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171. 发明公开

KR1020150116979A 고열전도성 상압소결 탄화규소 소재 제조용 조성물, 탄화규소 소재 및 소재의 제조방법 有权
标题翻译：具有高导热性的无烧结碳化硅陶瓷，其组合物及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150116979A
公开(公告)日：2015-10-19
申请号：KR1020140041930
申请日：2014-04-08
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 김영욱 , 엄정혜 , 서유광 , 이경민
IPC分类号： C04B35/576 , C04B35/64 , C04B35/565
CPC分类号： C04B35/565 , C04B35/62695 , C04B35/64 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/442 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/668 , C04B2235/77
摘要： 본발명은고열전도성상압소결탄화규소소재제조용조성물, 탄화규소소재및 소재의제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는탄화규소와, 소결첨가제로서 AlO, YO를포함하되, 이에더하여 CaO, MgO, SrO, BaO, 열처리에의해 CaO를산출하는물질, 열처리에의해 MgO를산출하는물질, 열처리에의해 SrO를산출하는물질, 열처리에의해 BaO를산출하는물질중에서선택되는적어도 2종의소결첨가제가더 첨가되는것을특징으로하는탄화규소소재제조용조성물과, 이를이용하여제조되어소결밀도가높고열전도도가우수한탄화규소소재및 소결온도가 1650 ~ 1750℃로매우낮고, 상압소결법을사용하여공정이간이한탄화규소소재의제조방법을제공한다. 이상과같은본 발명에따르면, 본발명은소결첨가제로서 AlO, YO를포함하되, 이에더하여 CaO, MgO, SrO, BaO, 열처리에의해 CaO를산출하는물질, 열처리에의해 MgO를산출하는물질, 열처리에의해 SrO를산출하는물질, 열처리에의해 BaO를산출하는물질중에서선택되는적어도 2종의소결첨가제를사용함으로써, 고가의나노크기탄화규소입자대신서브마이크론(submicron) 크기의베타상또는알파상탄화규소분말만을사용함에도불구하고, 소결첨가제가탄화규소표면의 SiO와반응하여오성분계이상의다성분계공융액상을형성하므로 1750℃이하의낮은온도에서상압소결공정만으로탄화규소의치밀화가가능한작용효과가기대된다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造具有高导热性的无压烧结碳化硅材料，碳化硅材料和用于生产材料的方法的组合物，更具体地说，涉及用于制造碳化硅材料的组合物，其特征在于通过包括碳化硅和Al_2O_3和Y_2O_3作为烧结添加剂，并且添加至少两种选自CaO，MgO，SrO，BaO的烧结添加剂，通过热处理诱导CaO的材料，通过热处理诱导MgO的材料，通过热处理引起SrO的材料和通过热处理诱导BaO的材料通过使用它们制造具有高烧结密度和优异导热性的碳化硅材料，以及制造具有简单工艺的碳化硅的方法通过使用无压烧结法，烧结温度低于1650-1750℃。

