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91. 发明公开

KR1020060112201A 메모리 어레이 회로 有权
标题翻译：内存阵列电路
公开(公告)号：KR1020060112201A
公开(公告)日：2006-10-31
申请号：KR1020060007621
申请日：2006-01-25
申请人： 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤
发明人： 무라타노부카즈
IPC分类号： G11C16/04
CPC分类号： G11C16/24 , G11C7/02 , G11C7/18 , G11C16/0491 , G11C2207/002
摘要： A memory array circuit is provided to change a sub bit line into a drain line or a source line, by changing a drain selection signal of a drain selector and a source selection signal of a source selector. Plural word lines are arranged in parallel. Plural bit lines are arranged in parallel and cross the word lines. A main bit line is installed at every two adjacent sub bit lines. A nonvolatile memory cell(MC) is installed at each crossing part of the word line and the sub bit line, and a control electrode is connected to the word line of the crossing part, and a first electrode is connected to the sub bit line of the crossing part, and a second electrode is connected to a sub bit line adjacent to the sub bit line. The nonvolatile memory cell reads and writes information of two bits by changing the direction of a voltage applied between the first and second electrodes. A drain selector is installed between one end of the sub bit line and a common power supply, and connects the sub bit line to the common power supply when a drain selection signal is applied. A source selector is installed between the other end of the sub bit line and the main bit line, and connects the sub bit line to the main bit line when a source selection signal is applied. Drain selection lines apply the drain selection signal to each drain selector, and source selection lines apply the source selection signal to each source selector.
摘要翻译：提供存储器阵列电路，通过改变漏极选择器的漏极选择信号和源选择器的源极选择信号来将子位线改变为漏极线或源极线。多个字线平行布置。多个位线平行布置并跨越字线。每两个相邻的子位线安装一个主位线。在字线和子位线的每个交叉部分安装非易失性存储单元（MC），并且控制电极连接到交叉部分的字线，并且第一电极连接到子位线交叉部分和第二电极连接到与子位线相邻的子位线。非易失性存储单元通过改变施加在第一和第二电极之间的电压的方向来读取和写入两位的信息。漏极选择器安装在子位线的一端和公共电源之间，并且当施加漏极选择信号时，将子位线连接到公共电源。源选择器安装在子位线的另一端和主位线之间，并且当应用源选择信号时，将子位线连接到主位线。漏极选择线将漏极选择信号施加到每个漏极选择器，源选择线将源选择信号施加到每个源极选择器。

92. 发明授权

KR100636580B1 반도체 가속도 센서 장치 및 그것을 제조하는 방법 失效
标题翻译：半导体加速传感器装置及其制造方法
公开(公告)号：KR100636580B1
公开(公告)日：2006-10-19
申请号：KR1020050008128
申请日：2005-01-28
申请人： 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤
发明人： 시즈노요시노리
IPC分类号： G01P15/08 , B81B7/02 , H01L21/56 , H01L23/28
CPC分类号： G01P1/023 , G01P15/123 , G01P15/18 , G01P2015/0842 , H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 다이 패드상에 고정된 가속도 센서 칩의 웨이트부가 낮은 탄성의 점착성 제 1 수지 부재로 코팅되더라도, 웨이트부는 외부 가속도에 의해 쉽게 변위된다. 따라서, 가속도가 정확하게 검출될 수 있다. 또한, 통상의 수지 패키지와 동일한 장기간의 신뢰도는, 가속도 감지를 위해 사용되지 않은 가속도 센서 장치의 부분들이 제 2 수지 부재로 밀봉되기 때문에 보장된다.
가속도 센서 칩, 수지 부재, 웨이트부, 다이 패드

