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91. 发明授权

KR100854230B1 핀드 플로팅 확산 다이오드를 갖는 이미지 센서 有权
标题翻译：带有浮动扩散二极管的图像传感器
公开(公告)号：KR100854230B1
公开(公告)日：2008-08-25
申请号：KR1020067004629
申请日：2004-09-02
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크
发明人： 홍승권크리스
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H04N5/35527 , H04N5/3559
摘要： 본 발명은 핀드 포토다이오드에 더해 핀드 플로팅 확산 영역을 갖는 이미지 센서를 제공한다. 핀드 플로팅 확산 영역은 센서의 전하 저장 능력을 증가시키고, 센서의 동적 범위를 증가시키며, 또한 인트라-신(intra-scene) 강도 변화를 넓힌다.

92. 发明公开

KR1020080061062A 씨모스 이미지 센서 및 이미지 데이타 처리방법 有权
标题翻译： CMOS图像传感器及其图像数据处理方法
公开(公告)号：KR1020080061062A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：KR1020060135849
申请日：2006-12-28
申请人： 전자부품연구원
发明人： 박광수 , 정민재 , 김상진 , 조영창 , 김훈
IPC分类号： H04N5/374
CPC分类号： H04N5/3741 , H01L27/14609 , H04N5/3559 , H04N5/3745 , H04N5/3765
摘要： A CMOS image sensor and an image data processing method are provided to minimize a pitch of unit pixels of the image sensor by insulating adjacent wells or adjacent elements, and improve a charge capacitance by forming a capacitor in a trench. A photoelectric transformation photo-PMOS(210) includes a well doped with the second type impurity and generates an electrical signal upon receiving light. A select NMOS(230) outputs a signal which has been received from the photoelectric transformation photo-PMOS. A reset NMOS(220) applies a reset signal to the photoelectric transformation photo-PMOS. A capacitor(240) accumulates charges received from the photoelectric transformation photo-PMOS. The photoelectric transformation photo-PMOS includes a color filter at an upper portion thereof to implement a color image, and adjusts the thickness of a gate electrode to implement a color image.
摘要翻译：提供CMOS图像传感器和图像数据处理方法，通过绝缘相邻的阱或相邻元件来最小化图像传感器的单位像素的间距，并且通过在沟槽中形成电容器来改善电荷电容。光电转换光电PMOS（210）包括掺杂有第二类型杂质的阱，并在接收光时产生电信号。选择NMOS（230）输出从光电转换光PMOS接收的信号。复位NMOS（220）向光电转换光PMOS施加复位信号。电容器（240）累积从光电转换光PMOS接收的电荷。光电转换光电PMOS在其上部包括滤色器以实现彩色图像，并且调节栅电极的厚度以实现彩色图像。

93. 发明授权

KR100790586B1 ＣＭＯＳ 이미지 센서 액티브 픽셀 및 그 신호 감지 방법 有权
标题翻译： CMOS图像传感器有源像素及其感测信号的方法
公开(公告)号：KR100790586B1
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：KR1020060047082
申请日：2006-05-25
申请人： (주) 픽셀플러스
发明人： 이재웅 , 이성수 , 신정순
IPC分类号： H04N5/374
CPC分类号： H04N5/3559 , H01L27/14609 , H04N5/37452
摘要： 본 발명은 CMOS 이미지 센서 액티브 픽셀 및 그 신호 감지 방법에 관한 것으로서, 다기능을 갖는 신호 전하량 감지부를 픽셀에 사용하여 낮은 구동전압의 조건하에서도 전하량 감지노드의 n형 확산영역의 전압을 크게 부스팅시키고, 전하량 감지노드의 n형 확산영역에 오믹접촉을 형성하지 않고 신호전압을 커패시터로 커플링하는 기술을 개시한다. 이러한 본 발명은 제 1도전형의 제 1반도체영역에 형성된 제 2도전형의 제 1확산영역을 포함하고, 입사된 빛을 흡수하여 하전입자를 생성하여 제 1확산영역에 저장하는 포토다이오드; 제 1도전형의 제 2반도체영역에 형성된 제 2도전형의 제 2확산영역과, 제 2확산영역을 제 1전극으로 하고 제 2확산영역의 상측에 형성된 전극을 제 2전극으로 하는 커플링 커패시터를 포함하고, 제 1확산영역으로부터 전달된 하전입자를 제 2확산영역에 저장하는 CCFD(Capacitor Combined Floating Diffusion) 감지노드; 제 1확산영역에 저장된 하전입자를 제 2확산영역으로 전달하는 트랜스퍼 게이트; 리셋 전압원과 제 2확산영역 사이에 연결되어 제 2확산영역의 전압을 리셋시키는 리셋 스위치; 제 2전극과 입력단자가 연결되어 제 2전극의 전압에 대응하는 전압 신호를 픽셀 어레이의 신호선으로 전달하는 신호 증폭기; 및 제 2전극 및 신호 증폭기의 입력단자에 일측 단자가 공통 연결되고, 가변 전압원에 다른 측 단자가 연결되어, 가변 전압원의 전압을 제 2전극 및 상기 신호 증폭기의 입력단자에 인가하는 스위치를 포함한다.
CMOS 이미지 센서, 액티브픽셀, FD 부스팅, 커플링 커패시터 감지노드

