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1. 发明授权

KR102093107B1 다중 전자빔 리소그래피용 블랭크 마스크 및 포토마스크 有权
公开(公告)号：KR102093107B1
公开(公告)日：2020-03-25
申请号：KR1020160165816
申请日：2016-12-07
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 신철 , 이종화 , 양철규
IPC分类号： G03F1/22 , G03F1/40 , H01L21/205 , H01L21/203 , H01L21/027

2. 发明授权

KR101989469B1 마스크 블랭크 및 포토마스크 有权
公开(公告)号：KR101989469B1
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：KR1020180134633
申请日：2018-11-05
申请人： 클린 서피스 기쥬츠 가부시키가이샤
发明人： 하토리이사오
IPC分类号： G03F1/20 , G03F1/40 , H01L21/027

3. 发明公开

KR1020170067154A 다중 전자빔 리소그래피용 블랭크 마스크 및 포토마스크 审中-实审
标题翻译：用于多电子束光刻的空白掩模和光掩模
公开(公告)号：KR1020170067154A
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：KR1020160165816
申请日：2016-12-07
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 신철 , 이종화 , 양철규
IPC分类号： G03F1/22 , G03F1/40 , H01L21/205 , H01L21/203 , H01L21/027
摘要： 본발명은투명기판, 적어도 1층이상의금속막및 열방사막을포함하여구성된다중전자빔리소그래피용블랭크마스크및 포토마스크로써, 다중전자빔을이용하여생산성을높이고, 열방사막을형성하여내열성을향상시킨다중전자빔리소그래피용블랭크마스크및 포토마스크를제공한다.
摘要翻译：本发明的电子束因而通过使用作为多电子束光刻空白掩模，以提高生产率，并且针对被配置包括一个透明衬底的光掩模中，至少一个层上的所述金属膜与国家沙漠，一个多电子束，以提高耐热性形成A N沙漠ü 提供用于光刻的空白掩模和光掩模。

4. 发明公开

KR1020130044393A 대전 방지 포토 마스크 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：防静电照相机及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130044393A
公开(公告)日：2013-05-03
申请号：KR1020110096360
申请日：2011-09-23
申请人： (주)마이크로이미지
发明人： 유창권 , 이희영
IPC分类号： G03F1/40 , G03F1/00
CPC分类号： G03F1/40 , G03F1/144 , G03F1/32 , G03F1/54 , G03F1/80 , H01L21/31144 , H01L21/32139
摘要： PURPOSE: An antistatic photomask is provided to prevent damages on the photomask in a light exposure step by removing fundamental causes of static electricity generation, thereby being capable of forming precise patterns. CONSTITUTION: An antistatic photomask comprises a glass substrate(10), a light-shielding film consisting of a non-light permeable material and a transparent conducting film(20). The transparent conducting film is formed between the glass substrate and a light-shielding film. The transparent conducting film is an indium tin oxide thin film. A manufacturing method of the antistatic photomask comprises a step of forming the transparent conducting film on the glass substrate; a step of forming a light-shielding film on the transparent conducting film; and a step of forming a photoresist film(40) on the light-shielding film.
摘要翻译：目的：提供防静电光掩模，通过消除静电产生的根本原因，防止光曝光步骤中的光掩模损坏，从而能够形成精确的图案。构成：抗静电光掩模包括玻璃基板（10），由不透光材料构成的遮光膜和透明导电膜（20）。透明导电膜形成在玻璃基板和遮光膜之间。透明导电膜是氧化铟锡薄膜。抗静电光掩模的制造方法包括在玻璃基板上形成透明导电膜的工序; 在透明导电膜上形成遮光膜的步骤; 以及在所述遮光膜上形成光致抗蚀剂膜（40）的步骤。

5. 发明授权

KR100646986B1 포토마스크 및 이를 이용한 노광 방법 有权
标题翻译：保留所有权利
公开(公告)号：KR100646986B1
公开(公告)日：2006-11-23
申请号：KR1020050076794
申请日：2005-08-22
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 정영로
IPC分类号： G03F1/00 , G03F1/40 , G03F7/00
摘要： A photo-mask capable of modifying patterns is provided to enable patterns to be modified by using multiple cells in the photo-mask, thereby being applicable in various exposure processes, by fabricating upper and lower electrode plates containing multiple cells therein, respectively, and polar molecular layer between the plates. The photo-mask(200) comprises: lower electrode plate(202) consisting of a number of lower cells; upper electrode plate(204) consisting of a number of upper cells corresponding to the lower cells; polar molecular layer(206) comprising polar molecules, which is positioned between the electrode plates. The polar molecules are constantly aligned according to voltage applied in one of the upper cells and a corresponding lower cell. Externally emitted light passes through the aligned polar molecules. The polar molecular layer comprises dielectric material containing the polar molecules. The cells are individually partitioned by transparent insulation elements.
摘要翻译：提供一种能够修改图案的光掩模，以通过在光掩模中使用多个单元来使图案能够被修改，由此可以应用于各种曝光工艺中，分别通过制造其中包含多个单元的上部和下部电极板以及极性分子层之间的板。该光掩模（200）包括：由多个下单元组成的下电极板（202）上部电极板（204），其由对应于下部电池的多个上部电池构成; 极性分子层（206）包含位于电极板之间的极性分子。极性分子根据施加在上部电池和对应的下部电池中的一个中的电压而恒定地对准。外部发射的光线穿过排列的极性分子。极性分子层包含含有极性分子的电介质材料。电池单独由透明绝缘元件分隔。