172. 发明授权

KR101559746B1 ＳＲＡＭ용 워드라인 전압 조절기 有权
标题翻译：用于SRAM的WORDLINE电压调节器
公开(公告)号：KR101559746B1
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：KR1020140048141
申请日：2014-04-22
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 신창환
IPC分类号： G11C11/413 , G11C11/419
摘要： 풀다운(pull-down) 트랜지스터및 풀업(pull-up) 트랜지스터를포함하는 SRAM 셀에인가되는워드라인전압을생성하는워드라인전압조절기가제공된다. 리드상태전압생성부는풀다운트랜지스터와동일한설계상의파라미터를갖는제1 트랜지스터및 상기제1 트랜지스터에직렬로연결된제2 트랜지스터를포함하고, 상기워드라인전압에따라전압을분배하여리드상태전압을출력한다. 라이트상태전압생성부는상기풀업트랜지스터와동일한설계상의파라미터를갖는제3 트랜지스터및 상기제3 트랜지스터에직렬로연결된제4 트랜지스터를포함하고, 상기워드라인전압에따라전압을분배하여라이트상태전압을출력한다. 차동증폭기는상기리드상태전압및 상기라이트상태전압의차이를증폭하여상기워드라인전압으로출력한다.
摘要翻译：本发明涉及一种字线电压调节器，其产生要施加到包括上拉晶体管和下拉晶体管的静态随机存取存储器（SRAM）单元的字线电压。读取状态电压产生单元包括具有与下拉晶体管相同的参数的第一晶体管和连接到串联连接到第一晶体管的第一晶体管的第二晶体管。读取状态电压生成单元还根据字线电压分配电压，以输出读取状态电压。写状态电压生成单元包括具有与上拉晶体管相同的设计参数的第三晶体管和与第三晶体管串联连接的第四晶体管。写状态电压产生单元根据字线电压分配电压以输出写状态电压。差分放大器放大读取状态电压和写入状态电压之间的差值，以将放大的差值作为字线电压输出。

173. 发明授权

KR101549166B1 Ｃｕ-Ｗ 도금액 및 이를 이용한 ＴＳＶ의 충전 및 돌출 억제방법 有权
标题翻译： - Cu-W电镀溶液和使用Cu-W电镀溶液填充和抑制通硅硅胶挤出的方法
公开(公告)号：KR101549166B1
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：KR1020130167259
申请日：2013-12-30
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 정재필 , 노명훈 , 이순재 , 김원중 , 이준형
IPC分类号： C25D3/56 , C25D5/50
摘要： 본발명은 TSV의구조변경및 공정의추가없이, 반도체제조중 고온공정에서반도체칩 파손의원인이되는충전도금층의돌출을억제할수 있는 Cu-W 도금액및 이를이용한 TSV의충전및 돌출억제방법으로서, 본발명에따르면, 고온에의해실리콘기판과 TSV 충전도금층의열팽창계수차이에서발생할수 있는충전도금층의돌출을억제하기위해열 팽창계수가낮은 W(텅스텐)을이용하여 TSV의충전물질로서 Cu-W 도금액을제조하고, 이 Cu-W 도금액을사용하여 TSV를충전함으로써, 반도체제조중 고열공정에서발생되는 TSV 충전도금액의돌출을억제하여반도체칩의손상을원천적으로방지할수 있다.

174. 发明公开

KR1020150089854A 보석 색향상 방법 有权
标题翻译：提高珠宝颜色的方法
公开(公告)号：KR1020150089854A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：KR1020140010914
申请日：2014-01-28
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 송오성 , 노윤영 , 송정호
IPC分类号： A44C27/00 , A44C17/00
CPC分类号： A44C27/00 , A44C17/00
摘要： 본발명은보석색향상방법에관한것이다. 본발명에따른보석색향상방법은, (a) 유색의보석(100)을캡핑층내부(210)에배치하는단계; 및 (b) 캡핑층(200)을열처리하는단계를포함하는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明涉及一种提高宝石颜色的方法。根据本发明的用于增强宝石的颜色的方法包括以下步骤：（a）在着色层的内部（210）上设置有色宝石（100）; 和（b）加热封盖层（200）。

175. 发明授权

KR101541965B1 로타리 드럼 반응기의 동적 공기 공급 장치 有权
标题翻译：旋转鼓膜反应器的动力装置
公开(公告)号：KR101541965B1
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：KR1020130126764
申请日：2013-10-23
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 이동훈 , 임건묵
IPC分类号： B09B3/00 , F26B3/00 , B01J19/00
摘要： 로타리드럼반응기(Rotary Drum Reactor, 이하, RDR이라함)를이용한생물학적건조(bio-drying)를위한동적송풍제어가가능한송풍시스템을포함하는로타리드럼반응기의동적공기공급장치가개시된다. 로타리드럼반응기의동적공기공급장치는, 생활폐기물이투입되는폐기물투입구와배출되는폐기물배출구가양단에형성되고, 회전하는드럼및 상기드럼의중심축에평행하고상기폐기물배출구에서상기드럼내부를향해연장된길이가서로다른복수개의방출파이프를포함하여, 상기폐기물배출구를통해상기드럼내부에공기를주입및 순환시키는송풍시스템을포함하여구성된다.

