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1. 发明公开

KR20180070561A 장쇄 알킬기함유 노볼락을 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물 审中-公开
公开(公告)号：KR20180070561A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：KR20187008092
申请日：2016-10-14
申请人： NISSAN CHEMICAL IND LTD
发明人： SAITO DAIGO , ENDO TAKAFUMI , KARASAWA RYO , SAKAMOTO RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08G8/10 , C08G12/08 , G03F7/26
CPC分类号： C08G8/10 , C08G12/08 , G03F7/11 , G03F7/26
摘要： [과제] 폴리머의열리플로우성을높임으로써소성시의패턴에대한충전성을개선하고, 기판상에평탄화성이높은도막을형성하기위한레지스트하층막형성조성물. [해결수단] 방향족화합물(A)과탄소원자수 2~26의알킬기의제2급탄소원자또는제3급탄소원자에결합된포르밀기를갖는알데히드(B)의반응에의해얻어지는노볼락수지를포함하는레지스트하층막형성조성물. 노볼락수지가하기식(1):(식(1) 중, A는탄소원자수 6~40의방향족화합물로부터유도되는 2가기를나타내고, b은탄소원자수 1~16의알킬기를나타내고, b는수소원자또는탄소원자수 1~9의알킬기를나타낸다.)로표시되는단위구조를포함한다. A가아미노기, 하이드록실기, 또는그 양자를포함하는방향족화합물로부터유도되는 2가기이다. 레지스트하층막형성조성물을반도체기판상에도포하고소성하여하층막을형성하는공정을포함하는반도체의제조에이용되는레지스트패턴의형성방법.

2. 发明公开

KR20180025849A 장쇄알킬기를 갖는 에폭시부가체를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물 审中-公开
标题翻译：包含具有长链烷基的环氧加合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
公开(公告)号：KR20180025849A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：KR20177032509
申请日：2016-06-20
申请人： NISSAN CHEMICAL IND LTD
发明人： ENDO TAKAFUMI , SAITO DAIGO , KARASAWA RYO , SAKAMOTO RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08G59/18 , C08G59/22 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
摘要： [과제] 기판상에평탄화성이높은도막을형성하기위한레지스트하층막형성조성물을제공한다. [해결수단] 에폭시기함유화합물(A)과, 에폭시부가체형성화합물(B)의반응에의해얻어지는에폭시부가체(C)를포함하고, 분지를가질수도있는탄소원자수 3 이상의알킬기를이 화합물(A) 및이 화합물(B)의일방또는쌍방에포함하고있는것인레지스트하층막형성조성물. 에폭시부가체형성화합물(B)이, 카르본산(B1), 카르본산무수물(B2), 페놀화합물(B3), 하이드록실기함유화합물(B4), 티올화합물(B5), 아미노화합물(B6), 및이미드화합물(B7)로이루어진군으로부터선택된적어도 1종의화합물이다. 분지를가질수도있는탄소원자수 3 이상의알킬기가에폭시부가체형성화합물(B)에포함되어있는것이다. 분지를가질수도있는알킬기가탄소원자수 3 내지 19의알킬기이다.
摘要翻译：本发明提供一种在基板上形成平坦化性高的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。 [解决问题的手段]的环氧化合物（A）和环氧加合物以形成化合物（B）的环氧树脂的加合物（C）反应性基团的含有与化合物的烷基的碳原子数3以上，也可以具有由（A获得的任何分支）和化合物（B）。环氧加成物，以形成化合物（B）是，羧酸（B1），羧酸酐（B2），酚化合物（B3），羟基化合物基的（B4）中，硫醇化合物（B5），氨基化合物（B6），和酰亚胺化合物（B7）。并且，环氧加合物形成性化合物（B）中含有可以具有分支的碳原子数3以上的烷基。可以具有支链的烷基是具有3至19个碳原子的烷基。

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