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1. 发明授权

KR100603868B1 반도체장치및그제조방법 有权
公开(公告)号：KR100603868B1
公开(公告)日：2006-10-24
申请号：KR1019980027400
申请日：1998-07-08
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 가부시기가이샤 히다치초엘에스아이시스템즈 , 가부시키가이샤 아키타덴시시스테무즈
发明人： 아키야마유키하루 , 구다이시도모아키 , 오니시다케히로 , 시마다노리오우 , 에구치슈지 , 니시무라아사오 , 안죠이치로 , 츠보사키구니히로 , 미야자키츄이치 , 고야마히로시 , 시바모토마사노리 , 나가이아키라 , 오기노마사히코
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/01033 , H01L2924/00
摘要： 반도체장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 저가격화 및 봉지성을 향상시키기 위해서, 그의 주면에 여러개의 반도체소자와 여러개의 접속단자를 갖고 여러개의 접속단자가 주변부에 배치된 사각형상의 반도체칩, 여러개의 접속단자를 노출시켜 반도체칩의 주면상에 배치된 탄성체, 탄성체상에 형성되고 접속단자가 배치된 영역에 있어서 개구를 갖는 절연성 테이프, 절연성테이프의 표면에 형성되고 그의 한쪽끝부가 접속단자에 접속되며 그의 다른쪽끝부가 탄성체상에 배치된 여러개의 리이드, 여러개의 리이드의 다른쪽끝부상에 형성된 여러개의 범프전극 및 반도체칩의 접속단자와 리이드의 한쪽끝부를 봉지하는 수지체를 포함하고, 절연성테이프가 여러개의 접속단자가 배치된 반도체칩의 주변부의 근방에 있어서 반도체칩보다 외측으로 돌출 되어 있고, 탄성체가 통기성 재료로 이루어지고, 절연성 테이프와 거의 동일한 형상을 가지며 그의 한쪽면이 외부환경에 노출되도록 형성하였다.
이와 같이 하는 것에 의해서, 반도체장치의 제조비용의 저가격화, 봉지부에 있어서의 내습신뢰성의 향상, 내리플로성의 향상, 전기적 특성의 열화저감, 전기회로동작의 안정성 향상 등의 효과가 얻어진다.

2. 发明授权

KR100603867B1 반도체장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR100603867B1
公开(公告)日：2006-07-24
申请号：KR1020060018052
申请日：2006-02-24
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 가부시기가이샤 히다치초엘에스아이시스템즈 , 가부시키가이샤 아키타덴시시스테무즈
发明人： 아끼야마유끼하루 , 구다이시도모아끼 , 오니시다께히로 , 시마다노리오우 , 에구찌슈지 , 니시무라아사오 , 안조이찌로 , 쯔보사끼구니히로 , 미야자끼주이찌 , 고야마히로시 , 시바모또마사노리 , 나가이아끼라 , 오기노마사히꼬
IPC分类号： H01L21/60
摘要： 반도체장치에 관한 것으로서, 저가격화 및 봉지성을 향상시키기 위해서, 그의 주면에 여러 개의 반도체소자와 여러 개의 접속단자를 갖고 여러 개의 접속단자가 주변부에 배치된 사각형상의 반도체칩, 여러 개의 접속단자를 노출시켜 반도체칩의 주면상에 배치된 탄성체, 탄성체상에 형성되고 접속단자가 배치된 영역에 있어서 개구를 갖는 절연성 테이프, 절연성테이프의 표면에 형성되고 그의 한쪽끝부가 접속단자에 접속되며 그의 다른쪽끝부가 탄성체상에 배치된 여러 개의 리이드, 여러 개의 리이드의 다른쪽끝부상에 형성된 여러 개의 범프전극 및 반도체칩의 접속단자와 리이드의 한쪽끝부를 봉지하는 수지체를 포함하고, 절연성테이프가 여러 개의 접속단자가 배치된 반도체칩의 주변부의 근방에 있어서 반도체칩보다 외측으로 돌출되어 있고, 탄성체가 통기성 재료로 이루어지고, 절연성 테이프와 거의 동일한 형상을 가지며 그의 한쪽면이 외부환경에 노출되도록 형성하였다.
이와 같이 하는 것에 의해서, 반도체장치의 제조비용의 저가격화, 봉지부에 있어서의 내습신뢰성의 향상, 내리플로성의 향상, 전기적 특성의 열화저감, 전기회로동작의 안정성 향상 등의 효과가 얻어진다.
반도체장치, 반도체칩, 봉지성
摘要翻译：一种半导体芯片，其主表面上具有多个半导体元件和多个连接端子，并且在其周边部分上具有多个连接端子; 到所述弹性构件设置在所述半导体芯片的主表面上，形成在所述弹性体的绝缘带的表面上形成，具有在所述连接端子布置区被连接到连接到他的其它jjokkkeut的终端部分上的他的一端部的开口部的绝缘带以及形成在所述多根引线的另一端上的多个凸块电极，以及密封所述半导体芯片的所述连接端子和所述引线的一端的树脂体，其中所述绝缘带具有多个连接端子在排列的半导体芯片的外围部分附近从半导体芯片向外突出弹性体由透气材料制成，具有与绝缘带大致相同的形状，并且形成为使得其一侧暴露于外部环境。

