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91. 发明公开

KR1020210090865A 스크린 프린팅 공정으로 제작된 단일벽 탄소나노튜브 나노 복합체 기반의 유연한 수소 이온 농도 센서 有权
公开(公告)号：KR1020210090865A
公开(公告)日：2021-07-21
申请号：KR1020200004120
申请日：2020-01-13
IPC分类号： G01N27/407 , G01N33/00 , G01N27/414
摘要： 본실시예들은스크린프린팅공정을통해형성된수소이온농도센서로서, 전도성물질과폴리머바인더가교반된복합물질을기반으로하나이상의레이어로형성된하나이상의채널을갖는감지층에 pH 용액이접촉되면감지층의저항이변하여 pH 농도를감지할수 있고, 기계적인굽힘동작이후에도동작안정성과신뢰성을확보할수 있는수소이온농도센서및 그제조방법을제공한다.

92. 发明授权

KR102251274B1 CNT센서 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102251274B1
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：KR1020190123916
申请日：2019-10-07
申请人： 한남대학교 산학협력단
发明人： 김극태
IPC分类号： G01N27/414 , H01L51/00 , C01B32/16 , B82Y30/00
摘要： 본발명은 CNT센서및 그제조방법에관한것이다. 좀더 자세하게로는, 롤투롤(roll to roll) 방식으로공급되는필름층위에 CNT코팅층을형성하고, CNT코팅층위에 2개층의전극층을형성한후 절연체로덮는방식으로제조된압력센서및 그제조방법에관한것이다. 본발명에의하여제조된센서는면적이넓고초슬림형이기때문에의류나몸에붙여서신체의활동등을모니터링하는웨어러블디바이스용스트레인게이지나넓은면적의바닥에가해지는압력을측정하여사람또는동물의움직임동선을감지해내는용도등 다양한용도로광범위하게사용되고응용될수 있다. 또한본 발명에의한센서는, 연속공정으로생산할수 있는방법을제공하기때문에대량생산이가능하고, 생산단가를낮출수 있어성능이우수한센서를저렴한가격에공급할수 있으며, 신속한제작이가능하므로고객이원하는납기에맞추어제작할수 있을뿐만아니라센서의크기등을소비자맞춤형으로원하는크기로마음대로가공하여사용할수 있는장점이있다.

93. 发明授权

KR102225968B1 저항형 코플래너 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서 有权
公开(公告)号：KR102225968B1
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020190090199
申请日：2019-07-25
申请人： 광운대학교 산학협력단
发明人： 조원주 , 강민수
IPC分类号： G01N27/414 , G01N33/50
摘要： 본발명은저항형코플래너구조의이온전계효과트랜지스터기반고성능바이오센서에관한것으로서, 기판상에배치된게이트전극, 게이트전극상에배치된층간절연막, 층간절연막에배치된컨택홀을통해게이트전극과전기적으로연결된제1 저항막; 및제1 저항막과동일층상에서이격배치되며컨택홀을통해게이트전극과전기적으로연결된제2 저항막을포함하는측정부; 및측정부와연결되는감지부를포함하고, 제1 저항막및 제2 저항막사이에배치된게이트전극과연결된확장게이트상부에접촉되는생리물질에의한게이트전극의문턱전압변화를측정한다. 이에, 확장게이트트랜지스터를이용하여기존의감지부와측정부를분리함으로써고감도를구현할수 있다.

94. 发明公开

KR20210012454A 트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서 审中-公开
公开(公告)号：KR20210012454A
公开(公告)日：2021-02-03
申请号：KR20190090207
申请日：2019-07-25
IPC分类号： G01N27/414 , C12Q1/00 , G01N33/50 , H01L29/78
摘要： 본발명의일 실시예에따른트리플게이트구조의이온전계효과트랜지스터기반고성능바이오센서는플로팅게이트와상부절연막상에배치된감지게이트, 하부절연막상에채널과이격배치된제어게이트, 상기하부절연막및 상기감지게이트사이에배치된채널을포함하는측정부; 및측정부에연결되는감지부를포함하고, 감지부의감지막과용액에포함된생리물질의반응에따른감지게이트의전압변화를기초하여채널의하부에배치된하부절연막과채널의상부에배치된상부절연막의용량비(coupling ratio)에따라제어게이트의문턱전압에변화를일으킨다. 이에, 트리플게이트구조의 ISFET을이용함으로써용량성커플링비율을증가시킴으로써감도를효과적으로증폭시킬수 있다.

