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1. 发明公开

KR1020170026301A 웨이퍼 프로세싱 방법 审中-实审
标题翻译：加工方法
公开(公告)号：KR1020170026301A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020160111611
申请日：2016-08-31
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 프리바써칼하인츠
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/56 , H01L21/683 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/94 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/94 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L21/02013 , H01L21/56 , H01L21/67092 , H01L21/76
摘要： 발명은일면(1) 상에, 복수의분할선들(11)에의해분할되는복수의디바이스들을갖는디바이스영역(2), 및디바이스영역(2) 주위에형성되고디바이스들을갖지않는주변한계영역(3)을갖는, 웨이퍼프로세싱방법에관한것이며, 여기서디바이스영역(2)은웨이퍼(W)의평면표면으로부터돌출되는복수의돌출부들(14)과함께형성된다. 방법은웨이퍼(W) 상의디바이스들을커버하기위한보호막(4)을웨이퍼(W)의일면(1)에부착하는단계, 및그 전방표면에도포된경화성수지(13)를갖는캐리어(7)를제공하는단계를포함하며, 여기서보호막(4)은접착제를이용하여웨이퍼(W)의일면(1)의적어도일부분에접착된다. 방법은, 웨이퍼(W)의평면표면으로부터돌출되는돌출부들(14)이경화성수지(13)에임베딩되고, 캐리어(7)의전방표면(17)에대향되는캐리어(7)의후방표면(18)이일면(1)에대향되는웨이퍼(W)의면(6)에실질적으로평행하도록, 보호막(4)이부착된웨이퍼(W)의일면(1)을캐리어(7)의전방표면(17)에부착하는단계, 및웨이퍼두께를조정하기위하여일면(1)에대향되는웨이퍼(W)의면(6)을그라인딩하는단계를더 포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种处理晶片的方法，该方法在一侧具有由多个划分线划分的多个器件的器件区域和不具有器件的周边边缘区域，并且围绕器件区域形成，其中器件区域形成有从晶片的平面突出的多个突起。该方法包括将用于将晶片上的器件覆盖的保护膜附接到晶片的一侧，其中保护膜用粘合剂粘附到晶片的一侧的至少一部分，并且提供载体具有施加到其前表面的可固化树脂。该方法还包括将具有附着于其上的保护膜的晶片的一侧附接到载体的前表面，使得从晶片的平面表面突出的突起嵌入在可固化树脂中，并且背面与其前表面相反的载体基本上平行于与一侧相对的晶片侧，并且研磨晶片与该一侧相对的侧面以调整晶片厚度。

2. 发明授权

KR101747561B1 웨이퍼를 다이로 분할하는 방법 有权
公开(公告)号：KR101747561B1
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：KR1020150184831
申请日：2015-12-23
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 프리바써칼하인츠
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/683 , H01L21/268
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/02013 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386
摘要： 복수의분할라인에의해분할된복수의디바이스를갖는디바이스영역및 디바이스영역주위에디바이스가형성되지않은주연여유영역을일 면에갖는웨이퍼를다이로분할하는방법이제공된다. 상기방법은웨이퍼상의디바이스들을보호하기위한접착테이프를웨이퍼의일 면에부착하는단계로서, 접착테이프는디바이스들의적어도일부, 선택적으로모두에부착하는것인, 접착테이프부착단계; 접착테이프를지지하기위한캐리어를, 연결수단에의해, 디바이스들과접촉하는면에대향하는접착테이프의면에연결하는캐리어연결단계; 웨이퍼높이를조정하기위해일 면에대향하는웨이퍼의면을연삭하는웨이퍼연삭단계; 및분할라인을따라웨이퍼를절단하는웨이퍼절단단계를포함한다. 상기방법은, 연결수단을그 평면도에서웨이퍼의디바이스영역의완전히외부에위치결정하는단계를특징으로한다.

