专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101834276B1 확산 배리어 층을 포함하는 디바이스들 有权
标题翻译：包括扩散阻挡层的器件
公开(公告)号：KR101834276B1
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：KR1020160033543
申请日：2016-03-21
申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
发明人： 사후,사르베스워 , 블라버,마틴자일스 , 브리크너,후이 , 차오,통 , 쳉,유항 , 두다,존찰스 , 이,태-우
IPC分类号： G11B5/60 , G11B5/127 , G11B5/31
CPC分类号： G11B5/314 , G11B5/6088 , G11B2005/0021
摘要： 에어베어링표면(ABS)을갖는디바이스들이기재되며, 디바이스들은, 기입폴; 페그및 디스크를포함하는근접장 트랜스듀서(NFT) ―여기서, 페그는디바이스의 ABS에있음―; NFT의디스크에인접하게포지셔닝되는열 싱크; 디바이스의 ABS에서 NFT의페그에인접하게표지셔닝되는유전체갭; 및유전체갭, 디스크, 및열 싱크와기입폴 사이에포지셔닝되는등각적확산배리어층을포함하며, 여기서, 등각적확산배리어층은 135보다크지않은적어도하나의각을형성한다.
摘要翻译：描述了具有空气轴承表面（ABS）的装置，所述装置包括：写入极; 一种近场换能器（NFT），其包括插销和盘，其中插销位于装置的ABS处; 位于NFT的盘附近的散热器; 介质间隙标记在设备的ABS处NFT的挂钩附近; 以及位于介电间隙，盘片和写入极之间的各向同性的扩散阻挡层，其中共形扩散阻挡层形成至少一个不大于135°的角度。

2. 发明授权

KR101794738B1 플라즈마 처리 방법 有权
标题翻译：等离子处理方法
公开(公告)号：KR101794738B1
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：KR1020157020877
申请日：2014-11-19
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 이시마루마사토 , 시마다다케시 , 스야마마코토 , 아베다카히로
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/311 , G11B5/31 , H01L21/02
CPC分类号： C23F1/02 , C23F1/12 , C23F4/00 , H01L43/12
摘要： 본발명은, 피에칭막의치수를패터닝된치수보다축소시키는플라즈마처리방법에있어서, 치수의축소화에수반되는피에칭막의변형이나도괴를일으키지않고치수를축소시킬수 있는플라즈마처리방법을제공한다. 본발명은, 레지스트와상기레지스트의하방에배치된반사방지막과상기반사방지막의하방에배치된마스크용막을이용하여플라즈마에칭에의해탄탈막을트리밍하는플라즈마처리방법에있어서, 상기레지스트를마스크로하여플라즈마에칭에의해상기반사방지막과상기마스크용막을트리밍하고, 상기트리밍된반사방지막과상기트리밍된마스크용막을플라즈마에의해제거하며, 상기트리밍된레지스트와상기트리밍된반사방지막을플라즈마에의해제거한후의마스크용막을마스크로하여플라즈마에칭에의해상기탄탈막을트리밍하는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明中，在还原比图案化膜蚀刻尺寸维度的血液等离子体处理方法，提供了在sikilsu减小的尺寸等离子处理，而不会引起变形或折叠伴随尺寸的减小的蚀刻的膜的方法。在本发明中，抗蚀剂，并使用该抗蚀剂为布置在抗反射涂层膜的底部的掩模和反射下方配置有修剪钽膜的膜通过等离子蚀刻，等离子通过在等离子体处理方法的抗蚀剂作为掩模。由防反射膜和掩模等离子体修整和，去除之后通过蚀刻对掩模和所述修剪的防反射膜和用于它所述修剪掩模的薄膜通过等离子体去除，并防止所述装饰和所述修剪抗蚀剂反射膜为膜该膜通过等离子体蚀刻的掩模，其特征在于修剪钽膜。

3. 发明授权

KR101789600B1 니어 필드 트랜스듀서들(NFT들)의 부분들을 형성하는 방법들 및 그에 의해 형성된 물품들 有权
标题翻译：形成近场换能器（NFT）部分和由此形成的制品的方法
公开(公告)号：KR101789600B1
公开(公告)日：2017-10-25
申请号：KR1020150061523
申请日：2015-04-30
申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
发明人： 쳉,유항 , 안트라지,새미 , 지에글러,마이클 , 프렌젠,스콧 , 피처,필립지. , 레자,에드워드에프. , 위르만,쿠르트더블유.
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： G11B5/3133 , G11B5/3116 , G11B5/313 , G11B5/314 , G11B5/3163 , G11B2005/0021
摘要： 본발명은, NFT(near field transducer) 구조물의적어도일부를형성하는단계; 금속함유층을형성하기위해 NFT의일부의적어도하나의표면상에재료를증착하는단계; 및 NFT의일부의적어도하나의표면으로재료의적어도일부의확산을야기하는조건들에금속함유층이영향을받게하는단계를포함하는단계를포함한다.
摘要翻译：本发明包括至少形成（近场换能器）NFT结构的一部分的工序; 在NFT部分的至少一个表面上沉积材料以形成含金属层; 并且使含金属层经受导致至少一部分材料扩散到NFT部分的至少一个表面的条件。