3. 发明公开

KR1019990013673A 반도체장치및그제조방법 有权
公开(公告)号：KR1019990013673A
公开(公告)日：1999-02-25
申请号：KR1019980027400
申请日：1998-07-08
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 가부시기가이샤 히다치초엘에스아이시스템즈 , 가부시키가이샤 아키타덴시시스테무즈
发明人： 아키야마유키하루 , 구다이시도모아키 , 오니시다케히로 , 시마다노리오우 , 에구치슈지 , 니시무라아사오 , 안죠이치로 , 츠보사키구니히로 , 미야자키츄이치 , 고야마히로시 , 시바모토마사노리 , 나가이아키라 , 오기노마사히코
IPC分类号： H01L21/60
摘要： 반도체장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 저가격화 및 봉지성을 향상시키기 위해서, 그의 주면에 여러개의 반도체소자와 여러개의 접속단자를 갖고 여러개의 접속단자가 주변부에 배치된 사각형상의 반도체칩, 여러개의 접속단자를 노출시켜 반도체칩의 주면상에 배치된 탄성체, 탄성체상에 형성되고 접속단자가 배치된 영역에 있어서 개구를 갖는 절연성 테이프, 절연성테이프의 표면에 형성되고 그의 한쪽끝부가 접속단자에 접속되며 그의 다른쪽끝부가 탄성체상에 배치된 여러개의 리이드, 여러개의 리이드의 다른쪽끝부상에 형성된 여러개의 범프전극 및 반도체칩의 접속단자와 리이드의 한쪽끝부를 봉지하는 수지체를 포함하고, 절연성테이프가 여러개의 접속단자가 배치된 반도체칩의 주변부의 근방에 있어서 반도체칩보다 외측으로 돌출 되어 있고, 탄성체가 통기성 재료로 이루어지고, 절연성 테이프와 거의 동일한 형상을 가지며 그의 한쪽면이 외부환경에 노출되도록 형성하였다.
이와 같이 하는 것에 의해서, 반도체장치의 제조비용의 저가격화, 봉지부에 있어서의 내습신뢰성의 향상, 내리플로성의 향상, 전기적 특성의 열화저감, 전기회로동작의 안정성 향상 등의 효과가 얻어진다.

4. 发明授权

KR100559276B1 반도체장치 失效
公开(公告)号：KR100559276B1
公开(公告)日：2006-07-03
申请号：KR1019970009768
申请日：1997-03-21
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 가부시키가이샤 히타치초엘에스아이시스템즈
发明人： 미야자키쥬이치 , 아키야마유키하루 , 시바모토마사노리 , 구다이시도모아키 , 안죠이치로 , 니시구니히코 , 니시무라아사오 , 다나카히데키 , 기모토료스케 , 츠보사키구니히로 , 하세베아키오
IPC分类号： H01L23/28
CPC分类号： H01L2924/014 , H01L2924/14
摘要： 반도체 집적회로장치에 관한 것으로서, 범프전극을 이용하여 실장기판에 탑재된 제1 패키지 및 제1 패키지와는 다른 기능을 가지고 리이드를 이용하여 실장기판에 탑재된 제2 패키지를 가지고, 제1 패키지는 DRAM 회로 및 여러 본딩 패드가 형성된 제1 반도체칩을 가지고, 제1 패키지의 개수는 제2 패키지의 개수보다 많고, 여러 본딩패드는 제1 반도체 칩의 길이 방향의 중앙부에 형성되고, 범프 전극은 여러 본딩패드의 양측에 배치되는 것을 특징으로 한다.

