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91. 发明公开

KR1020220068137A 웨이퍼의 제조 방법 및 적층 디바이스 칩의 제조 방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220068137A
公开(公告)日：2022-05-25
申请号：KR1020210138954
申请日：2021-10-19
IPC分类号： H01L21/52 , H01L21/78 , H01L21/683 , H01L21/304 , B23K26/38 , B23K26/53 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/075 , H01L25/00
摘要： (과제) 적층디바이스칩의수율의저하를억제하는것이가능한웨이퍼의제조방법을제공한다. (해결수단) 서로교차하는복수의스트리트에의해구획된복수의영역에각각반도체디바이스가형성된웨이퍼를준비하는웨이퍼준비단계와, 웨이퍼에형성된복수의반도체디바이스중 불량품이라고판별된반도체디바이스를포함하는불량디바이스영역을웨이퍼로부터분리하는제거단계와, 불량품이라고판별된반도체디바이스와동일한기능을갖는양품의반도체디바이스를구비하고, 또한불량디바이스영역을웨이퍼로부터분리함으로써형성된관통구멍에끼워넣는것이가능한사이즈의디바이스를, 관통구멍에끼워넣는끼워넣기단계를구비하는웨이퍼의제조방법.

92. 发明授权

KR102401722B1 하단 링 및 중간 에지 링 有权
公开(公告)号：KR102401722B1
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：KR1020217014539
申请日：2017-11-21
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 하단링이이동가능한에지링을지지하도록구성된다. 에지링은기판지지부에대해상승및 하강되도록구성된다. 하단링은단차진상부표면, 환형내경, 환형외경, 하부표면, 및하단링의하부표면으로부터상부표면으로하단링을관통하여제공된복수의수직가이드채널들을포함한다. 가이드채널들각각은가이드채널보다작은직경을갖는제 1 영역을포함하고, 및가이드채널들은에지링을상승및 하강시키기위해각각의리프트핀들을수용하도록구성된다.

93. 发明公开

KR1020220066832A 익스팬드 장치 및 익스팬드 방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220066832A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：KR1020210143187
申请日：2021-10-26
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/78
摘要： (과제) 피가공물에분할되지않는영역이생겨버릴가능성을낮게억제할수 있는익스팬드장치를제공한다. (해결수단) 분할기점인개질층이형성된피가공물이첩착된익스팬드시트를확장하여피가공물을분할하는익스팬드장치에있어서, 익스팬드시트를확장하는확장기구와, 익스팬드시트의환형프레임의내연과피가공물의외연사이의영역을, 익스팬드시트의피가공물의외연보다도내측의영역보다저온이되도록냉각시키는냉각유닛을포함한다.

94. 发明公开

KR1020220065681A 엣지 링 및 기판 처리 장치 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220065681A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：KR1020210150705
申请日：2021-11-04
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683
摘要： 엣지링의교환빈도를저감시키고, 또한전열가스의리크및 파티클의발생을억제할수 있는엣지링 및기판처리장치를제공한다. 엣지링은, 피처리기판의주위에배치되는엣지링으로서, 제 1 재료로형성되고, 내주측의측면하부에제 1 경사부를가지는환상의제 1 부재와, 제 1 재료와상이한제 2 재료로형성되고, 제 1 경사부와대향하는제 2 경사부를가지고, 제 1 부재의하부에마련되는환상의제 2 부재를구비한다.

95. 发明公开

KR1020220064309A 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220064309A
公开(公告)日：2022-05-18
申请号：KR1020210147783
申请日：2021-11-01
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/02
摘要： 피치체인지기구를구비한기판처리장치에있어서, 기판의수수횟수를삭감한다. 기판처리장치는, 처리장소에서복수의기판을서로평행하게제1 등피치로보유지지하는기판보유지지부와, 용기적재부에적재된기판수납용기로부터제2 등피치로수납된복수의기판을일괄하여빼내는기판반송장치와, 기판반송장치로부터제2 등피치로나열된기판을수취하고, 피치를제1 등피치로변환하고, 피치변환완료기판을기판보유지지부에전달하는이동탑재기구를구비한다. 이동탑재기구는, 각 1매의기판을보유지지하는복수의척과, 척끼리의간격을제1 등피치와제2 등피치사이에서변경하는피치체인지기구를갖는피치변환유닛과, 피치변환유닛을, 기판반송장치-피치변환유닛간에서의기판수수위치와, 피치변환유닛-기판보유지지부간에서의기판수수위치와의사이에서이동시키는이동기구를갖고있다.