93. 发明公开

KR1020060105433A 반도체 장치의 제조 방법 无效
标题翻译：制造半导体器件的手段
公开(公告)号：KR1020060105433A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：KR1020060007449
申请日：2006-01-24
申请人： 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤
发明人： 혼마도시히로
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L27/0928 , H01L21/823814 , H01L21/823857 , H01L21/823892 , H01L27/0922 , H01L29/42368 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , Y10S438/981
摘要： 과제
비교적 고속인 동작이 요구되는 저내압 MOS 트랜지스터의 동작 특성을 저하시키지 않고, 고내압 MOS 트랜지스터의 내압 특성을 개선한다.
해결 수단
저내압 영역의 액티브 영역과, 고내압 영역의 게이트 전극 (25) 이 형성되는 영역 밑의 액티브 영역과, 고내압 영역의 확산 영역 (23n/23p) 이 형성되는 한 쌍의 액티브 영역을 구분하는 소자 분리 절연막 (11) 을 포함하는 반도체 기판 (10) 을 준비하고, 게이트 전극 (25) 이 형성되는 영역 밑의 액티브 영역 및 이 액티브 영역과 인접하는 소자 분리 절연막 (11) 상에 개구를 갖는 규소 질화막 (44) 을 형성하며, 개구에 의해 노출된 반도체 기판 (10) 및 소자 분리 절연막 (11) 을 열산화하고, 규소 질화막 (44) 을 제거하며, 노출된 반도체 기판 (10) 을 열산화하여 게이트 절연막 (14) 을 형성하고, 게이트 절연막 (14 및 24) 상에 게이트 전극 (15, 25) 을 형성하고, 반도체 기판 (10) 에 한 쌍의 고농도 확산 영역 (13n/13p) 및 확산 영역 (23n/23p) 을 형성한다.
고내압 MOS 트랜지스터, 열 산화, 반도체 기판, 소자 분리 절연막, 규소 질 화막

94. 发明授权

KR100622322B1 드라이버 회로, 수신기 회로, 및 신호 전송 버스 시스템 有权
标题翻译：驱动电路，接收器电路和信号传输总线系统
公开(公告)号：KR100622322B1
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：KR1020010003078
申请日：2001-01-19
申请人： 오쯔까, 간지 , 우사미, 다모쯔 , 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 , 롬 가부시키가이샤 , 후지쯔 가부시끼가이샤 , 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 , 소니 주식회사 , 산요덴키가부시키가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바 , 파나소닉 주식회사 , 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
发明人： 오쯔까,간지 , 우사미,다모쯔
IPC分类号： G06F13/40
CPC分类号： G06F13/4072 , Y02D10/14 , Y02D10/151
摘要： 신호 전송 버스 시스템은 상보 신호의 존재 유무에 의해 이진 데이터값이 표시되는 전송 라인 쌍을 갖는다. 드라이버 회로는 상보 신호를 전송 라인 쌍에 공급하는 전류 경로를 개폐한다. 이 경로가 개방될 때, 드라이버 회로는 바이패스 전류 경로를 형성시켜, 드라이버 회로가 직류 회로로서 작용하고 전원 공급 및 접지 잡음을 발생시키지 않는다. 전송 라인 쌍에서 상보 신호의 존재 유무를 감지하는 수신기는 차동 증폭기 및 차동 증폭기의 입력 단자에 걸쳐 결합된 종단 트랜지스터를 포함함으로써, 고속의 신호를 신속하게 감지할 수 있도록 차동 증폭기의 입력 커패시턴스를 방전한다.

95. 发明公开

KR1020060095438A 반도체 기억장치 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：半导体存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060095438A
公开(公告)日：2006-08-31
申请号：KR1020050101640
申请日：2005-10-27
申请人： 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤
发明人： 오오사와케이스케
IPC分类号： H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L27/115
摘要： 공정수를 늘리지 않고, 부유 게이트 전극에 첨단형상이 쉽게 형성되지 않는 반도체 기억장치를 제조한다. 소자 분리홈(103)내에 퇴적된 절연재료(104)를 에칭할 때에, 매립 산화막(105)의 표면 높이를, 소자형성 영역(106)의 표면 높이보다도 낮아지도록 한다. 이에 따라 제 1터널막(107) 위에 부유 게이트 전극용 폴리실리콘 막(108)을 형성할 때, 이 폴리실리콘 막(108)이 매립 산화막(105) 위에서 아래쪽으로 만곡하는 형상이 된다. 따라서, 부유 게이트 전극(109)의 양단부에는, 첨단형상이 형성되지 않는다. 첨단형상이 없는 부유 게이트를 형성함으로써, 반도체 기억장치의 데이터 유지 특성을 향상시킬 수 있다.
매립 산화막, 폴리실리콘막, 데이터 유지 특성, 부유 게이트