3. 发明公开

KR1020140041338A 표면 보호 부재 및 가공 방법 审中-实审
标题翻译：表面保护构件和加工方法
公开(公告)号：KR1020140041338A
公开(公告)日：2014-04-04
申请号：KR1020130106731
申请日：2013-09-05
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 프리바써칼하인츠
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L29/06 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , Y10S438/977
摘要： The present invention provides a surface protection member (10) for easily separating a protection member from the surface of a wafer (1) and not remaining adhesive (20) on the surface of a device and a method for processing the wafer using the surface protection member. The processing method fixes the surface protection member and the wafer by disposing the adhesive at the outside of a device region (3) and disposing the wafer on the surface protection member through corresponding the device region of the wafer and a concavo-convex absorbing member (14) disposed at a concave part (12) of the surface protection member (fixing step); maintains a surface protection member side with a maintenance table (21) for grinding a rear surface (1b) of the wafer with a grinding means (22) so as to separate in a particular thickness (grinding step); and removes the surface protection member from the wafer (removing step). The separation is facilitated by locally disposing the adhesive at the outside of the device region. The adhesive is not remaining on the surface of the device.
摘要翻译：本发明提供一种表面保护构件（10），用于容易地将保护构件与晶片（1）的表面分离，而不是在器件表面上的残留粘合剂（20），以及使用表面保护来处理晶片的方法会员。处理方法通过将粘合剂设置在器件区域（3）的外侧，将表面保护构件和晶片固定，并且通过对准晶片的器件区域将晶片设置在表面保护构件和凹凸吸收构件（ 14）设置在表面保护构件的凹部（12）（固定步骤）上; 用表面保护构件侧保持具有用于用研磨装置（22）研磨晶片的后表面（1b）以便以特定厚度（研磨步骤）分离的维护台（21）; 并将表面保护构件从晶片上除去（去除步骤）。通过在设备区域的外部局部设置粘合剂来促进分离。粘合剂不会残留在设备的表面上。

4. 发明授权

KR101860210B1 웨이퍼 프로세싱 방법 有权
公开(公告)号：KR101860210B1
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：KR1020160111611
申请日：2016-08-31
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 프리바써칼하인츠
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/56 , H01L21/683 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/78 , B81C1/00825 , B81C1/00896 , B81C2201/053 , H01L21/304 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/94 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/94 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2224/03 , H01L2224/11
摘要： 발명은일면(1) 상에, 복수의분할선들(11)에의해분할되는복수의디바이스들을갖는디바이스영역(2), 및디바이스영역(2) 주위에형성되고디바이스들을갖지않는주변한계영역(3)을갖는, 웨이퍼프로세싱방법에관한것이며, 여기서디바이스영역(2)은웨이퍼(W)의평면표면으로부터돌출되는복수의돌출부들(14)과함께형성된다. 방법은웨이퍼(W) 상의디바이스들을커버하기위한보호막(4)을웨이퍼(W)의일면(1)에부착하는단계, 및그 전방표면에도포된경화성수지(13)를갖는캐리어(7)를제공하는단계를포함하며, 여기서보호막(4)은접착제를이용하여웨이퍼(W)의일면(1)의적어도일부분에접착된다. 방법은, 웨이퍼(W)의평면표면으로부터돌출되는돌출부들(14)이경화성수지(13)에임베딩되고, 캐리어(7)의전방표면(17)에대향되는캐리어(7)의후방표면(18)이일면(1)에대향되는웨이퍼(W)의면(6)에실질적으로평행하도록, 보호막(4)이부착된웨이퍼(W)의일면(1)을캐리어(7)의전방표면(17)에부착하는단계, 및웨이퍼두께를조정하기위하여일면(1)에대향되는웨이퍼(W)의면(6)을그라인딩하는단계를더 포함한다.

