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1. 发明授权

KR100651825B1 기계적인 스위치를 이용한 메모리 어레이, 그의 제어 방법,기계적인 스위치를 이용한 표시 장치 및 그의 제어 방법 失效
标题翻译： 기계인인를를를，，，，，를를를를를를를
公开(公告)号：KR100651825B1
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：KR1020050114665
申请日：2005-11-29
申请人： 한국과학기술원
发明人： 장원위 , 권오득 , 이정언 , 윤준보
IPC分类号： H01L27/00
摘要： A memory array using a mechanical switch is provided to easily form a memory array without using a semiconductor transistor by using a mechanical switch having a dimple. A plurality of word lines are prepared. A plurality of bit lines cross the plurality of word lines. A plurality of mechanical switches are disposed in a crossing portion of the word lines and bit lines. A gate electrode(120) is connected to each word line. A drain electrode(140) is connected to a capacitor(160), separated from the gate electrode. The capacitor includes a first electrode, a second electrode and a dielectric layer formed between the first and second electrodes. An attach part is connected to each bit line, separated from the gate electrode. A transfer part is extended from the attach part, separated from the gate electrode. A source electrode(150) is extended from the transfer part, composed of a dimple of a protrusion type.
摘要翻译：提供使用机械开关的存储器阵列以通过使用具有凹坑的机械开关而不使用半导体晶体管而容易地形成存储器阵列。准备多个字线。多条位线跨过多条字线。多个机械开关设置在字线和位线的交叉部分中。栅电极（120）连接到每条字线。漏电极（140）连接到与栅电极分离的电容器（160）。该电容器包括第一电极，第二电极和形成在第一和第二电极之间的介电层。连接部分连接到每个位线，与栅电极分离。转移部分从附连部分延伸出来，与栅电极分离。源电极（150）从传送部分延伸，由突起类型的凹坑组成。

2. 发明授权

KR101004582B1 미케니컬 스위치 失效
标题翻译：机械开关
公开(公告)号：KR101004582B1
公开(公告)日：2010-12-30
申请号：KR1020080088025
申请日：2008-09-08
申请人： 한국과학기술원
发明人： 윤준보 , 김민우 , 장원위
IPC分类号： H01L29/00
摘要： 본 발명은 미케니컬 스위치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 미케니컬 스위치는, 기판, 기판상에 형성된 제1 전극, 기판상이고, 또한 제1 전극의 양측에 소정의 간격으로 이격되어 형성된 두 개의 제2 전극, 기판상이고, 또한 기판의 표면에 대하여 수직방향으로 제1 전극 및 제2 전극과 이격되어 형성된 부착부와, 부착부로부터 제1 전극 및 제2 전극에 대하여 수평방향으로 연장형성되고, 제1 전극 및 제2 전극과 이격되어 형성된 이동부를 포함하는 이동 전극을 포함한다.
미케니컬 스위치, 정전 구동, 캔틸레버

3. 发明授权

KR100717870B1 기계적인 스위치를 이용한 논리 회로 失效
标题翻译：逻辑电路使用机械开关
公开(公告)号：KR100717870B1
公开(公告)日：2007-05-14
申请号：KR1020050105387
申请日：2005-11-04
申请人： 한국과학기술원
发明人： 권오득 , 장원위 , 이정언 , 윤준보
IPC分类号： H01H36/00
摘要： 정전 구동 방식의 기계적인 스위치 및 그를 이용한 논리 회로가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기계적인 스위치는 제 1 전극, 제 1 전극 상에 형성된 절연층, 절연층 상에 형성된 제 2 전극 및 절연층 상에 제 2 전극과 이격되어 형성된 부착부 및 부착부로부터 연장 형성되고, 절연층 및 제 2 전극과 이격되어 형성된 이동부로 구성된 이동 전극을 포함한다. 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 기계적인 스위치를 이용한 논리 회로는 제 1 전극, 제 1 전극 상에 형성된 절연층, 절연층 상에 형성된 제 2 전극 및 절연층 상에 제 2 전극과 이격되어 형성된 부착부 및 부착부로부터 연장 형성되고, 절연층 및 제 2 전극과 이격되어 형성된 이동부로 구성된 이동 전극을 포함한 기계적인 스위치들을 다양하게 배선함으로써 구성한다.
기계적인 스위치, 논리 회로, 정전 구동
摘要翻译：提供静电驱动型的机械开关和使用该机械开关的逻辑电路。根据本发明的一个实施例的机械开关包括第一电极，在第二电极上的第二附接部和形成在所述绝缘层，形成于间隔开的第一电极和第二电极的绝缘层上的绝缘层和一个安装部并且由绝缘层和与第二电极间隔开的移动部分形成的移动电极。根据本发明的一个实施例的使用机械开关的逻辑电路包括：第一电极，形成在第一电极层上的绝缘性，在所述第二电极以及形成从形成在所述第二电极隔开的绝缘层上的绝缘层以及从所述附接部分和所述附接部分延伸并由绝缘层和与所述第二电极隔开的可移动部分组成的可动电极。