96. 发明授权

KR100605275B1 반도체 기억 장치 失效
标题翻译：半导体存储设备
公开(公告)号：KR100605275B1
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：KR1020000012696
申请日：2000-03-14
申请人： 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤
发明人： 나가또모마사히꼬
IPC分类号： G11C16/04
CPC分类号： G11C16/3427 , G11C16/10 , G11C16/34 , G11C16/3418
摘要： 메모리 셀 (11) 로의 데이터 기입이 종료되고, 리세트 신호 (RST) 가 레벨 "H" 로 설정될 때, 기입 제어 회로 (30) 에 의해 출력된 제어 전압 (MCD) 가 접지 전압 (GND) 로 설정되어 드레인선 (DL) 상의 전하의 방전이 개시된다. 소정 시간이 경과되었을 때, 지연 회로 (50) 에 의해서 출력된 리세트 신호 (RST1) 는 레벨 "H" 로 설정되고, 데이터 기입 회로 (40) 로부터의 출력 신호가 접지 전압 (GND) 로 설정되어 소스선 상의 전하의 방전이 개시된다. 드레인선 (DL) 에서의 방전가 소스선의 방전보다 먼저 개시되기 때문에, 리세트 동작 동안 메모리 셀 (11) 내의 드레인과 소스 사이의 전위차는 증가하지 않고, 그에 의하여, 메모리 셀 (11) 로 전류가 확실히 흐르지 않도록 된다. 그 결과, 문턱 전압의 증가 때문에 발생되는 오류 데이터 기입과 엑세스에서의 지연이 방지될 수 있다.
반도체 기억 장치
摘要翻译：写入存储单元11的数据完成并且复位信号RST处于电平“H” 由写入控制电路30输出的控制电压MCD被设置为地电压GND，并且开始排放线DL上的电荷的放电。当经过了预定时间时，延迟电路50输出的复位信号RST1为电平“H” 并且来自数据写入电路40的输出信号被设置为接地电压GND，使得源极线上的电荷的放电开始。在复位操作期间存储单元11中的漏极和源极之间的电位差不会增加，因为漏极线DL处的放电在源极线放电之前开始，它不会流动。结果，可以防止由于阈值电压的增加和访问延迟导致的错误的数据写入。

97. 发明公开

KR1020060084781A 가속도 센서 有权
标题翻译：加速度传感器
公开(公告)号：KR1020060084781A
公开(公告)日：2006-07-25
申请号：KR1020050101174
申请日：2005-10-26
申请人： 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤
发明人： 카이타카유키
IPC分类号： G01P15/09
CPC分类号： G01P15/18 , G01P15/123 , G01P2015/084
摘要： An acceleration sensor includes a mass and a supporting member linked by a flexible beam. A strain detector having low-resistance areas at both ends is formed near a boundary between the beam and the mass or between the beam and the supporting member. A dielectric film formed on the supporting member and the beam has multiple contact holes disposed over each low-resistance area. Wiring formed on the dielectric film is connected to the low-resistance areas through the contact holes. The provision of multiple contact holes for each low-resistance area extends the life of the acceleration sensor by preventing sensor failure due to the separation or other failure of any single contact.
摘要翻译：可以防止压电电阻元件与接触孔内的布线之间的电连接处的接触缺陷，例如剥离和分离。压电电阻式（3）轴向速度传感器包括重量部分，设置在重量部分周围的基部51，固定在基部51上的周边固定部分42，以及以灵活的方式连接到分束器42的光束部分44。梁部44和上跨度位置P11的边界线的周围固定部42，一侧的（45-1）的压阻元件被提供，在延伸的梁部44和配重部分的边界上的位置，而另一个提供了压敏电阻元件。在各个压阻元件45-1的两个端部，所述结（46-1，46-2），分别形成，所述结（46-1，46-2），和多个触点串联布置到上层孔47a中的布线48电连接。

98. 发明公开

KR1020060071841A 가속도 센서 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：加速度传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060071841A
公开(公告)日：2006-06-27
申请号：KR1020050070811
申请日：2005-08-02
申请人： 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤
发明人： 이케가미나오카츠
IPC分类号： G01P3/488
CPC分类号： B81B3/0051 , B81B7/0012 , B81B2201/0235 , G01P1/023 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P15/18 , G01P2015/084 , G01P2015/0842
摘要： An acceleration sensor has a mass movably linked to a peripheral attachment section to which at least one stopper is attached to stop the motion of the mass in a certain direction. In the absence of acceleration, the mass rests at a distance from a first surface of the stopper. A quantity of a curable elastic adhesive on a second surface of the stopper absorbs impact of the mass on the first surface, enabling the acceleration sensor to survive mechanical shock. The curable elastic adhesive may adhere to the cover of a package in which the acceleration sensor is enclosed. The curable elastic adhesive may be applied as a drop or swath from a dispenser, which simplifies the manufacturing process and reduces the manufacturing cost.