176. 发明公开

KR1020150078138A Ｃｕ-Ｗ 도금액 및 이를 이용한 ＴＳＶ의 충전 및 돌출 억제방법 有权
标题翻译： CU-W电镀解决方案和通过使用CU-W电镀解决方案通过硅填充和挤压挤出的方法
公开(公告)号：KR1020150078138A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130167259
申请日：2013-12-30
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 정재필 , 노명훈 , 이순재 , 김원중 , 이준형
IPC分类号： C25D3/56 , C25D5/50
CPC分类号： C25D3/56 , C25D5/50
摘要： 본발명은 TSV의구조변경및 공정의추가없이, 반도체제조중 고온공정에서반도체칩 파손의원인이되는충전도금층의돌출을억제할수 있는 Cu-W 도금액및 이를이용한 TSV의충전및 돌출억제방법으로서, 본발명에따르면, 고온에의해실리콘기판과 TSV 충전도금층의열팽창계수차이에서발생할수 있는충전도금층의돌출을억제하기위해열 팽창계수가낮은 W(텅스텐)을이용하여 TSV의충전물질로서 Cu-W 도금액을제조하고, 이 Cu-W 도금액을사용하여 TSV를충전함으로써, 반도체제조중 고열공정에서발생되는 TSV 충전도금액의돌출을억제하여반도체칩의손상을원천적으로방지할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种Cu-W电镀液，以及通过使用该方法来填充和抑制通过硅的挤出的方法，其能够抑制在热温度过程中导致半导体芯片损坏的填充镀层的挤出在不改变贯穿硅通孔（TSV）的结构的半导体制造中并添加工艺。根据本发明，使用具有低热膨胀系数的钨（W）来制造Cu-W电镀溶液作为TSV的填充材料，以便抑制填充镀层的挤压以及TSV热温度下硅填充电镀层与基板之间的热膨胀系数的差异; 并且通过使用Cu-W电镀溶液填充TSV，该Cu-W电镀溶液是在半导体制造被抑制的热温度工艺中产生的TSV填充镀层的挤出物，因此可以从根本上防止对半导体芯片的损坏。

177. 发明授权

KR101534562B1 잔류염소 이온 농도 검출시약 및 검출키트 및 이를 이용한 잔류염소 이온 농도 검출방법 有权
标题翻译：氯检测试剂和检测试剂盒和氯检测方法
公开(公告)号：KR101534562B1
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130065090
申请日：2013-06-07
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 박종택 , 김현욱 , 정헌상
IPC分类号： G01N33/00 , G01N33/18 , G01N31/22 , G01N21/78
CPC分类号： G01N33/182
摘要： 본발명은잔류염소(Chlorine)농도검출시약, 검출키트및 검출방법에관한것으로, 더욱구체적으로는측정하고자하는잔류염소(Chlorine)를함유한시료에잔류염소측정분말(Chlorine Powder) 시약및 이를첨가하여잔류염소(Chlorine)농도를산출하는방법및 검출키트에관한것이다. 본발명은소디움포스페이트(Sodium phosphate), 엔,엔디에틸피 페닐렌디아민설페이트(N, N-Diethyl-p-phenylendiamine sulfate), 에틸렌디아민테트라아세틱애시드(Ethylene diamine tetraacetic acid), 사이트릭애시드(Citric acid), 포타시움포스페이트(Potassium phosphate )로구성된잔류염소이온검출시약을제공한다. 또한상기한소디움포스페이트는소디움포스페이트디베이식안하이드로스(Sodium phosphate dibasic anhydrous)이고, 에틸렌디아민테트라아세틱애시드는에틸렌디아민테트라아세틱애시드디소디움솔트디하이드레이트(Ethylene diamine tetraacetic acid disodiumsalt dihydrate)이고, 사이트릭애시드(Citric acid)는사이트릭애시드트리소디움솔트하이드레이트(Citric aicd trisodium salt hydrate)이고, 포타시움포스페이트(Potassium phosphate )는포타시움포스페이트모노베이직(Potassium phosphate monobasic)인것에특징이있는잔류염소이온검출시약을제공한다. 또한상기의잔류염소이온검출시약을포함하여구성한잔류염소이온농도검출키트를제공한다. 또한측정하고자하는잔류염소이온이포함된시료에상기의검출시약을일정량을첨가하여반응을시켜발색을유도하는과정, 상기유도된발색정도를흡광광도법또는비색법을이용하여잔류염소이온농도를검출하는방법을제공한다.

