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1. 发明公开

KR1020150053994A 박막 트랜지스터 有权
标题翻译：薄膜晶体管
公开(公告)号：KR1020150053994A
公开(公告)日：2015-05-19
申请号：KR1020157009414
申请日：2013-10-15
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 다오히로아키 , 마에다다케아키 , 미키아야 , 구기미야도시히로 , 안병두 , 구소영 , 김건희
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要： 본발명의과제는산화물반도체층과보호막의계면에형성되는돌기의형태가적절하게제어되어, 안정된특성을발휘하는박막트랜지스터를제공하는것이다. 해당박막트랜지스터는금속원소로서 In, Zn 및 Sn을적어도포함하는산화물로이루어지는산화물반도체층과, 해당산화물반도체층과직접접촉하는보호막을갖고, 상기산화물반도체층의, 상기보호막과직접접촉하는면에형성되는돌기의최대높이가 5㎚미만인점에특징을갖는다.
摘要翻译：本发明的一个目的是在其中在氧化物半导体层和所述保护层之间的界面处形成被适当地控制的凸起的形式，以提供薄膜晶体管表现出稳定的特性。薄膜晶体管是具有在与氧化物半导体层，包含In，Zn和Sn的至少一种氧化物构成的氧化物半导体层直接接触的保护膜的表面上的金属元件，在与氧化物半导体层的保护膜直接接触并且形成的突起的最大高度小于5nm。

2. 发明公开

KR1020130137025A 박막 트랜지스터 구조, 및 그 구조를 구비한 박막 트랜지스터 및 표시 장치 有权
标题翻译：薄膜晶体管结构，薄膜晶体管和显示器件，具有结构简单
公开(公告)号：KR1020130137025A
公开(公告)日：2013-12-13
申请号：KR1020137026895
申请日：2012-04-19
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 마에다다케아키 , 구기미야도시히로 , 송준호 , 이제훈 , 안병두 , 김건희
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L29/7869 , G02F1/1368 , H01L27/1222 , H01L29/78693 , H01L27/1225 , H01L29/06 , H01L29/78606
摘要： For a display device like an organic EL display, a liquid crystal display, etc., an oxide semiconductor layer is provided which eliminates the need of an oxidized layer when forming a protection layer, etc. and can stabilize electrical characteristics of a thin-film transistor. A thin-film transistor structure of the present invention is a thin-film transistor structure which is equipped with at least an oxide semiconductor layer, source/drain electrodes, and a protection layer on a substrate sequentially from the substrate side. The oxide semiconductor layer is a laminate of a first oxide semiconductor layer and a second oxide semiconductor layer, wherein the first oxide semiconductor layer contains Zn of at least 50 at% among the entire metal elements and is formed at the side of the source/drain electrodes and protection layer; and the second oxide semiconductor layer contains Sn and at least one kind of element, which is selected from a group composed of In, Ga, and Zn, and is formed at the substrate side. In addition, the first oxide semiconductor layer directly touches the source/drain electrodes and the protection layer.
摘要翻译：对于诸如有机EL显示器，液晶显示器等的显示装置，提供氧化物半导体层，其在形成保护层等时不需要氧化层，并且可以稳定薄膜的电特性晶体管。本发明的薄膜晶体管结构是从衬底侧顺序地在衬底上至少配置氧化物半导体层，源/漏电极和保护层的薄膜晶体管结构。氧化物半导体层是第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层的层叠体，其中，第一氧化物半导体层在整个金属元素中含有至少为50原子％的Zn，并且形成在源极/漏极电极和保护层; 并且第二氧化物半导体层含有Sn和选自由In，Ga和Zn组成的组中的至少一种元素，并且形成在衬底侧。此外，第一氧化物半导体层直接接触源/漏电极和保护层。

3. 发明授权

KR101775801B1 박막 트랜지스터 有权
公开(公告)号：KR101775801B1
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：KR1020157009414
申请日：2013-10-15
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 다오히로아키 , 마에다다케아키 , 미키아야 , 구기미야도시히로 , 안병두 , 구소영 , 김건희
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要： 본발명의과제는산화물반도체층과보호막의계면에형성되는돌기의형태가적절하게제어되어, 안정된특성을발휘하는박막트랜지스터를제공하는것이다. 해당박막트랜지스터는금속원소로서 In, Zn 및 Sn을적어도포함하는산화물로이루어지는산화물반도체층과, 해당산화물반도체층과직접접촉하는보호막을갖고, 상기산화물반도체층의, 상기보호막과직접접촉하는면에형성되는돌기의최대높이가 5㎚미만인점에특징을갖는다.

