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    • 16. 发明公开
    • 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
    • 用于蚀刻的组合物和使用其的半导体装置的制造方法
    • KR1020170066180A
    • 2017-06-14
    • KR1020150178774
    • 2015-12-15
    • 솔브레인 주식회사
    • 임정훈이진욱박재완
    • C09K13/04C09K13/06H01L21/306
    • 본발명은식각용조성물및 이식각용조성물을이용한식각공정을포함하는반도체소자의제조방법에관한것으로서, 상기식각용조성물은제 1 무기산, 아인산(phosphorous acid)을포함하는제 1 첨가제, 하기화학식 300으로표시되는알콕시실란화합물을포함하는제 2 첨가제, 그리고용매를포함한다. [화학식 300]상기식각용조성물은산화막의식각율을최소화하면서질화막을선택적으로제거할수 있으며, 소자특성에악영향을미치는파티클발생등의문제점을갖지않는고선택비의식각용조성물이다.
    • 本发明涉及一种制造半导体器件的方法,所述半导体器件包括使用蚀刻组合物和用于注入的组合物的蚀刻工艺,所述蚀刻组合物包含第一无机酸,包含亚磷酸的第一添加剂, 包含由通式(I)表示的烷氧基硅烷化合物和溶剂的第二添加剂。 用于蚀刻的组合物是高选择性蚀刻组合物,其可以选择性地去除氮化物膜,同时最小化氧化物膜的蚀刻速率,并且不会引起诸如产生对装置特性有不利影响的颗粒的问题。
    • 18. 发明公开
    • 전해질 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지
    • 含有它的电解质和锂二次电池
    • KR1020170060892A
    • 2017-06-02
    • KR1020150165633
    • 2015-11-25
    • 솔브레인 주식회사
    • 이종현임형규김재윤임광일
    • H01M10/0564H01M10/0567H01M10/0569H01M10/052
    • 본발명은전해질및 이를포함하는리튬이차전지에관한것으로, 상기전해질은환형카보네이트계용매및 LiPF를포함하는제 1 전해질시스템, 그리고사슬형카보네이트계용매, 디플루오로인산염(difluoro phosphate), 메틸렌메탄디술포네이트(Methylene Methanedisulfate) 및 1,3,6-헥산트리카보니트릴(1,3,6-Hexanetricarbonitrile)을포함하는제 2 전해질시스템을포함한다. 상기전해질은양극 LSV(linear sweep voltametry) 값이향상되면서도, 상용전해질대비양극표면에서의접촉각(contact angle) 및리튬이온전이수(Litransference number)가저하되지않는다.
    • 本发明是一种电解液和是否锂二次电池,其是相同的,其中所述电解质是在第一电解质系统中的磷酸盐,和基于碳酸酯链溶剂,含有二氟环状碳酸酯类溶剂和的LiPF(二氟磷酸盐),亚甲基甲烷 包含亚甲基二硫酸酯和1,3,6-己三腈的第二电解质体系。 电解质不降低阳极LSV(线性扫描伏安法)值而得到改善,与市售电解质eseoui阳极表面(接触角)的接触角,和锂是整数(Litransference数)。