4. 发明公开

KR1020090102406A 마이크로 전자기계 시스템 소자의 패키징 방법 및 그패키지 有权
标题翻译：微电子机械系统装置的包装方法及其包装
公开(公告)号：KR1020090102406A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：KR1020080027837
申请日：2008-03-26
申请人： 한국과학기술원
发明人： 윤준보 , 이병기 , 장원위
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： B81C1/00333 , B81C2201/0149 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145 , B82Y30/00
摘要： PURPOSE: A package of an electro mechanical systems element and a packaging method thereof are provided to minimize the chemical and physical damage of a MEMS element generated during the removing process. CONSTITUTION: A package method of an electro mechanical systems element comprises followings. A sacrificial layer and a support layer(330) are successively formed at the top of a substrate(300) in which the electro mechanical systems element is formed. A block copolymer is self-assembled by forming a block copolymer. A plurality of nanoporous is made by selectively removing the assembled block copolymer. An etching hole is formed at the support layer by using the block copolymer with the nanoporous as a mask. The sacrificial layer is removed through the etching hole formed in the support layer.
摘要翻译：目的：提供一种电子机械系统元件的包装及其包装方法，以最小化在去除过程中产生的MEMS元件的化学和物理损坏。构成：机电系统元件的封装方法如下。牺牲层和支撑层（330）依次形成在其中形成电机械系统元件的基板（300）的顶部。嵌段共聚物通过形成嵌段共聚物而自组装。通过选择性地除去组装的嵌段共聚物来制备多个纳米孔。通过使用具有纳米多孔作为掩模的嵌段共聚物在支撑层上形成蚀刻孔。牺牲层通过形成在支撑层中的蚀刻孔去除。

5. 发明授权

KR100857085B1 기계적인 스위치를 이용한 메모리 어레이의 동작방법 失效
标题翻译：使用机械开关操作存储器阵列的方法
公开(公告)号：KR100857085B1
公开(公告)日：2008-09-05
申请号：KR1020070048464
申请日：2007-05-18
申请人： 한국과학기술원
发明人： 윤준보 , 장원위 , 이정언
IPC分类号： G11C7/00
CPC分类号： G11C23/00 , G11C11/565
摘要： A method for operating a memory array using a mechanical switch is provided to perform random access addressing by selecting a single memory cell, by assembling a source voltage and a gate voltage. According to a method for operating a memory array using a mechanical switch, a first voltage is applied to a selected bit line(B/L0) of a number of bit lines. A second voltage is applied to a selected word line(W/L0) of a number of word lines. The second voltage is larger than the sum of the first voltage and a pull-in voltage. A voltage smaller than the sum of a minimum voltage of the bit line and the pull-in voltage and larger than the difference between a maximum voltage of the bit line and the pull-in voltage is applied to an unselected word line.
摘要翻译：提供了使用机械开关操作存储器阵列的方法，通过组合源极电压和栅极电压来选择单个存储器单元来执行随机存取寻址。根据使用机械开关操作存储器阵列的方法，第一电压被施加到多个位线的选定位线（B / L0）。第二电压被施加到多个字线的选定字线（W / L0）。第二电压大于第一电压和引入电压之和。小于位线的最小电压和引入电压之和并且大于位线的最大电压和引入电压之间的差的电压被施加到未选择的字线。

