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    • 107. 发明授权
    • 하나 이상의 부동 게이트 디바이스를 이용하는 화상 센서아키텍쳐
    • 使用一个或多个浮动门装置的图像传感器架构
    • KR101235537B1
    • 2013-02-21
    • KR1020077030895
    • 2006-05-23
    • 모토로라 모빌리티 엘엘씨
    • 히,팬슈르보프,칼엘.
    • H04N5/378H04N5/353
    • H04N5/37452G11C16/0408H01L27/14603H01L27/14609H01L27/14643H04N5/341
    • 화상 센서에 사용하기 위한 회로뿐만 아니라 상기 회로를 사용하는 화상 감지 시스템이 개시된다. 상기 회로는 부동 게이트, 제어 게이트, 드레인 및 소스를 포함하는 부동 게이트 반도체 디바이스를 포함한다. 상기 회로는 또한 화상으로부터의 전자기 방사선에 대한 노출을 위해 배치되는 감광성 반도체 디바이스를 채용한다. 화소 제어 회로는 이 컴포넌트에 접속되어, 부동 게이트 반도체 디바이스와 감광성 반도체 디바이스를 복수의 제어 모드로 관리한다. 제어 모드는 소거 모드 및 노출 모드를 포함할 수 있다. 소거 모드에서는, 전기 전하의 적어도 일부가 부동 게이트로부터 제거되어, 부동 게이트 반도체 디바이스를 초기 상태가 되도록 한다. 노출 모드에서는, 감광성 반도체 디바이스의 단자에서의 전압에 응답하여 부동 게이트가 적어도 부분적으로 충전된다. 감광성 반도체 디바이스의 단자에서의 전압은 화상으로부터의 전자기 방사선에 대한 감광성 반도체 디바이스의 노출에 대응한다. 또한, 화소 제어 회로는 부동 게이트 반도체 디바이스와 감광성 반도체 디바이스를, 판독 모드 및 데이터 보유 모드를 포함하는 추가적 모드들로 관리할 수 있다. 판독 모드에서는, 부동 게이트 반도체 디바이스의 소스 및 드레인간의 전류 흐름이 부동 게이트 상의 전하의 인디케이터(indicator)로서 검출된다. 데이터 보유 모드에서는, 화상으부터의 전자기 방사선에 대한 감광성 반도체 디바이스의 추가적 노출에도 불구하고, 노출 모드 동안 취득된 부동 게이트 반도체 디바이스의 부동 게이트상의 전하가 유지된다. 회로, 및 하나 이상의 주변 지원 회로는, 예를 들어 통상의 CMOS 제조 처리를 이용하여, 모놀리딕 기판 내에서 구현될 수 있다.
      반도체 디바이스, 부동 게이트, 화상