5. 发明授权

KR100520793B1 수지봉지형 반도체장치 및 그 제조방법 失效
标题翻译：这是一个完整的解决方案
公开(公告)号：KR100520793B1
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：KR1019970038996
申请日：1997-08-14
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 에구치슈우지 , 스가와라야스히데 , 이시이토시아키 , 고카쿠히로요시 , 나가이아키라 , 모테키료오 , 오기노마사히코 , 세가와타사노리 , 핫토리리에 , 쯔유노노부타케 , 우에노다쿠미 , 나카무라아츠시 , 니시무라아사오
IPC分类号： C08L63/00
CPC分类号： H01L23/4951 , H01L23/293 , H01L23/3128 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/05624 , H01L2224/32057 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4826 , H01L2224/48465 , H01L2224/48624 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2224/92 , H01L2224/92147 , H01L2224/92247 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01039 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/20753
摘要： A resin encapsulated semiconductor element is encapsulated with resin composition containing an organic compound selected from the group consisting of organobromine compounds, organophosphorus compounds and organonitrogen compounds, an inorganic filler, and a metal borate. The obtained resin encapsulated semiconductor element has the same flame resistance as a conventional semiconductor element which is encapsulated with a resin composition containing a halogen and antimony compound, and furthermore, has remarkably improved reliabilities regarding moisture resistance and storing at a high temperature by effects of the contained metal borate for suppressing generation of or trapping released gas components, such as halogen or phosphorus, and others.
摘要翻译：用含有选自有机溴化合物，有机磷化合物和有机氮化合物，无机填料和金属硼酸盐的有机化合物的树脂组合物包封树脂封装的半导体元件。所获得的树脂封装半导体元件具有与用含有卤素和锑化合物的树脂组合物密封的常规半导体元件相同的阻燃性，并且此外，由于该树脂封装半导体元件的耐湿性和在高温下储存的可靠性显着改善含有金属硼酸盐，用于抑制卤素或磷等释放气体成分的产生或捕集。

6. 发明授权

KR100266426B1 반도체장치및그제조방법 失效
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100266426B1
公开(公告)日：2000-09-15
申请号：KR1019960005687
申请日：1996-03-05
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 미우라히데오 , 이께다슈지 , 스즈끼노리오 , 하기와라야스히데 , 오따히로유끼 , 니시무라아사오
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/28185 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/321 , H01L21/76202 , H01L29/518
摘要： 반도체장치 및 그 제조방법에 관한 것으로써, MOS트랜지스터 구조에 있어서 소자분리산화막 또는 게이트산화막상에 부분적으로 퇴적한 박막의 끝부에 있어서의 이 산화막의 손상을 회복시키기 위해, 손상을 받은 프로세스후에 산화막표면을 극력 노출시킨 상태에서 적어도 800℃이상, 바람직하게는 950℃이상, 1450℃이하, 가능하면 1200℃이하의 온도에서 5분이상, 가능하면 20분이상 질소 또는 수소 또는 아르곤등의 불활성가스 또는 이들의 혼합가스이고 또는 이들에 수%정도 (바람직하게는 5%이하보다 더욱 바람직하게는 2%이하) 산소가 포함된 혼합가스분위기에서 열처리를 실행한후, 트랜지스터를 형성하기 위해 필요한 불순물의 도입, 전극, 배선의 형성, 절연막의 형성, 2층째 배선의 형성등을 실행한다.
상기에 의해, MOS트랜지스터 구조에 있어서 소자분리산화막 또는 게이트산화막상에 부분적으로 퇴적한 박막의 끝부에 있어서의 이 산화막의 손상을 회복시킬 수 있게 된다.

7. 发明授权

KR100240524B1 반도체장치 및 그 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100240524B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019970047053
申请日：1997-09-12
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 다나카나오타카 , 안죠이치로 , 니시무라아사오 , 기타노마코토 , 야구치아키히로 , 다나카히데키
IPC分类号： H01L23/52
CPC分类号： H01L23/16 , H01L2224/50 , H01L2924/3511
摘要： 반도체소자의 전극에 전기적으로 접속되는 배선패턴이 연질인 절연기판에 형성되고 그 배선패턴에 땜납범프로 이루어지는 외부단자를 접속한 반도체장치에 관한 것으로서, 땜납접속부의 피로강도의 저하 및 땜납범프와 외부기판과의 접촉 불량의 원인으로 되는 테이프식 배선기판의 휘어짐을 억제한 신뢰성이 높은 반도체장치 및 그 제조방법을 제공하기 위해, 테이프식 배선기판의 내주부에 프레임형상의 부재를 마련해서 테이프식 반도체기판의 열변형에 대한 구속을 완화시켰다.
이것에 의해, 땜납접속부의 피로강도의 저하 및 땜납범프와 외부기판과의 접촉불량의 원인으로 되는 테이프식 배선기판의 휘어짐을 억제한 신뢰성이 높은 반도체장치 및 그 제조방법을 제공할 수 있다는 효과가 얻어진다.