4. 发明授权

KR101756299B1 에칭 정지부 구성 有权
标题翻译：蚀刻停止配置
公开(公告)号：KR101756299B1
公开(公告)日：2017-07-10
申请号：KR1020157028035
申请日：2014-02-28
申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
发明人： 차오,용준 , 리,리엔 , 조우,리주안 , 오스트로우스키,마크
IPC分类号： G11B5/31 , G11B5/60 , G11B5/00
CPC分类号： G11B5/314 , G11B5/3163 , G11B5/6088 , G11B2005/0021 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
摘要： 본원에개시된트랜스듀서헤드의제조방법은트랜스듀서헤드의 NFT 층상에스페이서층을증착하는단계, 트랜스듀서의스페이서층 상에에칭정지부층을형성하는단계, 상기에칭정지부층 상에클래딩층을증착하는단계, 및경사각도로클래딩층을밀링하는단계로서상기밀링이상기에칭정지부층에서정지되도록클래딩층을밀링하는단계를포함한다.
摘要翻译：如本文公开的制造换能器头的方法包括：在换能器头的NFT层上沉积间隔层;在换能器的间隔层上形成蚀刻停止层;在蚀刻停止层上形成包覆层并且铣削包覆层，使得包覆层在研磨相移步骤中停止在钉扎层处，作为以倾斜角度研磨包覆层的步骤。

5. 发明授权

KR101747051B1 잔류자화 영향을 보정하는 배관의 비파괴 검사방법 有权
标题翻译：用于校正剩余磁化效应管方法的非破坏性测试
公开(公告)号：KR101747051B1
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：KR1020160179252
申请日：2016-12-26
申请人： 한국가스공사
发明人： 노용우 , 유휘용 , 구성자 , 조성호 , 김동규 , 김대광 , 김재준
IPC分类号： G01N27/76 , G01N27/90 , G11B5/31
CPC分类号： G01N27/76 , G01N27/9013 , G11B5/3123
摘要： 본발명은자기장을이용하여배관을검사하는배관검사장치의센서로부터자기누설신호를획득하는자기누설신호획득단계, 상기자기누설신호의레벨을배경강도로서획득하는배경강도획득단계, 상기배관의미리저장된기준강도와상기배경강도를기초로보정비를산출하는보정비산출단계및 상기자기누설신호를보정비를이용하여보정하는보정단계를포함하는, 잔류자화영향을보정하는배관의비파괴검사방법을제공한다.
摘要翻译：本发明获得的漏磁信号，以获得从管道检查装置的传感器的磁泄漏信号为使用磁场步骤检测的配管，从而获得背景强度获得磁泄漏信号的电平为背景强度，管预先提供基于机器人的维护和用于校正管方法的非破坏性测试的存储的基准强度和所计算的校正计算的维护背景强度，残余磁化作用，其包括用于通过使用校正维护漏磁信号校正校正步骤的。

6. 发明公开

KR1020160105326A 적응형 HAMR 전력 데이터 저장 디바이스 审中-实审
标题翻译：自适应HAMR电源数据存储设备
公开(公告)号：KR1020160105326A
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：KR1020160021922
申请日：2016-02-24
申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
发明人： 가오,카이종 , 즈,웬종 , 게이지,에드워드 , 매글렌넨,제임스 , 트랜탐,존
IPC分类号： G11B5/127 , G11B5/31 , G11B5/60 , G11B5/00
CPC分类号： G11B5/596 , G11B5/012 , G11B5/09 , G11B2005/0018 , G11B2005/0021
摘要： 데이터저장디바이스는적어도, 레이저를갖고제어기에연결되는열 보조자기기록헤드로구성될수 있다. 열보조자기기록헤드는, 인접한데이터저장매체상에저장된제 1 및제 2 데이터비트들에근접하게포지셔닝될수 있다. 제 1 레이저전력은, 제 1 데이터비트가제 2 데이터비트와상이한자기극성인것에응답하여레이저에의해적용될수 있고, 상이한제 2 레이저전력은, 제 1 및제 2 데이터비트들이공통자기극성을갖는것에응답하여레이저에의해적용될수 있다.
摘要翻译：数据存储装置可以配置有至少一个具有激光并连接到控制器的热辅助磁记录头。热辅助磁记录头可以靠近存储在相邻数据存储介质上的第一和第二数据位。响应于具有与第二数据位具有不同磁极性的第一数据位，可以通过激光器施加第一激光功率，并且响应于第一和第二数据位具有不同的第二激光功率可以施加不同的第二激光功率，极性。