99. 发明公开

KR1020060055395A 금전처리장치 无效
标题翻译：现金处理装置
公开(公告)号：KR1020060055395A
公开(公告)日：2006-05-23
申请号：KR1020050109982
申请日：2005-11-17
申请人： 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤
发明人： 콘도히로아쓰
IPC分类号： G07G1/12
CPC分类号： G07G1/12 , G06Q20/20 , G07F9/006
摘要： 오너에 의한 일괄 정산시에 자유도가 있는 금전처리장치를 제공한다. 입금되는 금전을 인식하여 계수하는 금전계수수단(6)과, 처리를 위한 정보입력과 처리 결과를 표시하는 조작 표시부(13)와, 조작 표시부(13)로부터 입력되는 테넌트 식별 정보와 금전계수수단이 계수한 집계 정보를 상기 테넌트 식별 정보마다 관련지어 수용하는 기억부(14)와, 관리자에 의한 지시 입력에 의해 기억부(14)에 수용한 금전의 일괄 정산처리를 행하는 제어부(15)를 갖는 금전처리장치(1)에 있어서, 테넌트점에는 금전처리장치와 데이터통신이 가능한 레지스터 단말기(3)를 배치하고, 기억부(14)에는 관리자 식별정보도 수용해 두어, 제어부(15)는 관리자 식별정보를 검출했을 때, 기억부(14)에 수용되어 있는 금전의 처리 정보를 검색하고, 일괄 정산처리 시작 전에 테넌트점 및 레지스터 단말기(3)의 정산상황을 조작 표시부(13)에 표시하여, 일괄정산� ��리를 실행가능하도록 한다.
금전처리장치, 레지스터 단말기, ID카드, 제어부, 기억부
摘要翻译：解决的问题：提供一种货币处理装置，当所有者执行集体关闭时提供自由度的货币处理装置。解决方案：信息管理系统1包括用于识别和计数所接收的货币的货币计数装置6; 用于显示用于处理的信息输入和处理结果的操作显示部分13; 存储部14，用于存储从操作显示部13输入的租户识别信息和由货币计数装置计数的计数信息，用于每一个租户识别信息; 以及控制部分15，其在管理者的指令输入时执行集中关闭存储在存储部分14中的货币的处理。能够向货币处理装置传送数据的登记终端3被放置在租户商店。管理者识别信息被存储在存储部分14中。当检测到管理者识别信息时，控制部分15搜索存储在存储部分14中的货币处理信息。在集体关闭过程开始之前，关闭的条件租户商店和登记终端3被显示在操作显示部分13上以使集体关闭的过程成为可能。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

100. 发明公开

KR1020060054161A 현금처리장치 失效
公开(公告)号：KR1020060054161A
公开(公告)日：2006-05-22
申请号：KR1020050108990
申请日：2005-11-15
申请人： 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤
发明人： 후지이타모쓰
IPC分类号： G07D11/00 , G07G1/00
CPC分类号： G07D13/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the labor of a guard by minimizing coins to be collected by the guard. SOLUTION: Coins and paper moneys collected from a register, and inputted to a coin payment port 11 and a paper money payment/reception port in payment are discriminately counted by a coin discriminating part 12 and a paper money discriminating part 22, and all the counted coins are stored in a coin storing part 14 for change, and the fractional sum which is less than the sum of paper money of the minimum denomination from the sum of sales stored in a sales storing part 5 is stored in the sales storing part 5 as a non-collected sum, and paper money for the sum calculated by subtracting the non-collected sum from the sum of sales among the counted paper money is stored in the paper money collection box 24, and coins for the non-collected sum are delivered from the coin storing part 14 for change to the coin collection box 15, and stored in collection. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

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