4. 发明授权

KR101510581B1 박막 트랜지스터 구조, 및 그 구조를 구비한 박막 트랜지스터 및 표시 장치 有权
标题翻译：薄膜晶体管结构以及具有该结构的薄膜晶体管和显示装置
公开(公告)号：KR101510581B1
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020137026895
申请日：2012-04-19
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 마에다다케아키 , 구기미야도시히로 , 송준호 , 이제훈 , 안병두 , 김건희
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L29/7869 , G02F1/1368 , H01L27/1222 , H01L29/78693
摘要： 유기 EL 디스플레이나액정디스플레이등의표시장치에있어서, 보호막등의형성시에산화처리층을필요로하지않고, 박막트랜지스터의전기특성을안정시키는것이가능한산화물반도체층을제공한다. 본발명의박막트랜지스터구조는기판상에적어도, 기판측으로부터순서대로, 산화물반도체층과, 소스·드레인전극과, 보호막을구비한박막트랜지스터구조이며, 상기산화물반도체층은, 금속원소전체에차지하는 Zn의함유량이 50원자% 이상이며, 소스·드레인전극및 보호막측에형성되는제1 산화물반도체층과, In, Ga 및 Zn으로이루어지는군으로부터선택되는적어도 1종의원소와, Sn을포함하고, 기판측에형성되는제2 산화물반도체층과의적층체이며, 또한, 상기제1 산화물반도체층과, 상기소스·드레인전극및 보호막이, 직접접촉하고있는것에요지를갖는다.
摘要翻译：在显示诸如有机EL显示器或液晶显示装置中，不需要在保护膜等的形成氧化处理层，并提供一种氧化物半导体层能够以稳定的薄膜晶体管的电特性。本发明的薄膜晶体管结构是至少，如从以基板侧，具有半导体层和源电极和漏电极以及保护膜的整个金属元素中的衬底上的薄膜晶体管结构，所述氧化物半导体层，Zn组成的氧化物第一氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层形成在所述源极/漏极电极和所述保护膜侧上，并且选自由In，Ga和Zn以及Sn组成的组中的至少一种元素; 形成在所述第二氧化物半导体层的积层体的一侧，并且，如果具有第一氧化物半导体层，以及i是源 - 漏电极和保护膜，在itneungeot直接接触。

5. 发明授权

KR101541656B1 반도체 소자 및 반도체 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：半导体元件和制造半导体元件的方法
公开(公告)号：KR101541656B1
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：KR1020147001064
申请日：2012-07-19
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 마에다다케아키 , 오쿠노히로유키 , 요코타요시히로
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L23/53223 , H01L21/28525 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76841 , H01L21/76867 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/401 , H01L29/456 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 제조공정등에서고온하에노출된경우이어도, 반도체영역과전극사이에서의원자의상호확산이억제되고, 또한계면저항의상승이억제되는반도체소자를제공한다. 본발명의반도체소자는, 실리콘을포함하는반도체영역, 알루미늄을포함하는전극및 상기반도체영역과전극사이에개재되고, 게르마늄을함유하는확산방지층을구비하고, 상기확산방지층의적어도일부의게르마늄함유량이 4원자% 이상인반도체소자에관한것이다.

6. 发明授权

KR101510983B1 박막 트랜지스터 구조, 및 그 구조를 구비한 박막 트랜지스터 및 표시 장치 有权
标题翻译：薄膜晶体管结构，薄膜晶体管和显示器件，具有结构简单
公开(公告)号：KR101510983B1
公开(公告)日：2015-04-10
申请号：KR1020137030648
申请日：2012-04-19
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 마에다다케아키 , 구기미야도시히로
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L51/50
CPC分类号： H01L29/7869 , G02F1/1368 , H01L27/1222 , H01L29/78693
摘要： 유기 EL 디스플레이나액정디스플레이등의표시장치에있어서, 보호막등의형성시에산화처리층을필요로하지않고, 박막트랜지스터의전기특성을안정시키는것이가능한산화물반도체층을제공한다. 본발명의박막트랜지스터구조는기판상에적어도, 기판측으로부터순서대로, 산화물반도체층과, 소스·드레인전극과, 보호막을구비한박막트랜지스터구조이며, 상기산화물반도체층은, 금속원소전체에차지하는 Zn의함유량이 50원자% 이상이며, 소스·드레인전극및 보호막측에형성되는제1 산화물반도체층과, In, Ga 및 Zn으로이루어지는군으로부터선택되는적어도 1종의원소를포함하고, 기판측에형성되는제2 산화물반도체층과의적층체이며, 또한, 상기제1 산화물반도체층과, 상기소스·드레인전극및 보호막이, 직접접촉하고있는것에요지를갖는다.