8. 发明授权

KR100167438B1 반도체장치의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100167438B1
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：KR1019980023315
申请日：1998-06-22
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 무라카미겐 , 츠보사키구니히로 , 이치타니마사히로 , 니시구니히코 , 안죠이치로 , 니시무라아사오 , 기타노마코토 , 야구치아키히로 , 가와이스에오 , 오가타마사츠구 , 에구치슈지 , 고카쿠히로요시 , 세가와마사노리 , 호조지히로시 , 요코야마다카시 , 긴죠노리유키 , 가네다아이조 , 사에키쥰이치 , 나카무라쇼조 , 하세베아키오 , 기쿠치히로시 , 요시다이사무 , 야마자키다카시 , 오시마가즈요시 , 마츠모토데츠로
IPC分类号： H01L23/50
摘要： 반도체장치의 제조방법에 관한 것으로서,반도체장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기술을 제공하고, 반도체장치에 있어서 반도체칩과 리이드간의 부유용량에 의한 신호전송속도의 향상 및 전기잡음의 저감을 도모할 수 있는 기술을 제공하기 위해, 반도체칩, 여러개의 리이드, 여러개의 본딩와이어 및 수지봉지체를 갖는 반도체장치의 제조방법으로서, 내부리이드의 일부를 반도체칩의 주면에 접착하는 공정, 내부리이드와 여러개의 외부단자를 여러개의 본딩와이어에 의해 전기적으로 연결하는 공정 및 반도체칩, 여러개의 리이드의 내부리이드 및 여러개의 본딩와이어를 수지에 의해 봉지하는 공정을 포함하고, 수지는 구형의 실리카를 첨가물로서 함유하는 수지조성물이고, 수지봉지체는 수지조성물을 사용하는 트랜스퍼성형법에 의해 형성된다.
이와 같이 하는 것에 의해, 반도체장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 반도체장치에서 반도체칩과 리이드 사이의 부유용량에 의한 신호전송속도의 향상 및 전기잡음의 저감을 도모할 수 있다는 효과가 얻어진다.

9. 发明公开

KR1019990006619A 반도체장치및반도체장치용배선테이프 失效
标题翻译：为半导体器件和半导体器件布线磁带
公开(公告)号：KR1019990006619A
公开(公告)日：1999-01-25
申请号：KR1019980020516
申请日：1998-06-03
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 히다치 덴센 가부시키 가이샤
发明人： 오기노마사히코 , 에구치슈지 , 나가이아키라 , 우에노다쿠미 , 세가와마사노리 , 고카쿠히로요시 , 이시이도시아키 , 안죠이치로 , 니시무라아사오 , 미야자키쥬이치 , 미타마모루 , 오카베노리오
IPC分类号： H01L23/48
摘要： 고밀도실장모듈이나 멀티칩모듈 등에 사용되는 반도체장치 및 그 반도체장치를 제작할 때에 사용되는 배선테이프에 관한 것으로서, 시트형상 일래스토머점착법에서는 실장리플로시에 흡습한 수증기에 의한 수증기폭발이 발생하고 패키지의 팽창이나 배선층의 박리가 발생한다는 문제를 해결하기 위해서, 회로가 형성된 표면을 갖고 표면에 단자군을 갖는 반도체칩, 반도체칩의 회로가 형성된 면측에 마련되고 단자군을 외부단자군에 접속하기 위한 배선을 절연층표면에 갖는 배선층, 반도체칩의 회로가 형성된 면과 배선층 사이에 마련되고, 연속기포를 갖는 구조체의 한쪽의 표면에 반도체칩에 접착하기 위한 접착층을 갖고 다른쪽의 표면에 배선층에 접착하기 위한 접착층을 갖는 3층구조의 완충층, 반도체칩에 마련된 단자군과 배선층의 접속부를 봉지하는 봉지재 및 배선층에 접속된 외부단자군을 구비하는 구성으로 하였다.
이렇게 하는 것에 의해서, 3차원 그물코구조를 갖기 때문에 실장리플로시에 발생하는 수증기압이 이 코어층을 거쳐서 해방되어 실장시에 배선부의 팽창이나 파열을 발생시키는 일이 없다는 효과가 얻어진다.

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