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1. 发明授权

KR102225787B1 이미지 센서 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102225787B1
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020140136717
申请日：2014-10-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김이태 , 이경호 , 장동영 , 최성호
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 이미지센서는제1 기판, 포토다이오드어레이, 제1 내지제3 배선구조물및 차광막패턴을포함한다. 상기제1 기판은제1 표면과상기제1 표면에반대되는제2 표면을구비하며, 제1 영역, 상기제1 영역을둘러싸는제2 영역, 상기제2 영역을둘러싸는제3 영역및 상기제3 영역을둘러싸는제4 영역으로구분된다. 상기포토다이오드어레이는상기제1 기판의상기제1 표면에인접하여배치되며, 상기제1 영역내에배치되는제1 포토다이오드들, 상기제2 영역내에배치되는제2 포토다이오드들및 상기제3 영역내에배치되는제3 포토다이오드들을포함한다. 상기제1 배선구조물은상기제1 기판의상기제1 영역내에서상기제1 표면상에배치되며, 상기제1 포토다이오드들과전기적으로연결된다. 상기제2 배선구조물은상기제1 기판의상기제2 영역내에서상기제1 표면상에배치되며, 전력을공급한다. 상기제3 배선구조물은상기제1 기판의상기제3 영역내에서상기제1 표면상에배치되며, 상기제3 포토다이오드들과전기적으로연결된다. 상기차광막패턴은상기제1 기판의상기제2 표면상에배치되며, 상기제3 영역및 상기제4 영역을덮는다.

2. 发明授权

KR101997539B1 이미지 센서 및 이의 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101997539B1
公开(公告)日：2019-07-08
申请号：KR1020120076621
申请日：2012-07-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안정착 , 김이태
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/148

3. 发明公开

KR1020170094693A 이미지 센서 审中-实审
标题翻译：图像传感器
公开(公告)号：KR1020170094693A
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：KR1020160015779
申请日：2016-02-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 오영선 , 김이태 , 안정착
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14643
摘要： 이미지센서가제공된다. 상기이미지센서는, 제1 픽셀영역과상기제1 픽셀영역에인접한제2 픽셀영역이정의된기판, 상기제1 픽셀영역과상기제2 픽셀영역사이에형성되어, 상기제1 픽셀영역과상기제2 픽셀영역을분리시키는소자분리막, 상기제1 픽셀영역내에배치된제1 트랜지스터, 상기제2 픽셀영역내에배치된제2 트랜지스터, 및상기제1 트랜지스터와상기제2 트랜지스터를전기적으로연결하는배선구조체를포함하고, 상기소자분리막은상기기판의상면으로부터하면까지연장된 DTI(Deep Trench Isolation) 구조를포함한다.
摘要翻译：提供图像传感器。其中图像传感器包括：基板，其限定第一像素区域和与第一像素区域相邻的第二像素区域;第二像素区域，其形成在第一像素区域和第二像素区域之间，布置在第一像素区域中的第一晶体管，布置在第二像素区域中的第二晶体管以及用于电连接第一晶体管和第二晶体管的布线结构，并且器件隔离层包括从衬底的上表面延伸到下表面的深沟槽隔离（DTI）结构。

4. 发明公开

KR1020160039877A 데드존을 줄이는 씨모스 이미지 센서 审中-实审
标题翻译： CMOS图像传感器，用于减少死亡区域
公开(公告)号：KR1020160039877A
公开(公告)日：2016-04-12
申请号：KR1020140133147
申请日：2014-10-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이승욱 , 김이태 , 박종은 , 안정착 , 이경호 , 이태헌 , 정희근
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14689 , H04N5/374 , H04N9/045
摘要： 씨모스이미지센서가개시된다. 본발명의씨모스이미지센서는제1표면, 및제2표면으로부터일정부분제거되어생성된제3 표면을포함하는반도체기판, 각각이상기제1표면과상기제3표면사이에형성되고, 상기제3표면을통해수신되는입사광에응답하여전하들을생성하는광전변환소자를포함하는액티브영역들, 및상기액티브영역들각각을이웃하는액티브영역과분리하기위하여상기제1표면또는제3 표면으로부터수직으로형성된트렌치-타입의소자분리영역을포함하며, 상기제3 표면에서절단된경우, 상기액티브영역의단면은센터측이오목하고모서리측이볼록한모양을가진다.
摘要翻译：公开了一种互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器。 CMOS图像传感器包括：半导体衬底，有源区和沟槽型元件分离区。半导体衬底包括通过从第二表面去除预定部分而形成的第一表面和第三表面。每个有源区形成在第一表面和第三表面之间，并且包括响应于通过第三表面接收的入射光产生电荷的光电转换装置。沟槽型元件分离区域垂直地形成在第一表面或第三表面上，以将每个有效区域与相邻的有效区域分开。在第三表面被切出的情况下，有源区域的一部分具有凹形的中心和具有凸形的边缘。