96. 发明授权

KR102398614B1 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법 有权
公开(公告)号：KR102398614B1
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：KR1020180140218
申请日：2018-11-14
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/02
摘要： 본발명은기판에박막을형성할수 있는기판처리장치와기판처리장치를세정할수 있는세정방법에관한것으로서, 기판을처리할수 있는내부공간이형성되는공정챔버와, 상기기판을지지할수 있도록상기공정챔버의상기내부공간에구비되는기판지지대와, 상기기판지지대와대향되도록상기공정챔버의상부에구비되어상기기판지지대를향해공정가스를분사하는샤워헤드와, 상기공정챔버의하부에구비되고상기공정챔버내의상기공정가스를외부로배출할수 있도록진공펌프와연결되는배기유로가형성되는펌핑블록과, 상기기판지지대를지지하고상기샤워헤드와상기기판지지대간의공정갭을조절할수 있도록상기기판지지대를상하로이동시키는제 1 구동부와, 상기기판지지대의하부에일정거리이격되게구비되어, 상기공정챔버의세정시 상기샤워헤드로부터분사되는세정가스가상기기판지지대의하면의전영역으로고르게유동되면서상기펌핑블록을통하여배출될수 있도록유도하는펌핑플레이트및 상기펌핑플레이트를지지하고, 상기공정챔버의세정시 상기세정가스가상기기판지지대의하면의전영역으로고르게방사상으로유동되어세정될수 있는제 2 간격으로상기기판지지대의하면과상기펌핑플레이트가이격될수 있도록, 상기펌핑플레이트를상하로이동시키는제 2 구동부;를포함할수 있다.

97. 发明授权

KR102395731B1 열처리 방법 및 열처리 장치 有权
公开(公告)号：KR102395731B1
公开(公告)日：2022-05-09
申请号：KR1020200129368
申请日：2020-10-07
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/66 , H01L21/324 , H01L21/683 , H05B3/00
摘要： 플래시광조사시에서의기판의깨짐을간이한구성으로검출할수 있는열처리방법및 열처리장치를제공한다. 반도체웨이퍼는할로겐램프에의해예비가열된후, 플래시램프로부터의플래시광조사에의해가열된다. 방사온도계는소정의샘플링간격으로반도체웨이퍼(W)의이면온도를측정하여복수의온도측정치를취득한다. 그들복수의온도측정치중 플래시광의조사개시시 이후의적산개시시점부터취득된설정수의온도측정치를적산하여온도적산치를산정한다. 산정한온도적산치가미리설정된상한치와하한치사이의범위에서벗어나있을때에는, 플래시광조사시에반도체웨이퍼가깨졌다고판정한다.

98. 发明授权

KR102395194B1 웨이퍼 본딩 장치 및 그 장치를 포함한 웨이퍼 본딩 시스템 有权
公开(公告)号：KR102395194B1
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：KR1020170078588
申请日：2017-06-21
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/18 , H01L21/683
摘要： 본발명의기술적사상은웨이퍼의본딩공정에서웨이퍼의본딩상태를정확하게검출할수 있는웨이퍼본딩장치및 그장치를포함한웨이퍼본딩시스템을제공한다. 그웨이퍼본딩장치는하방을향하는제1 면을구비하고, 상기제1 면상에배치되는제1 웨이퍼를진공흡착하기위한진공홈(vacuum groove)이형성된제1 지지판; 상기제1 면에대향하는제2 면을구비하고, 상기제2 면상에제2 웨이퍼가배치되는제2 지지판; 상기제1 지지판의중심부분에배치된본딩개시장치(bonding initiator); 및상기제1 지지판에배치되고, 상기제1 웨이퍼와제2 웨이퍼의본딩의확산상태를검출하는면적센서;를포함한다.

99. 发明授权

KR102394687B1 시료 유지구 有权
公开(公告)号：KR102394687B1
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：KR1020207009856
申请日：2018-10-23
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687 , H02N13/00 , B23Q3/15
摘要： 시료유지구는, 세라믹스를갖고상면에시료유지면을갖는기체와, 금속을갖고상면이상기기체의하면을덮는지지체와, 상기기체의하면및 상기지지체의상면을접합하는제 1 접합층을구비하고있고, 상기지지체의하면으로부터상기제 1 접합층을통과해서상기기체의상면까지관통함과아울러, 상기기체중 적어도일부에있어서상기지지체중 및상기제 1 접합층중보다가늘게되어있는제 1 관통구멍을갖고있으며, 상기제 1 관통구멍의내부에위치하고있고상기기체의하면에제 2 접합층을개재하여접합된다공질부재를구비하고있다.

100. 发明公开

KR1020220055418A 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220055418A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：KR1020210138939
申请日：2021-10-19
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687 , B08B3/02
摘要： 본발명은, 히터에의해가열되는기판테이블에기판을흡착시켜서기판처리를행하는데 있어서, 기판의흡착시에기판의이면에생기는흠집을저감한다. 기판처리방법은, 기판을흡착하는기판테이블과, 상기기판테이블을가열하는히터와, 상기기판테이블에흡착된상기기판에처리액을공급하는처리액노즐을구비한기판처리장치에서상기기판을액 처리하는기판처리방법에있어서, 상기기판과상기기판테이블의온도차가없거나혹은미리정해진범위내에있을때, 상기기판테이블에의해상기기판을흡착하는흡착공정과, 상기흡착공정후에, 상기히터에의해가열되어있는상기기판테이블에흡착되어있는상기기판에상기처리액노즐로부터처리액을공급하는처리액공급공정을구비하고있다.

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