6. 发明授权

KR100621827B1 비휘발성 미케니컬 메모리 失效
标题翻译：非易失性机械内存
公开(公告)号：KR100621827B1
公开(公告)日：2006-09-11
申请号：KR1020050072475
申请日：2005-08-08
申请人： 한국과학기술원
发明人： 장원위 , 권오득 , 윤준보
IPC分类号： G11C16/04 , B82Y30/00
摘要： 본 발명은 비휘발성 미케니컬 메모리에 관한 것으로, 보다 상세하게는 메모리에 전압을 인가하면 정전 구동(electrostatic actuation) 방식에 의해 이동전극이 이동하면서 캐패시터에 전하가 저장되거나 방출되는 원리를 응용한 비휘발성 미케니컬 메모리에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 종래의 휘발성 메모리인 DRAM과 비슷한 간단한 구조를 가지면서도, 누설전류가 발생하지 않아서 리프레시가 필요없는 비휘발성 플래시 메모리를 제작할 수 있는 효과가 있다.
비휘발성 메모리, 플래시 메모리, 미케니컬 메모리, 반도체 트랜지스터, MEMS 스위치
摘要翻译：本发明是非易失性的机械涉及的存储器，并且更具体地，当电压被施加的原则，即当电荷由静电驱动器存储或排出到电容器移动电极移动施加到存储器比（静电致动）方法易挥发的机械记忆。

7. 发明授权

KR100944408B1 유기발광다이오드 구동회로, 이를 포함하는 디스플레이장치 및 그 구동방법 有权
标题翻译：有机发光二极管的驱动电路，包括其的显示装置及其驱动方法
公开(公告)号：KR100944408B1
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：KR1020070019349
申请日：2007-02-27
申请人： 한국과학기술원
发明人： 윤준보 , 이정언 , 장원위
IPC分类号： G09G3/30
摘要： 본 발명은 유기발광다이오드 구동회로, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 그 구동방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명에 따른 유기발광다이오드 구동회로는 데이터라인 및 스캔라인과 전기적으로 연결되고, 데이터라인에 입력되는 데이터신호와 스캔라인에 입력되는 스캔신호에 따라 데이터신호를 출력하는 제1스위치, 제1스위치와 전기적으로 연결되어, 제1스위치로부터 출력되는 데이터신호를 저장하는 저장부, 전원공급부와 전기적으로 연결된 유기발광소자 및 저장부에 저장되는 데이터신호에 따라 유기발광소자와 기준전압을 전기적으로 연결하는 제2스위치를 포함한다.
유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED), 기계식 스위치, 마이크로전기기계시스템(Micro Electro Mechanical System, MEMS), 나노전기기계시스템(Nano Elector Mechanical System, NEMS)

8. 发明授权

KR100818239B1 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀 및 그동작방법 失效
标题翻译：使用机械开关的非易失性存储器单元及其驱动方法
公开(公告)号：KR100818239B1
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：KR1020070034728
申请日：2007-04-09
申请人： 한국과학기술원
发明人： 윤준보 , 이정언 , 장원위
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L27/24
摘要： A non-volatile memory cell using a mechanical switch and an operating method thereof are provided to perform reading, writing and erasing operation by using one mechanical switch and one FET. A source(102) and a drain(103) are spaced apart from each other in a substrate(101), and an insulating layer(104) is formed on the substrate. A floating gate(105) is formed on the surface of the insulating layer between the source and the drain. A selection gate(106) is formed on the surface of the insulating layer between the source and the drain, and is spaced apart from one side of the floating gate. A control gate(107) is formed on the surface of the insulating layer, and is spaced apart from the other side of the floating gate. A moving electrode(108) applies a potential of the selection gate to the floating gate.
摘要翻译：提供使用机械开关及其操作方法的非易失性存储单元，通过使用一个机械开关和一个FET来执行读取，写入和擦除操作。源极（102）和漏极（103）在衬底（101）中彼此间隔开，并且在衬底上形成绝缘层（104）。在源极和漏极之间的绝缘层的表面上形成浮栅（105）。选择栅极（106）形成在源极和漏极之间的绝缘层的表面上，并且与浮动栅极的一侧间隔开。在绝缘层的表面上形成控制栅极（107），并且与浮动栅极的另一侧间隔开。移动电极（108）将选择栅极的电位施加到浮动栅极。