7. 发明公开

KR1020160077012A 플라즈마 처리 방법 有权
标题翻译：等离子体处理方法
公开(公告)号：KR1020160077012A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：KR1020157020877
申请日：2014-11-19
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 이시마루마사토 , 시마다다케시 , 스야마마코토 , 아베다카히로
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/311 , G11B5/31 , H01L21/02
CPC分类号： C23F1/02 , C23F1/12 , C23F4/00 , H01L43/12 , H01L21/3065 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , H01L21/02315 , H01L21/31144 , H01L21/32136
摘要： 본발명은, 피에칭막의치수를패터닝된치수보다축소시키는플라즈마처리방법에있어서, 치수의축소화에수반되는피에칭막의변형이나도괴를일으키지않고치수를축소시킬수 있는플라즈마처리방법을제공한다. 본발명은, 레지스트와상기레지스트의하방에배치된반사방지막과상기반사방지막의하방에배치된마스크용막을이용하여플라즈마에칭에의해탄탈막을트리밍하는플라즈마처리방법에있어서, 상기레지스트를마스크로하여플라즈마에칭에의해상기반사방지막과상기마스크용막을트리밍하고, 상기트리밍된반사방지막과상기트리밍된마스크용막을플라즈마에의해제거하며, 상기트리밍된레지스트와상기트리밍된반사방지막을플라즈마에의해제거한후의마스크용막을마스크로하여플라즈마에칭에의해상기탄탈막을트리밍하는것을특징으로한다.
摘要翻译：提供了一种等离子体处理方法，用于从图案化尺寸减小要蚀刻的膜的尺寸，并且能够减小尺寸，而不会导致待蚀刻的膜的变形或塌陷。使用抗蚀剂的等离子体蚀刻来修整钽膜的等离子体处理方法，设置在抗蚀剂下方的防反射膜和设置在抗反射膜下的掩模膜的步骤包括以下步骤：通过等离子体蚀刻对抗反射膜和掩模膜进行修整抗蚀剂作为掩模; 通过等离子体去除经过修整的抗蚀剂和抗反射膜; 作为掩模，通过用抗蚀剂和经过修整的抗反射膜之后获得的掩模膜通过等离子体蚀刻来修整钽膜作为掩模。

8. 发明公开

KR1020130063871A 자기 소자 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：磁性装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130063871A
公开(公告)日：2013-06-17
申请号：KR1020110130474
申请日：2011-12-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이우철 , 켄토카시키 , 권형준 , 정명훈
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/08 , C23F1/02 , C23F1/12 , G11B5/31 , H01L43/10
CPC分类号： C23F1/12 , C23F1/02 , C23F4/00 , G11B5/3163 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L43/10
摘要： PURPOSE: A magnetic device and a method for manufacturing the same are provided to secure a high integration magnetic device by using a magnetoresistive element with high aspect ratio for a fine MTJ cell. CONSTITUTION: A mask pattern is formed in a lamination structure including a lower magnetic layer, a tunneling barrier layer, and an upper magnetic layer(112). A hydrogen plasma process is performed on the upper surface of the laminating structure(114). A first part including the upper magnetic layer and the tunneling barrier layer is etched by using a first etching gas including H2 gas and a first additive gas(116). The ratio of the H2 gas to the first additive gas is more than 8 : less than 2. A second part including the lower magnetic layer is etched by using a second etching gas including the H2 gas and a second additive gas(118). The ratio of the H2 gas to the second additive gas is more than 8 : less than 2. [Reference numerals] (112) Form a mask pattern in a lamination structure including a lower magnetic layer, a tunneling barrier layer, and an upper magnetic layer; (114) Expose an exposed upper surface of the lamination structure to hydrogen plasma; (116) Etch a first part including the upper part magnetic layer and the tunneling barrier layer by using first etching gas including H2 gas of at least 80 weight% and residual first additive gas; (118) Etch a second part including the lower magnetic layer by using second etching gas including H2 gas of at least 80 weight% and residual second additive gas; (AA) Start; (BB) End
摘要翻译：目的：提供一种磁性器件及其制造方法，用于通过使用高精度MTJ电池的高纵横比的磁阻元件来确保高集成磁性器件。构成：掩模图案形成在包括下磁性层，隧道势垒层和上磁性层（112）的叠层结构中。在层压结构（114）的上表面上进行氢等离子体处理。通过使用包括H 2气体和第一添加剂气体（116）的第一蚀刻气体来蚀刻包括上磁性层和隧道势垒层的第一部分。 H2气体与第一添加剂气体的比例大于2：通过使用包括H 2气体的第二蚀刻气体和第二添加剂气体（118）来蚀刻包括下部磁性层的第二部分。（112）在包括下磁性层，隧道势垒层和上层磁性层的层叠结构中形成掩模图案层; （114）将层压结构的暴露的上表面暴露于氢等离子体; （116）通过使用包括至少80重量％的H 2气体的第一蚀刻气体和残留的第一添加气体来蚀刻包括上部磁性层和隧道势垒层的第一部分; （118）通过使用包括至少80重量％的H 2气体的第二蚀刻气体和残留的第二添加气体来蚀刻包括下部磁性层的第二部分; （AA）开始; （BB）结束