6. 发明公开

KR20180018526A 도전막 부착 기판, 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：具有导电膜的基板，具有多层反射膜的基板，反射型掩模基板，反射型掩模以及半导体装置的制造方法
公开(公告)号：KR20180018526A
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：KR20177035098
申请日：2016-06-08
申请人： HOYA CORP
发明人： KOBAYASHI TAKUMI , HAMAMOTO KAZUHIRO , ASAKAWA TATSUO , SHOKI TSUTOMU
IPC分类号： G03F1/24 , G03F1/40 , G03F1/50 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/24 , G03F1/40
摘要： 본발명은, 패턴전사시의반사형마스크의위치어긋남을방지할수 있는반사형마스크를제조하기위한도전막부착기판을얻는다. 리소그래피에사용되는마스크블랭크용기판의주표면상의한쪽의표면에, 도전막이형성된도전막부착기판으로서, 상기도전막표면의정마찰계수가 0.25 이상인것을특징으로하는도전막부착기판이다.
摘要翻译：本发明提供一种具有用于制造反射掩模的导电膜的基板，其能够防止在图案转移时反射掩模的位置偏移。一种具有导电膜的基板，在用于光刻的掩模板容器板的主表面的一个表面上形成导电膜，其中所述导电膜具有至少0.25的静摩擦系数。

7. 发明授权

KR101703654B1 정전기 방전에 의한 패턴 손상 방지용 포토마스크 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：用于通过静电放电防止损坏的光电及其制造方法
公开(公告)号：KR101703654B1
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：KR1020160135458
申请日：2016-10-19
申请人： (주)네프코
发明人： 박중철
IPC分类号： G03F1/40 , G03F1/50 , G03F1/00 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/40 , G03F1/08 , G03F1/50 , G03F7/0002 , H01L21/0274
摘要： 본발명은정전기방전에의한패턴손상방지용포토마스크및 그제조방법에관한것으로, 더욱상세하게는접촉식포토리소그래피공정에사용하는포토마스크에있어서, 전도성물질을이용함으로써, 종래의포토마스크와동일한구조를갖지만접촉식포토리소그래피공정중 발생하는정전기방전에의한포토마스크내 패턴손상을효과적으로방지하고이때고투과성전도성물질을사용함으로써기존과동일한노광효율을구현할수 있는포토마스크제조기술에관한것이다.

8. 发明公开

KR1020160006029A 금속 마스크를 이용한 패터닝 방법 및 그 패터닝 방법을 포함한 반도체 소자 제조방법 审中-实审
标题翻译：使用金属掩模的绘图方法，以及包含相同方式的制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020160006029A
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：KR1020140085355
申请日：2014-07-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전경엽 , 김동찬 , 민경진 , 박재홍 , 한제우
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/40
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/02107 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/3081 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L21/32139 , H01L21/76816 , H01L21/76898 , H01L21/0274
摘要： 본발명의기술적사상은높은종횡비의홀을용이하게형성할수 있는금속마스크를이용한패터닝방법및 그패터닝방법을포함한반도체소자제조방법을제공한다. 그패터닝방법은식각대상층상에하부금속층과상부금속층을순차적으로형성하는단계; 상기상부금속층을패터닝하여상부금속마스크를형성하는단계; 상기상부금속마스크를이용하여상기하부금속층을패터닝하여하부금속마스크를형성하는단계; 및상기상부금속마스크를이용하여상기식각대상층을패터닝하는단계;를포함한다.
摘要翻译：本发明的技术思想是提供一种能够容易地以高纵横比形成孔的金属掩模的图案化方法以及包括图案化方法的半导体器件的制造方法。图案化方法包括以下步骤：在待蚀刻的层上依次形成下金属层和上金属层; 通过图案化上金属层形成上金属掩模; 通过使用上金属掩模图案化下金属层来形成下金属掩模; 并通过使用上金属掩模图案化待蚀刻的层。

9. 发明公开

KR20070076320A PHOTO MASK 审中-公开
标题翻译：照片掩码
公开(公告)号：KR20070076320A
公开(公告)日：2007-07-24
申请号：KR20060005540
申请日：2006-01-18
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： CHOI WON WOONG
IPC分类号： G03F1/54 , G03F1/40
摘要： Provided is a photomask having a structure to prevent electric charges accumulated in a light barrier from immigrating to a shot region susceptible to discharge of static electricity, thereby preventing destruction of pattern caused by discharge of static electricity in the photomask. The photomask includes a transparent substrate; a shot region(52) having a pattern formed on the transparent substrate; and a cutoff region(60) covered with a light barrier around the shot region on the transparent substrate; and a static electricity prevention ring(52) formed by removing a part of the light barrier around the shot region so as to separate the light barrier around the shot region from the light barrier of the outer part of the transparent substrate. The static electricity prevention ring is spaced farther than an offset margin of light from the boundary of the shot region and has a width of 0.5 mm to 2.0 mm.
摘要翻译：提供一种光掩模，其具有防止蓄积在光障层中的电荷移动到易于静电放电的照射区域的结构，从而防止由光掩模中的静电放电引起的图案的破坏。光掩模包括透明基板; 具有形成在所述透明基板上的图案的照射区域（52）以及在所述透明基板上的所述照射区域周围覆盖有光阻挡的截止区域（60）以及静电防止环（52），其通过去除所述照射区域周围的所述光阻挡部分的一部分而形成，以将所述照射区域周围的光屏障与所述透明基板的外部部分的光屏障分离。静电防止环距射出区域的边界的光的偏移距离更远，并且具有0.5mm至2.0mm的宽度。

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