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热词
    • 95. 发明授权
    • 화상신호처리 방법 및 회로
    • 图像信号处理方法和电路
    • KR1019940008796B1
    • 1994-09-26
    • KR1019910016682
    • 1991-09-25
    • 삼성전자주식회사
    • 이수열
    • H04N1/40
    • Image signal processing method includes the steps of assigning the number of times of repetition of a shading correction for shading correction for shading correction of an image signal, generating a reference signal by sampling a photo-electric conversion signal to control its gain, converting data for correcting the shading waveform to an analogue signal according to the reference signal, converting a slice level signal having a predetermined reference value to an analogue signal according to the reference signal, generating shading correction information, and shading correcting a distorted image.
    • 图像信号处理方法包括对图像信号的阴影校正进行阴影校正的阴影校正的重复次数的分配的步骤,通过对光电转换信号进行采样来生成参考信号以控制其增益,将数据转换为 根据参考信号将阴影波形校正为模拟信号,根据参考信号将具有预定参考值的限幅电平信号转换为模拟信号,产生阴影校正信息,以及校正失真图像的阴影。
    • 97. 发明公开
    • 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
    • 半导体发光器件及其制造方法
    • KR1020140053530A
    • 2014-05-08
    • KR1020120119562
    • 2012-10-26
    • 삼성전자주식회사
    • 김태훈김성준김용일류영호손명락이수열이승환장태성황보수민
    • H01L33/12H01L33/44H01L33/46
    • H01L33/007H01L33/0079
    • A method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the embodiment of the present invention includes the steps of: preparing a substrate for growing a single crystal for a semiconductor; forming an isolation pattern to define a unit chip area on the substrate for growing the single crystal for the semiconductor; forming a light emitting structure which is lower than the isolation pattern by successively forming a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer on the region of the substrate for growing the single crystal for the semiconductor defined by the isolation pattern; forming a reflective metal layer to cover the isolation pattern and the light emitting structure; forming a support substrate on the reflective metal layer; removing the substrate for growing the single crystal for the semiconductor; and cutting the support substrate into individual light emitting devices.
    • 根据本发明的实施例的半导体发光器件的制造方法包括以下步骤:制备用于生长半导体单晶的衬底; 形成隔离图案以限定用于生长用于半导体的单晶的衬底上的单位芯片面积; 通过在用于生长用于由隔离图案限定的半导体的单晶的区域的区域上依次形成第一导电半导体层,有源层和第二导电半导体层,形成低于隔离图案的发光结构 ; 形成反射金属层以覆盖隔离图案和发光结构; 在所述反射金属层上形成支撑基板; 去除用于生长用于半导体的单晶的衬底; 并将支撑衬底切割成单独的发光器件。
    • 98. 发明授权
    • 회전 렌즈가 장착된 카메라
    • 相机配备可旋转镜头
    • KR101284010B1
    • 2013-07-09
    • KR1020060100561
    • 2006-10-17
    • 삼성전자주식회사
    • 진상훈구선기이수열
    • H04N5/225
    • 본 발명은 회전 렌즈가 장착된 카메라에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 피사체의 회전 영상을 획득하기 위한 회전모드 명령과 상기 피사체에 대한 영상신호 획득 명령을 입력받는 입력부와, 상기 영상신호 획득 명령에 의해 상기 피사체에 대한 영상신호를 획득하는 렌즈부와, 상기 회전모드 명령에 따라 상기 렌즈부를 시계방향 또는 시계반대방향으로 회전시키는 모터부와, 상기 렌즈부를 통해 투과된 피사체에 대한 영상신호를 출력하는 센서부와, 상기 회전모드 명령에 따라 상기 렌즈부를 회전시키도록 상기 모터부를 제어하는 제어부 및 상기 센서부를 통해 출력되는 상기 피사체에 대한 영상신호를 상기 제어부의 제어에 의해 표시하는 표시부를 포함한다. 따라서, 본 발명은 간단한 키 조작으로 카메라의 렌즈를 회전하여 피사체를 촬영함으로써 포커스의 변화 없이 다양한 각도에서 피사체의 촬영을 수행할 수 있는 효과가 있다.
      카메라, 렌즈, 회전영상
    • 99. 发明公开
    • 발광소자 패키지 및 그 제조방법
    • 发光器件封装及其制造方法
    • KR1020130011088A
    • 2013-01-30
    • KR1020110071978
    • 2011-07-20
    • 삼성전자주식회사
    • 양종인김성태김용일이수열채승완고형덕류영호
    • H01L33/48
    • H01L25/167H01L2224/48091H01L2224/49107H01L2924/00014
    • PURPOSE: A light emitting device package and a manufacturing method thereof are provided to minimize the side of the package by forming a bidirectional zener diode by partially doping a second surface of an undoped semiconductor substrate with impurities to omit the mounting area of the zener diode. CONSTITUTION: An undoped semiconductor substrate(10) includes a first surface(10a) and a second surface(10b) to face each other. A first conductive via and a second conductive via pass through the undoped semiconductor substrate to connect the first surface and the second surface. A light emitting device(20) is electrically connected to the first conductive via and the second conductive via. A bidirectional zener diode(30) is formed on the second surface of the undoped semiconductor substrate. A first external electrode(40a) and a second external electrode(40b) are formed on the second surface of the undoped semiconductor substrate.
    • 目的:提供一种发光器件封装及其制造方法,以通过用杂质部分掺杂未掺杂的半导体衬底的第二表面来形成双向齐纳二极管来最小化封装的侧面,以省略齐纳二极管的安装面积。 构成:未掺杂的半导体衬底(10)包括彼此面对的第一表面(10a)和第二表面(10b)。 第一导电通孔和第二导电通孔穿过未掺杂的半导体衬底以连接第一表面和第二表面。 发光器件(20)电连接到第一导电通孔和第二导电通孔。 在未掺杂半导体衬底的第二表面上形成双向齐纳二极管(30)。 第一外部电极(40a)和第二外部电极(40b)形成在未掺杂的半导体衬底的第二表面上。