95. 发明公开

KR1020210007395A 금(Au) 촉매 및 산화물로 이루어진 이중층 구조를 이용한 메틸벤젠 가스 센서 및 이를 제조하는 가스 센서 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR1020210007395A
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：KR1020190083794
申请日：2019-07-11
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 이종흔 , 문영국 , 정성용 , 조영무 , 김준식
IPC分类号： G01N27/12 , G01N27/407 , G01N27/414 , B01J23/52
摘要： 본발명은메틸벤젠을검지하는가스센서에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른가스센서는, 상기메틸벤젠에감응하는감응층과; 상기감응층의상면에형성되는금(Au)을포함하는촉매층을포함한다.

96. 发明公开

KR20210006333A 센서 제조 방법 및 그러한 방법으로 제조된 센서 审中-公开
公开(公告)号：KR20210006333A
公开(公告)日：2021-01-18
申请号：KR20207029057
申请日：2019-04-15
IPC分类号： G01N27/12 , G01N27/414
摘要： 본발명은기체에존재하는 CO2의농도를측정할수 있는센서(1)를제조하기위해, 아래의단계, 즉: a) 기판(2)을제공하는단계; b) 복수의전도성구성요소(3)를서로정해진간격으로기판(2) 위에배열하는단계; c) 전도성구성요소(3) 사이에서산화나노와이어가형성된상태에서전도성구성요소를산화하는단계; d) 나노와이어에나노입자가증착되기때문에, 센서(1)를통해 CO2가측정될수 있는단계를포함하는방법에관한것이다. 또한, 본발명은기체에존재하는 CO2의농도를측정할수 있는센서(1)에관한것으로서, 상기센서는기판(2), 이러한기판(2) 위에서로정해진간격을두고배열되어있는복수의전도성구성요소(3) 및전도성구성요소(3)의산화를통해이러한구성요소사이에서형성되는산화나노와이어를포함하며, 이러한나노와이어에나노입자가증착되기때문에 CO2가센서(1)를통해측정될수 있는것을특징으로한다.

97. 发明公开

KR1020200134764A 그래핀 기반의 유연 수소 센서 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR1020200134764A
公开(公告)日：2020-12-02
申请号：KR1020190060715
申请日：2019-05-23
申请人： 한국과학기술원
发明人： 박인규 , 조민규 , 지안성주
IPC分类号： G01N27/12 , G01N27/416 , G01N27/414 , G01N27/404 , H01L29/16 , H01L29/06 , H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/268
摘要： 본발명에따른그래핀기반의유연수소센서는, 베이스기판과, 상기베이스기판상에임의의패턴으로형성된그래핀층과, 상기그래핀층의상부에형성된나노입자형태의촉매제와, 내측단부가상기그래핀층의외측단부에접촉되는형태로상기베이스기판상에형성된전극을포함할수 있다.

98. 发明授权

KR102124981B1 실리콘 나노리본 전계효과트랜지스터를 이용한 프리온 검출 방법 有权
公开(公告)号：KR102124981B1
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：KR1020180137248
申请日：2018-11-09
申请人： 한양대학교 에리카산학협력단
发明人： 류종석 , 아툴쿨카르니 , 김대환 , 모상현 , 리자오지에
IPC分类号： G01N33/543 , G01N33/68 , G01N27/414

99. 发明授权

KR102069406B1 가스센서 有权
公开(公告)号：KR102069406B1
公开(公告)日：2020-01-22
申请号：KR1020160033517
申请日：2016-03-21
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 이지영 , 노용영 , 이재철 , 임보규 , 정승현
IPC分类号： G01N27/414 , C07D495/04 , C07D285/14 , C07D409/14 , C07D487/04

100. 发明授权

KR101960963B1 수평형 플로팅 게이트를 갖는 FET형 센서의 펄스 구동 방법 有权
公开(公告)号：KR101960963B1
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：KR1020170068246
申请日：2017-06-01
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 이종호 , 신종민
IPC分类号： G01N27/414 , G01N27/00

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