94. 发明公开

KR1020070102496A 고체 촬상 장치 有权
标题翻译：固态图像拾取器件
公开(公告)号：KR1020070102496A
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：KR1020077014452
申请日：2006-02-02
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
发明人： 모리하루미치 , 후지타카즈키 , 큐시마류지 , 혼다마사히코 , 미즈노세이이치로
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H04N5/3559 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14643
摘要： A solid-state image pickup device improved in both linearity and dynamic range. Each pixel part (Pm,n) of the solid-state image pickup device includes an embedded photodiode (PD) for generating charges corresponding to an incident light intensity; a capacitor element (C) which is connected parallel to the embedded photodiode (PD) and accumulates the charges generated by the embedded photodiode (PD); an amplifying transistor (T1) for outputting a voltage value corresponding to a voltage value inputting to a gate terminal; a transfer transistor (T2) for inputting a voltage value corresponding to an accumulated charge quantity in the capacitor element (C) to the gate terminal of the amplifying transistor (T1); a discharging transistor (T3) for discharging the charges in the capacitor element (C); and a selective transistor (T4) for selectively outputting the voltage value outputted from the amplifying transistor (T1) to a wiring (Ln).
摘要翻译：固态图像拾取器件在线性度和动态范围都得到改善。固态图像拾取装置的每个像素部分（Pm，n）包括用于产生对应于入射光强度的电荷的嵌入式光电二极管（PD）; 电容器元件（C），其与所述嵌入式光电二极管（PD）并联连接并积累由所述嵌入式光电二极管（PD）产生的电荷; 放大晶体管（T1），用于输出对应于输入到栅极端子的电压值的电压值; 用于将对应于电容器元件（C）中的累积电荷量的电压值输入到放大晶体管（T1）的栅极端子的转移晶体管（T2）; 用于对电容器元件（C）中的电荷进行放电的放电晶体管（T3）; 以及用于选择性地将从放大晶体管（T1）输出的电压值输出到布线（Ln）的选择晶体管（T4）。

95. 发明公开

KR1020070046017A 고체 촬상 장치 및 그 구동 방법 有权
标题翻译：固体成像装置及其驱动方法
公开(公告)号：KR1020070046017A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：KR1020060105733
申请日：2006-10-30
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 다나까나가따까
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/335
CPC分类号： H04N5/335 , H04N5/3559
摘要： 고체 촬상 장치는, 수직 신호선과, 입사광을 광전 변환하여 축적하는 포토다이오드와, 상기 포토다이오드로부터의 입력 신호를 증폭하여 상기 수직 신호선에 출력하는 증폭 트랜지스터와, 상기 증폭 트랜지스터의 제어 전극의 전위를 리셋하는 리셋 트랜지스터를 구비하는 단위 화소와, 상기 리셋 트랜지스터가 구동되는 동안, 상기 수직 신호선의 전위 상태를 유지하도록 구성된 제어 회로를 구비한다.
CMOS 이미지 센서, 증폭 트랜지스터, 제어 전극, 포토 다이오드, 단위 화소