5. 发明授权

KR101476367B1 이미지 센서의 제조 방법 有权
标题翻译：图像传感器制作方法
公开(公告)号：KR101476367B1
公开(公告)日：2014-12-26
申请号：KR1020080009257
申请日：2008-01-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장윤호 , 김이태 , 이경호 , 김세영 , 안정착
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14623 , H01L27/14632
摘要： 이미지센서의제조방법이제공된다. 이미지센서의제조방법은, 액티브픽셀영역및 옵티컬블랙영역이정의된반도체기판내에광전변환부를형성하고, 액티브픽셀영역및 옵티컬블랙영역상에어닐링레이어를증착하여식각하되, 어닐링레이어가옵티컬블랙영역의적어도일부를가리도록선택식각하고, 어닐링레이어상에배선패턴을형성하고, 배선패턴상에옵티컬블랙영역의광전변환부전체를가리도록차광패턴을형성하여, 차광패턴에의해옵티컬블랙영역으로입사되는빛이블로킹되도록하는것을포함한다.

6. 发明授权

KR100833605B1 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 失效
标题翻译： CMOS图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR100833605B1
公开(公告)日：2008-05-30
申请号：KR1020070009309
申请日：2007-01-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이경호 , 김이태 , 안정착
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L29/1054
摘要： A CMOS image sensor and a manufacturing method of the same are provided to reduce flicker noise by modifying an energy band structure of a channel region. A CMOS image sensor includes a light sensing element and a drive transistor(168). The drive transistor includes a drive gate(167) on a semiconductor substrate(105) and a channel region within the semiconductor substrate under the drive gate. The channel region is used for forming a buried channel with an impurity implantation region of a stacked structure to obtain a band offset value in a conductive band by modifying an energy band structure of the channel region with a heterojunction. The channel region includes the impurity implantation region having a Si/SiGe/SiGeC/SiGe stacked structure.
摘要翻译：提供CMOS图像传感器及其制造方法，以通过修改通道区域的能带结构来减少闪烁噪声。 CMOS图像传感器包括光感测元件和驱动晶体管（168）。驱动晶体管包括在半导体衬底（105）上的驱动栅极（167）和位于驱动栅极下方的半导体衬底内的沟道区域。通道区域用于形成具有层叠结构的杂质注入区域的掩埋沟道，以通过用异质结修改沟道区的能带结构来获得导电带中的带偏移值。沟道区包括具有Si / SiGe / SiGeC / SiGe堆叠结构的杂质注入区。

7. 发明授权

KR100808950B1 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 失效
标题翻译： CMOS图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR100808950B1
公开(公告)日：2008-03-04
申请号：KR1020070009310
申请日：2007-01-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이경호 , 김이태 , 안정착 , 김세영
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14689 , H01L31/035281
摘要： A CMOS image sensor and a manufacturing method thereof are provided to reduce a dark current and to improve an image lag by separately forming a pocket photo diode related to a main photo diode and a charge transfer. A transfer transistor(Tx) has a transfer gate(132) on a first conductive-type semiconductor substrate(100) and a channel region(112). The channel region has a first conductive-type impurity ion implantation layer located in the semiconductor substrate at a lower portion of the transfer gate. A photo diode includes a second conductive-type main photo diode(140) in the semiconductor substrate and a second conductive-type pocket photo diode(142). The second conductive-type pocket photo diode is located between the channel region and the main photo diode. The channel region includes a second conductive-type impurity ion implantation layer at a lower portion of the first conductive-type impurity ion implantation layer. A first conductive-type diffusion layer(144) is formed on a surface of the main photo diode.
摘要翻译：提供一种CMOS图像传感器及其制造方法，以通过分开形成与主光电二极管相关的袋式光电二极管和电荷转移来减少暗电流并改善图像滞后。传输晶体管（Tx）在第一导电型半导体衬底（100）和沟道区（112）上具有传输栅极（132）。沟道区具有在传输栅极的下部位于半导体衬底中的第一导电型杂质离子注入层。光电二极管包括半导体衬底中的第二导电型主光电二极管（140）和第二导电类型的光电二极管（142）。第二导电型袋式光电二极管位于通道区域和主光电二极管之间。沟道区域包括在第一导电型杂质离子注入层的下部的第二导电型杂质离子注入层。在主光电二极管的表面上形成第一导电型扩散层（144）。