178. 发明授权

KR101531392B1 TOC 분석장치 및 이를 이용한 TOC 분석 시스템 有权
标题翻译：总有机碳分析装置及其分析系统
公开(公告)号：KR101531392B1
公开(公告)日：2015-07-07
申请号：KR1020130148668
申请日：2013-12-02
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 김현욱 , 정헌상 , 신태섭 , 이동희
IPC分类号： G01N33/18 , G01N1/44
摘要： 본발명은 TOC 분석장치및 이를이용한분석시스템에관한것으로서, 보다상세하게는측정수를산화하여 TOC를측정하는산화수단및 TOC측정수단을이용하되상기산화수단을열을이용하는제1 산화부와 UV를이용하는제2 산화부로구성하되, 상기제1 산화부를구비하여열산화와 UV산화를동시에진행할수 있도록하되, 제1 산화부를통한 TOC 측정값을주로하고제2 산화부를통한 TOC 측정값을부로하여제1 산화부의 TOC 측정값의오차가발생시제2 산화부를통한 TOC 측정값을출력함으로서정확한 TOC 측정값을출력할수 있는 TOC 분석장치및 이를이용한 TOC 분석시스템에관한것이다.

179. 发明授权

KR101533972B1 바실러스 서브틸리스 ＪＳ 균주를 유효성분으로 함유하는 토양 병원균 방제용 조성물 有权
标题翻译：用于控制包含枯草芽孢杆菌JS菌株的土壤病原体的组合物作为有效成分
公开(公告)号：KR101533972B1
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：KR1020120095842
申请日：2012-08-30
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 김선형 , 서상규 , 김지성 , 한만해
IPC分类号： A01N63/00 , A01N63/02 , A01P1/00
摘要： 본발명은토양병원균에대해방제활성이있는바실러스서브틸리스() JS 균주또는이의배양액을유효성분으로함유하는토양병원균방제용조성물, 상기바실러스서브틸리스 JS 균주의유효량을식물또는토양에살포함으로써토양병원균을방제하는방법및 상기바실러스서브틸리스 JS 균주를배양하는단계를포함하는토양병원균방제용조성물의제조방법을제공한다.

180. 发明授权

KR101528776B1 전극체 제조방법 有权
标题翻译：电极生产方法
公开(公告)号：KR101528776B1
公开(公告)日：2015-06-15
申请号：KR1020140112253
申请日：2014-08-27
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 송오성 , 노윤영
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01G9/2027 , H01L31/022425 , H01L31/0392 , H01L31/18 , Y02E10/542
摘要： 전극체제조방법이개시된다. 본발명에따른전극체제조방법은, (a) 기판(11) 상에촉매전극층(12)을형성하는단계; 및 (b) 이온빔을이용하여상기촉매전극층(12)을선택적으로식각하는단계를포함하는것을특징으로한다.
摘要翻译：公开了一种电极的制造方法。根据本发明的电极的制造方法包括以下步骤：（a）在基板（11）上形成催化剂电极层（12），（b）使用离子束选择性地蚀刻催化剂电极层（12）。

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