96. 发明公开

KR1020060133736A 화소 단위의 포화 방지 기능을 구비한 이미지 센서 失效
标题翻译：具有像素水平的抗饱和功能的图像传感器
公开(公告)号：KR1020060133736A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：KR1020050053539
申请日：2005-06-21
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 고주열 , 최원태 , 박득희 , 강신재
IPC分类号： H04N5/355 , H04N5/374
CPC分类号： H01L27/14609 , H01L27/14643 , H04N5/3559 , H04N5/374 , H04N5/37452
摘要： An image sensor with an anti-saturation function of pixel unit is provided to prevent generation of white phenomenon caused by saturation by increasing a floating diffusion area to lower a voltage level per an image sensor of pixel unit, thereby preventing deterioration of color reproducibility of other areas and improving screen quality. An image sensor with an anti-saturation function of pixel unit includes a saturation sensing element formed of an inverter(31) and a feedback line(32), wherein the saturation sensing element receives an output voltage from a driver transistor(Q4), and determines an image sensor as being saturated when the output voltage exceeds a threshold level. A switching element such as an anti-saturation transistor(Q3) carries out on/off switching according to the determination of the saturation sensing element. A plurality of floating diffusion elements(FD1,FD2) is connected to photodiodes(PD) and gates of the driver transistor simultaneously according to the on/off operation of the switching element, and stores charges of the photodiodes, which are transferred by the switching element.
摘要翻译：提供具有像素单元的抗饱和功能的图像传感器，以通过增加浮动扩散区域以降低每像素单元的图像传感器的电压电平来防止由饱和引起的白色现象的产生，从而防止其他颜色再现性的劣化区域和提高屏幕质量。具有像素单元的抗饱和功能的图像传感器包括由反相器（31）和反馈线（32）形成的饱和感测元件，其中饱和感测元件接收来自驱动晶体管（Q4）的输出电压，以及当输出电压超过阈值电平时，将图像传感器确定为饱和。诸如抗饱和晶体管（Q3）的开关元件根据饱和感测元件的确定进行导通/截止切换。多个浮动扩散元件（FD1，FD2）根据开关元件的接通/断开操作同时连接到驱动晶体管的光电二极管（PD）和栅极，并存储通过开关传输的光电二极管的电荷元件。

97. 发明公开

KR1020060087814A 인접한 화소들 사이의 센싱노드들이 공유된 씨모스 이미지센서 有权
标题翻译：具有共享感应节点的CMOS图像传感器
公开(公告)号：KR1020060087814A
公开(公告)日：2006-08-03
申请号：KR1020050008654
申请日：2005-01-31
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 권오봉
IPC分类号： H04N5/341 , H04N5/374
CPC分类号： H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/335 , H04N5/3559 , H04N5/3745
摘要： 본 발명은 개선된 필-팩터에 의해 생성된 보다 많은 광전하를 센싱노드에서 받아들일 수 있도록 하기 위하여, 선택된 특정 화소가 동작할 때 비선택된 인접한 다른 화소의 센싱노드를 함께 공유하도록 하므로써 센싱노드의 저장용량을 증대시킨 씨모스 이미지 센서를 제공하고자 하는 것으로, 이를 위한 본 발명의 씨모스 이미지 센서는, 단위 화소 - 상기 단위 화소는 외부의 빛을 흡수하여 광전하를 생성하는 광전하생성수단과, 상기 광전하생성수단으로부터 광전하를 전달받는 센싱노드를 구비함- 가 로오 및 컬럼 방향으로 매트릭스 배열되어 화소어레이를 구성하고 있으며, 상기 화소어레이의 로오 또는 컬럼의 어느한 라인씩 순차적으로 스캔이 이루어지는 라인 스캔 방식으로 구동하고, 현재 스캔 중인 라인의 화소의 센싱노드는 최 이전에 스캔된 라인의 화소의 센싱노드와 함께 공유되어, 현재 스캔 중인 라인의 화소의 광전하생성수단으로부터 광전하를 전달받는 것을 특징으로 한다.
CMOS이미지센서, 화소, 센싱노드, 공유