9. 发明授权

KR101252239B1 하드디스크용 박막형 피제티 글라이드 헤드의 제조방법 有权
标题翻译：用于硬盘的薄膜型PZT滑动头的制造方法
公开(公告)号：KR101252239B1
公开(公告)日：2013-04-08
申请号：KR1020110042591
申请日：2011-05-04
申请人： (주)파워쿨
发明人： 이재훈 , 홍광표 , 손종식 , 강종윤
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： G11B19/048 , G11B5/6058
摘要： 본 발명은 하드디스크용 박막형 PZT 글라이드 헤드의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 더욱 상세하게는 하드디스크 드라이브 미디어의 표면 결함을 검출하는 글라이드 헤드가 박막형 PZT로 제조됨으로써, 기존의 벌크형에 비해 슬라이더의 소형화가 이루어질 수 있음은 물론 그 크기도 초소형의 Femto Size에서 Pico Size까지의 적용이 가능하고, 기존의 벌크형의 압전소자를 반도체 공정을 사용한 박막형 압전소자로 대체함으로써, 낮은 부상 높이와 민감도 및 무게나 부피의 비중을 최소화할 수 있으며, 상부에 형성된 박막형 PZT 센서와 상기 박막형 PZT 센서의 하부에 형성되는 에어 베어링 표면(ABS)을 일체형으로 제조함으로써, 기존의 분리형보다 초소형의 설계가 가능하여 Femto Size의 글라이드 헤드의 제작에 유리하여 기술적으로 선점할 수 있음은 물론 반도체 공정을 통해 일체화하므로 경제적인 부가가치를 창출할 수 있으며, 글라이드 헤드를 박막형으로 제조함으로써, 소형화 및 경량화가 가능하여 기존의 벌크형 압전소자를 사용한 글라이드 헤드보다 부상의 높이를 감소시킬 수 있는 효과가 있다.

10. 发明公开

KR1020090086267A 헤드 서스펜션 어셈블리 및 캐리지 어셈블리 및 헤드 슬라이더 어셈블리의 제조 방법 无效
标题翻译：头枕悬挂组件，运输组件及制造头滑块总成的方法
公开(公告)号：KR1020090086267A
公开(公告)日：2009-08-11
申请号：KR1020097013359
申请日：2007-12-27
申请人： 도시바 스토리지 디바이스 가부시키가이샤
发明人： 하세가와신야 , 오다지마와타루 , 다와후미히로 , 미조시타요시후미
IPC分类号： G11B21/21 , G11B21/16 , G11B5/60 , G11B5/31
CPC分类号： G11B5/314 , G11B5/102 , G11B5/3146 , G11B5/3163 , G11B5/3173 , G11B5/4833 , G11B11/10536 , G11B2005/0021
摘要： An optical element (36) is sandwiched between a supporting surface (23a) of a head slider (23) and a head suspension (22). In the optical element (36), a light collecting surface (72) and a reflecting surface (73) are demarcated. Light collected by the light collecting surface (72) is reflected by the reflecting surface (73). Thus, light is guided to an optical waveguide (71) of a head slider (23). In manufacture of such head suspension assembly (21), relative positions of the optical waveguide (71) of the head slider (23) and the optical element (36) are adjusted. The head slider (23) and the optical element (36) are more easily positioned compared with conventional cases. A head suspension assembly (21) is easily assembled. ® KIPO & WIPO 2009
摘要翻译：光学元件（36）夹在磁头滑块（23）的支撑表面（23a）和磁头悬架（22）之间。在光学元件（36）中，划分有光收集表面（72）和反射表面（73）。由光收集表面（72）收集的光被反射表面（73）反射。因此，光被引导到磁头滑动器（23）的光波导（71）。在这种头悬挂组件（21）的制造中，调节磁头滑动器（23）的光波导（71）和光学元件（36）的相对位置。与常规情况相比，头部滑动器（23）和光学元件（36）更容易定位。头部悬挂组件（21）容易组装。 ®KIPO＆WIPO 2009

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式