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    • 94. 发明公开
    • 삼중 주입을 사용하는, 클리빙에 의해 실리콘 박막을 분리하는 방법
    • 通过分割方法分离硅薄膜的方法,使用三重植入
    • KR1020120089851A
    • 2012-08-14
    • KR1020127007807
    • 2010-08-25
    • 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈
    • 또쟁,오렐리
    • H01L21/762
    • H01L21/76254Y10T156/1153
    • 실리콘 박막을 초기 기판으로부터 클리빙에 의하여 분리하기 위하여, 상기 초기 기판(10) 안에 물질을 자유 표면을 통해서 주입하는 방법은 연약층(13)을 형성하기 위하여 수행되고, 보강제를 사용하여 상기 자유 표면에 밀접하게 접촉시키는 선택적 고정 단계 이전 및/또는 이후에 적어도 450℃의 하나 이상의 중간 단계가 수행되고, 그 후 상기 연약층을 따라서 클리빙에 의한 분리 단계가 이루어진다. 상기 주입 단계는 붕소, 헬륨 및 수소를 임의의 순서로 상기 붕소 및 헬륨 농도가 동일한 깊이에서 최대 10nm의 길이로 얻어지도록 하는 주입 에너지로 상기 붕소, 헬륨 및 수소를 주입하는 단계를 포함하고, 상기 최대 농도는 최대 수소 농도보다 적은 레벨이고 상기 붕소 투여량은 최하 5 x 10
      13 B/cm
      2 이고 헬륨 및 수소의 전체 투여량은 최하 10
      16 atoms/cm
      2 이고 최대 4 x 10
      16 atoms/cm
      2 이고 바람직하게는 3 x 10
      16 atoms/cm
      2 이다.
    • 通过切割从施主衬底分离硅薄膜的方法包括在供体衬底内植入物质以形成弱层。 该物质以至少等于要分离的薄膜的厚度的深度植入。 在450℃以上进行热处理,沿着弱层进行裂解。 植入物种包括用注入能量注入硼,氦和氢,使得在基本上相同的深度获得氦和硼的最大浓度,分离至多10nm; 并且在比氦和硼浓度最大值大至少20nm的深度处获得氢浓度最大值。 硼的注入剂量至少等于5×1013B / cm2,氦和氢的剂量至少为1016原子/ cm2,最多为4×1016原子/ cm2。