98. 发明公开

KR1020060042901A 고체 촬상 디바이스 및 모듈형 고체 촬상 디바이스 无效
标题翻译：固态图像拾取器件和模块型固态图像拾取器件
公开(公告)号：KR1020060042901A
公开(公告)日：2006-05-15
申请号：KR1020050008647
申请日：2005-01-31
申请人： 소니 주식회사
发明人： 미시나고지 , 스즈끼료지
IPC分类号： H01L27/148
CPC分类号： H04N5/3559 , H04N5/3597
摘要： 고체 촬상 디바이스는 XY 행렬 방식으로 정렬된 복수의 화소를 포함하고, 각각의 화소는 입사광을 신호 전하로 광전 변환하여 광전 변환된 신호 전하를 축적하는 광전 변환부(1)와, 이 축적된 신호 전하를 전압으로 변환하는 축적 영역(3)과, 이 광전 변환부(1)에 축적된 신호 전하를 이 축적 영역(3)으로 전송하는 전송 게이트(2)를 포함하며, 이 전송 게이트(2) 하의 전위 레벨의 차를 형성하여 포화 전하량을 증가시킨다.
입사광, 광전 변환부, 축적 영역, 전송 게이트, 포화 전화량

99. 发明公开

KR1020040090714A 고체 촬상장치와 그 구동제어방법 有权
标题翻译：固态图像感测装置及其驱动方法，用于预防饱和沉积物和动态范围的降低
公开(公告)号：KR1020040090714A
公开(公告)日：2004-10-26
申请号：KR1020040025794
申请日：2004-04-14
申请人： 소니 주식회사
发明人： 마브치게이지 , 후나츠에이이치 , 가사이마사노리
IPC分类号： H04N5/355
CPC分类号： H04N5/378 , H04N5/2253 , H04N5/3559 , H04N5/365 , H04N5/3698 , H04N5/37213 , H04N5/374 , H04N5/376 , H04N5/3765
摘要： PURPOSE: A solid-state image sensing device and a method for driving the device are provided to improve a shading phenomenon and prevent decrease in a dynamic range caused by leak current of a reset transistor when a device having 3-transistor unit pixels is used. CONSTITUTION: A solid-state image sensing device has unit pixels each of which includes a charge generating part for generating signal charges corresponding to received light and 3 transistors. The solid-state image sensing device is driven such that off-transition time of a voltage waveform when a drain line(57) are driven lags behind any one of off-transition time of a voltage waveform when a reset line is driven and off-transition time of a voltage waveform when a transfer line is driven.
摘要翻译：目的：提供固态图像感测装置和驱动该装置的方法，以改善遮光现象，并且当使用具有3晶体管单元像素的装置时，防止由复位晶体管的漏电流引起的动态范围的降低。构成：固体摄像装置具有单位像素，每个像素包括用于产生对应于接收光的信号电荷的电荷产生部分和3个晶体管。驱动固态图像感测装置，使得驱动漏极线路（57）时的电压波形的过渡时间落在驱动复位线时的电压波形的过渡时间中的任何一个之后，传输线驱动时电压波形的转换时间。

100. 发明公开

KR1020040031626A 고상 촬상 디바이스 및 그 구동 방법 有权
标题翻译：用于降低信号电荷读取过程中动态范围的电压或扩展的固态图像拾取装置及其驱动方法
公开(公告)号：KR1020040031626A
公开(公告)日：2004-04-13
申请号：KR1020030068751
申请日：2003-10-02
申请人： 소니 주식회사
发明人： 마부치케이지
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/148
CPC分类号： H04N5/3559 , H04N5/361 , H04N5/3745
摘要： PURPOSE: A solid-state image pickup device for reducing a voltage or an expansion of a dynamic range in a signal charge reading process and a driving method therefor are provided to achieve the reduction and the expansion of the dynamic range of the voltage used for reading signal charges generated from photoelectric conversion elements. CONSTITUTION: A plurality of photoelectric conversion elements are provided in a semiconductor layer. A transfer switch is provided nearly to the photoelectric conversion elements in the semiconductor layer for transferring charges from the photoelectric conversion elements. A voltage applying unit applies a predetermined voltage to the semiconductor layer within a predetermined period which includes partially a transfer period of the transfer switch.
摘要翻译：目的：提供一种用于降低信号电荷读取处理中的动态范围的电压或扩展的固态图像拾取装置及其驱动方法，以实现用于读取的电压的动态范围的减小和扩展从光电转换元件产生的信号电荷。构成：在半导体层中设置多个光电转换元件。靠近半导体层中的光电转换元件的转印开关用于从光电转换元件转移电荷。电压施加单元在部分地包括转印开关的转印周期的预定周期内向半导体层施加预定电压。

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