8. 发明授权

KR100752675B1 ＣＭＯＳ를 갖는 이미지 센서 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：具有CMOS的图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR100752675B1
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：KR1020010081961
申请日：2001-12-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김이태 , 이준택
IPC分类号： H01L27/146
摘要： CMOS를 갖는 이미지 센서 및 그의 제조방법에 대해 개시되어 있다. 그 센서 및 제조방법은, 외부의 입사광을 전기적 신호로 변환시키는 포토다이오드를 내재하는 반도체 기판과, 반도체 기판의 활성영역 상에 형성된 산화막 패턴과, 전기적 신호를 전송하기 위하여, 포토다이오드의 주변영역의 산화막 패턴 상에 형성된 전송 게이트 전극 및 포토다이오드 상의 산화막 패턴 및 전송 게이트 전극의 상단의 일부를 덮는 PE(Plasma Enhanced)-SiN 패턴을 형성한다. PE-SiN 패턴을 이용하여 포토다이오드 표면의 댕글링 결함을 제거하고 수소의 이탈을 방지함으로써, 수소 패시베이션를 용이하게 형성하며 또한 패시베이션을 계속 유지할 수 있는 CMOS를 갖는 이미지 센서를 제공할 수 있다.
포토다이오드, 댕글링 결함, 수소, CMOS, PE-SiN

9. 发明公开

KR1020030085895A ＣＭＯＳ 이미지 센서 无效
标题翻译： CMOS图像传感器
公开(公告)号：KR1020030085895A
公开(公告)日：2003-11-07
申请号：KR1020020024196
申请日：2002-05-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김이태
IPC分类号： H01L27/146
摘要： PURPOSE: A CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor is provided to be capable of preventing dark current from being increased by implanting phosphor ions for forming a low concentration impurity region. CONSTITUTION: A CMOS image sensor is provided with a photo diode and an active pixel block for transmitting and outputting the electric charges generated at the photo diode. At this time, the active pixel block includes a gate(45) formed at the upper portion of a silicon substrate(41), a gate spacer(47) formed at both sidewalls of the gate, a low concentration source/drain region(49) formed in the first predetermined portion of the silicon substrate by implanting phosphor ions, and a high concentration source/drain region(51) formed in the second predetermined portion of the silicon substrate by implanting arsenic ions.
摘要翻译：目的：提供CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器，以能够通过注入用于形成低浓度杂质区域的荧光体离子来防止暗电流增加。构成：CMOS图像传感器具有光电二极管和有源像素块，用于传输和输出在光电二极管上产生的电荷。此时，有源像素块包括形成在硅衬底（41）的上部的栅极（45），形成在栅极的两个侧壁处的栅极间隔物（47），低浓度源极/漏极区域（49））通过注入磷离子而形成在硅衬底的第一预定部分中，以及通过注入砷离子形成在硅衬底的第二预定部分中的高浓度源/漏区（51）。

10. 发明公开

KR1020030067946A 포토 다이오드를 갖는 이미지 센서 및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有照相二极管的图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020030067946A
公开(公告)日：2003-08-19
申请号：KR1020020007696
申请日：2002-02-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김이태
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14609 , H01L27/14601 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/14689
摘要： PURPOSE: An image sensor having a photo diode and a method for manufacturing the same are provided to be capable of improving the electronic capacity of the photo diode while simultaneously improving the sensitivity and leakage characteristics of the photo diode by enclosing an As photo diode region using a B and P photo diode region. CONSTITUTION: An image sensor having a photo diode is provided with a semiconductor substrate(100), a P-type photo diode region(135) formed at a predetermined portion of the semiconductor substrate, the first N-type photo diode region(145) formed on the lower portion of the P-type photo diode region, and the second N-type photo diode region(155) formed on the lower portion of the first N-type photo diode region for enclosing the first N-type photo diode region. Preferably, As, P, and B ions are used for forming the first N-type, second N-type, and P-type photo diode, respectively.
摘要翻译：目的：提供一种具有光电二极管的图像传感器及其制造方法，以便能够改善光电二极管的电容量，同时通过将As光电二极管区域封闭在一起，同时提高光电二极管的灵敏度和泄漏特性 B和P光电二极管区域。构成：具有光电二极管的图像传感器设置有半导体基板（100），形成在半导体基板的预定部分的P型光电二极管区域（135），第一N型光电二极管区域（145）形成在P型光电二极管区域的下部，第二N型光电二极管区域（155）形成在第一N型光电二极管区域的下部，用于封装第一N型光电二极管区域。优选地，分别使用As，P和B离子形成第一N型，第二N型和P型光电二极管。

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