함하는 열처리 장치로서, 상기 공정부는, 상기 반도체 소자를 지지하는 지지부, 고주파 전원, 및 상기 반도체 소자의 반도체 - 금속 접점을 선택적으로 유도가열시킬 수 있도록 상기 고주파 전원에 연결된 코일을 포함한다. 본 발명에 따르면, 문턱전압 변화 등의 채널 영역의 특성 변화없이 반도체 - 금속 접점의 접촉 특성만 개선할 수 있고, 종래에 사용되던 진공 챔버 가열 방식에 비해 시간과 비용을 줄일 수 있으며 진공 시스템이 필요 없으므로 장치의 유지, 보수가 간단하다.

18. 发明公开

KR1020080052250A 나노 와이어 배열 소자 제조방법 失效
标题翻译：纳米线阵列的制造方法
公开(公告)号：KR1020080052250A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020070061440
申请日：2007-06-22
申请人： 한국전자통신연구원 , 고려대학교 산학협력단
发明人： 이홍열 , 문승언 , 김은경 , 박종혁 , 박강호 , 김종대 , 김규태 , 이재우 , 유혜연 , 허정환
IPC分类号： H01L29/78 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L29/0669 , B82Y10/00 , H01L21/02603
摘要： A method for fabricating a nano wire array device is provided to embody a large-scale nano wire array device even when a nano wire is not parallel with an electrode line by selectively etching a nano wore on a substrate and by patterning an electrode line in a manner that the electrode becomes vertical to the electrode line to improve a probability that the electrode is connected to the nano wire. A nano wire solution including a nano wire(50) is deposited on a substrate. A first etch region of a stripe type is formed on the substrate to pattern the nano wire. A drain electrode line(100) and a source electrode line(200) are formed at both sides of the patterned nano wire, parallel with each other. One end of a plurality of drain electrodes(110) is connected to the drain electrode line wherein the drain electrode comes in contact with at least one nano wire. One end of a plurality of source electrodes(210) is connected to the source electrode line wherein the source electrode comes in contact with the nano wire in contact with the drain electrode. A second etch region is formed between the pair of drain electrodes and source electrodes so that the pair of drain electrodes and source electrodes don't contact each other electrically. An insulation layer(800) is formed on the substrate. A gate electrode(300) is formed on the insulation layer, disposed between the source and drain electrodes in contact with the nano wire.
摘要翻译：提供一种制造纳米线阵列器件的方法，即使当纳米线不与电极线并联时，通过选择性地蚀刻衬底上的纳米穿孔并且通过将电极线图案化，以体现大规模纳米线阵列器件电极变得垂直于电极线的方式，以提高电极连接到纳米线的可能性。包括纳米线（50）的纳米线溶液沉积在基底上。在衬底上形成条纹型的第一蚀刻区域以对纳米线进行图案化。在图案化的纳米线的两侧，彼此平行地形成漏电极线（100）和源电极线（200）。多个漏电极（110）的一端连接到漏极电极线，其中漏电极与至少一个纳米线接触。多个源极（210）的一端与源电极线连接，源极与漏极接触的纳米线接触。在一对漏电极和源电极之间形成第二蚀刻区域，使得该对漏电极和源极电极不彼此接触。在基板上形成绝缘层（800）。栅电极（300）形成在绝缘层上，设置在与纳米线接触的源极和漏极之间。

19. 发明授权

KR102218157B1 암모늄포스페이트류를 포함하는 조성물 제조장치 및 이를 이용한 암모늄포스페이트류를 포함하는 조성물 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102218157B1
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：KR1020190075446
申请日：2019-06-25
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 이재우 , 최오경
IPC分类号： C05F17/90 , C05B9/00 , C05F7/00
摘要： 기상의암모니아가스를유입받는암모니아가스유입구, 상기유입된암모니아가스를흡수반응하는인산수용액을유입받는인산용액유입구, 상기암모니아가스와상기인산이반응하여암모늄포스페이트용액을생성하는흡수바디, 및상기생성된암모늄포스페이트용액을유출하는암모늄포스페이트용액배출구를가지는암모니아가스흡수조, 및상기암모늄포스페이트용액배출구로부터암모늄포스페이트용액을유입받는암모늄포스페이트용액유입구, 및상기암모늄포스페이트용액을결정화하여고상의암모늄포스페이트를생성하는결정화바디를가지는암모늄포스페이트결정화조를포함하되, 상기흡수바디는, 상기암모니아가스와상기인산이반응하여암모늄포스페이트용액을생성하도록 pH 1.3 내지 1.7으로제어되는, 암모늄포스페이트류를포함하는조성물제조장치가제공된다.

20. 发明公开

KR1020120068176A 기울기 센서 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：倾斜传感器的倾斜传感器和制造方法
公开(公告)号：KR1020120068176A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：KR1020100129671
申请日：2010-12-17
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김규태 , 이재우 , 주민규
IPC分类号： G01C9/02 , B82B3/00
CPC分类号： G01C9/02 , B82B3/00 , G01R19/0084 , H01L29/0669
摘要： PURPOSE: A tilt sensor and a manufacturing method thereof are provided to reduce toxic material generation and manufacturing costs because an additional semiconductor process is not existed. CONSTITUTION: A tilt sensor comprises substrates(110) facing each other, nano wires(120), a current applying terminal(130), and a voltage measuring terminal(140). The nano wires are respectively formed in each substrate, thereby contacting to each other and comprising a piezoelectric characteristic. The current applying terminal applies a current between the substrates. The voltage measuring terminal is arranged in a different position on the substrate and measures a voltage between the substrates.
摘要翻译：目的：提供倾斜传感器及其制造方法，以减少有毒物质产生和制造成本，因为不存在附加的半导体工艺。构成：倾斜传感器包括彼此面对的基板（110），纳米线（120），电流施加端子（130）和电压测量端子（140）。纳米线分别形成在每个基板中，从而彼此接触并包括压电特性。电流施加端子在基板之间施加电流。电压测量端子布置在基板上的不同位置，并测量基板之间的电压。

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