9. 发明公开

KR1020060100340A 폴리머 패턴 형성방법 및 이를 이용한 금속 박막 패턴,금속 패턴, 플라스틱 몰드 구조 및 이들의 형성방법 有权
标题翻译：形成聚合物图案和金属膜图案的方法，金属图案，使用其的塑料模具结构及其形成方法
公开(公告)号：KR1020060100340A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：KR1020060082969
申请日：2006-08-30
申请人： 한국과학기술원
发明人： 장성일 , 김대현 , 이형석 , 최준용 , 장원위 , 이경호 , 윤준보
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/00
CPC分类号： H01L21/0272 , B81B2203/0118 , B81B2203/019 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00166 , G02B3/0012 , G02B3/0056 , G03F7/0005 , G03F7/201 , G03F7/2014 , H01L21/0274 , H01L21/76885 , H01L23/5222 , H01L2924/0002 , Y10T428/24479 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 종래 리소그래피 공정에 따른 수단 및 방법을 달리하여 다양한 형상을 갖는 폴리머 패턴, 이를 이용한 금속 박막 패턴, 금속 패턴 및 플라스틱 몰드구조 및 그 형성방법 등에 관한 것이다.
이러한 본 발명의 폴리머 패턴 형성방법은 기판 위에 폴리머 패턴을 형성하는 방법에 있어서, (a) 상기 기판 위에 감광성 폴리머를 도포하여 폴리머 막을 형성하는 단계와, (b) 상기 폴리머 막 상에 포토마스크를 배치하는 단계 및 (c) 상기 포토마스크를 통하여 임의의 방향으로 진행하는 광을 상기 폴리머 막에 조사하여, 상기 폴리머 패턴의 표면으로부터 상기 기판과 수직방향으로 오목한 패턴을 형성하고 상기 기판과 수평방향으로 연장되도록 하나 이상의 패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 오목한 패턴의 수직 단면은 하나 이상의 곡면을 갖는 원 또는 타원의 형상이고, 상기 원 또는 타원의 중심 위쪽의 상부가 일직선상으로 절단되어 있다.
둥근 단면, 커브드(curved), 폴리머 패턴, 금속 박막 패턴, 금속 패턴, 플라스틱 몰드, 디퓨저, 칸틸레버 빔(cantilever beam), 마이크로렌즈(microlens), 마이크로 플루이틱 채널(micro fluidic channel)

10. 发明授权

KR100995541B1 마이크로 전자기계 시스템 소자의 패키징 방법 및 그패키지 有权
标题翻译：微电子机械系统装置的包装方法及其包装
公开(公告)号：KR100995541B1
公开(公告)日：2010-11-22
申请号：KR1020080027837
申请日：2008-03-26
申请人： 한국과학기술원
发明人： 윤준보 , 이병기 , 장원위
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： B81C1/00333 , B81C2201/0149 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145 , B82Y30/00
摘要： 본 발명은 마이크로 전자기계 시스템 소자의 패키징 방법 및 그 패키지에 관한 것이다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 MEMS 소자의 패키징 방법은 MEMS 소자가 형성된 기판상에 희생층 및 지지층을 순차적으로 형성하는 단계, 지지층 상에 블록 공중합체층을 형성하여 자기 조립하는 단계, 자기 조립된 블록 공중합체층을 선택 제거하여 복수의 나노기공을 형성하는 단계, 복수의 나노기공이 형성된 블록 공중합체층을 마스크로 하여 지지층에 나노기공과 대응되는 에칭 홀을 형성하는 단계, 지지층에 형성된 에칭 홀을 통해 희생층을 제거하는 단계 및 희생층이 제거된 지지층상에 차폐층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 MEMS 소자의 패키징 방법은 블록 공중합체층의 자기 조립 나노구조를 이용하여 희생층 제거를 위한 에칭 홀을 MEMS 소자의 윗부분에 형성시켜 희생층을 제거함으로써, 희생층의 제거시간을 단축시킬 뿐만 아니라, 제거과정에서 발생되는 MEMS 소자의 물리적 또는 화학적 손상을 최소화 시킬 수 있다.
마이크로 전자기계 시스템 소자, 패키징, 블록 공중합체, 자기조립

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