7. 发明公开

KR1020140000718A 반도체 장치용 Ａｌ 합금막 无效
标题翻译：用于半导体器件的AL合金膜
公开(公告)号：KR1020140000718A
公开(公告)日：2014-01-03
申请号：KR1020137030136
申请日：2012-05-16
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 오쿠노히로유키 , 구기미야도시히로 , 요코타요시히로 , 마에다다케아키
IPC分类号： H01L21/28 , C22C21/00
CPC分类号： H01L23/53219 , C22C21/00 , C22C21/02 , C22C21/12 , C22C21/14 , C22F1/04 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01J37/3429 , H01L21/2855 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L2924/0002 , Y10T428/12431 , H01L2924/00
摘要： 고온 하에 노출된 경우라도, 힐록의 발생이 억제되어 내열성이 우수하고, 또한 막 자체의 전기 저항률이 낮게 억제된 반도체 장치용 Al 합금막을 제공한다. 본 발명은, 500℃에서 30분간 유지하는 가열 처리를 행한 후에 하기 (a) 내지 (c)를 모두 만족시키고, 또한 막 두께가 500㎚ 내지 5㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 Al 합금막에 관한 것이다.
(a) Al 매트릭스의 최대 입경이 800㎚ 이하,
(b) 힐록 밀도가 1×10
9 개/㎡ 미만,
(c) 전기 저항률이 10μΩ㎝ 이하.

8. 发明授权

KR101471254B1 Ta를 함유하는 산화 알루미늄 박막 有权
标题翻译：氧化铝薄膜包含Ta
公开(公告)号：KR101471254B1
公开(公告)日：2014-12-09
申请号：KR1020120150538
申请日：2012-12-21
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 , 가부시키가이샤 코베루코 카겐
发明人： 마에다다케아키 , 오쿠노히로유키
IPC分类号： C01F7/02
摘要： 본발명은산화알루미늄의대체막으로서유용하고, 산화알루미늄에비해성막속도가높아, 생산성이우수한신규의기술을제공한다. 본발명의산화알루미늄박막은, Ta를함유하는것에특징이있다. 상기산화알루미늄박막은, 스퍼터링법에의해성막되는것이바람직하다.

9. 发明公开

KR1020140024460A 반도체 소자 및 반도체 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：半导体元件和制造半导体元件的方法
公开(公告)号：KR1020140024460A
公开(公告)日：2014-02-28
申请号：KR1020147001064
申请日：2012-07-19
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 마에다다케아키 , 오쿠노히로유키 , 요코타요시히로
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L23/53223 , H01L21/28525 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76841 , H01L21/76867 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/401 , H01L29/456 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 제조 공정 등에서 고온하에 노출된 경우이어도, 반도체 영역과 전극 사이에서의 원자의 상호 확산이 억제되고, 또한 계면 저항의 상승이 억제되는 반도체 소자를 제공한다. 본 발명의 반도체 소자는, 실리콘을 포함하는 반도체 영역, 알루미늄을 포함하는 전극 및 상기 반도체 영역과 전극 사이에 개재되고, 게르마늄을 함유하는 확산 방지층을 구비하고, 상기 확산 방지층의 적어도 일부의 게르마늄 함유량이 4원자％ 이상인 반도체 소자에 관한 것이다.

10. 发明公开

KR1020130064116A 배선 구조 및 표시 장치 无效
标题翻译：布线结构和显示设备
公开(公告)号：KR1020130064116A
公开(公告)日：2013-06-17
申请号：KR1020137008148
申请日：2011-09-30
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 마에다다케아키 , 구기미야도시히로
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , G02F1/136
CPC分类号： H01L23/53238 , G02F1/1368 , H01L29/45 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , G02F1/136286 , H01L27/124 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은, 유기 EL 디스플레이나 액정 디스플레이 등의 표시 장치에 있어서, 산화물 반도체층과, 예를 들어 소스 전극이나 드레인 전극을 구성하는 금속막과의 안정된 계면의 형성이 가능한 배선 구조를 제공한다. 본 발명은, 기판 상에 기판측으로부터 순서대로, 박막 트랜지스터의 반도체층과, 금속 배선막을 갖고 있고, 반도체층과 금속 배선막 사이에 배리어층을 갖는 배선 구조이며, 상기 반도체층은 산화물 반도체로 이루어지고, 상기 배리어층은 TiOx(x는 1.0 이상 2.0 이하)를 함유한 Ti 산화막으로 구성되어 있고, 또한 상기 Ti 산화막은 상기 반도체층과 직접 접속하고 있고, 상기 산화물 반도체는 In, Ga, Zn 및 Sn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 일종의 원소를 포함하는 산화물로 구성되는 배선 구조에 관한 것이다.

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