5. 发明公开

KR1020160105340A 웨이퍼 분할 방법 有权
标题翻译：波分方法
公开(公告)号：KR1020160105340A
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：KR1020160023095
申请日：2016-02-26
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 프리바써칼하인츠
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/683 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L23/00 , H01L21/56
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/268 , H01L21/3065 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/3114 , H01L23/544 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2223/54486 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/35121 , H01L2224/11 , H01L2221/68304 , H01L21/304 , H01L21/56
摘要： 본발명은, 복수의디바이스가복수의분할라인에의해구획되어있는디바이스영역(2)을일면(1)에갖는웨이퍼(W)를다이(23)로분할하는방법에관한것이다. 이방법은, 웨이퍼(W) 상의디바이스를보호하는접착테이프(4)를웨이퍼(W)의일면(1)에부착하는단계와, 접착테이프(4)를지지하는캐리어(7)를웨이퍼(W)의일면(1)에대면하는면의반대편에있는접착테이프(4)의면에부착수단(10)에의해부착하는단계를포함한다. 상기방법은, 웨이퍼의두께를조절하기위해상기일면(1)의반대편에있는웨이퍼(W)의면(6)을연마하는단계와, 연마이후에상기일면(1)의반대편에있는웨이퍼(W)의면(6)에보호층(20)을도포하는단계, 그리고웨이퍼(W)를분할라인을따라절삭하는단계를더 포함한다. 상기일면(1)의반대편에있는웨이퍼(W)의면(6)은부분적으로제1 절삭폭(w)으로기계절삭되고, 이렇게부분적으로절삭된부분(들)이형성되어있는영역(들)에있어서웨이퍼의두께방향으로, 웨이퍼(W)의남아있는부분(21)이, 상기일면(1)의반대편에있는웨이퍼(W)의면(6)에서부터제2 절삭폭(w)으로기계절삭되거나, 및/또는레이저에의해절삭되거나, 및/또는플라즈마에의해절삭된다. 제2 절삭폭(w)은제1 절삭폭(w)보다작거나같다.
摘要翻译：本发明涉及一种在一侧（1）具有多个分割线分割的多个器件的器件区域（2）分割成晶片（W）的方法。该方法包括以下步骤：将用于保护晶片（W）上的装置的粘合带（4）附接到晶片（W）的一侧（1）; 以及通过附接装置（10）将用于将胶带（4）支撑的载体（7）附接到与胶片（W）的一侧（1）相对的一侧的胶带（4）侧，。该方法还包括以下步骤：抛光与一侧（1）相对的晶片（W）的侧面（6）以调节晶片厚度; 在抛光之后，向与晶片（W）的一侧（1）相反的侧面（6）施加保护层（20）并沿分割线切割晶片（W）。将晶片（W）的与一侧（1）相对的侧面（6）机械地部分地切割成第一切割宽度（w_1），并且晶片（W）的剩余部分（21）的厚度已经形成了部分切割的区域中的晶片的方向通过激光机械切割和/或切割和/或通过等离子体从晶片（W）的相对侧切割（6）到一侧（1）到第二切割宽度（w_2）。第二切割宽度（w_2）小于或等于第一切割宽度（w_1）。

6. 发明授权

KR101798752B1 웨이퍼 분할 방법 有权
公开(公告)号：KR101798752B1
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：KR1020160023095
申请日：2016-02-26
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 프리바써칼하인츠
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/683 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L23/00 , H01L21/56
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/268 , H01L21/3065 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/3114 , H01L23/544 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2223/54486 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/35121 , H01L2224/11 , H01L2221/68304 , H01L21/304 , H01L21/56
摘要： 본발명은, 복수의디바이스가복수의분할라인에의해구획되어있는디바이스영역(2)을일면(1)에갖는웨이퍼(W)를다이(23)로분할하는방법에관한것이다. 이방법은, 웨이퍼(W) 상의디바이스를보호하는접착테이프(4)를웨이퍼(W)의일면(1)에부착하는단계와, 접착테이프(4)를지지하는캐리어(7)를웨이퍼(W)의일면(1)에대면하는면의반대편에있는접착테이프(4)의면에부착수단(10)에의해부착하는단계를포함한다. 상기방법은, 웨이퍼의두께를조절하기위해상기일면(1)의반대편에있는웨이퍼(W)의면(6)을연마하는단계와, 연마이후에상기일면(1)의반대편에있는웨이퍼(W)의면(6)에보호층(20)을도포하는단계, 그리고웨이퍼(W)를분할라인을따라절삭하는단계를더 포함한다. 상기일면(1)의반대편에있는웨이퍼(W)의면(6)은부분적으로제1 절삭폭(w)으로기계절삭되고, 이렇게부분적으로절삭된부분(들)이형성되어있는영역(들)에있어서웨이퍼의두께방향으로, 웨이퍼(W)의남아있는부분(21)이, 상기일면(1)의반대편에있는웨이퍼(W)의면(6)에서부터제2 절삭폭(w)으로기계절삭되거나, 및/또는레이저에의해절삭되거나, 및/또는플라즈마에의해절삭된다. 제2 절삭폭(w)은제1 절삭폭(w)보다작거나같다.

7. 发明公开

KR1020160080075A 웨이퍼를 다이로 분할하는 방법 有权
标题翻译：将波浪分割成圆形的方法
公开(公告)号：KR1020160080075A
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：KR1020150184831
申请日：2015-12-23
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 프리바써칼하인츠
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/683 , H01L21/268
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/02013 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386
摘要： 복수의분할라인에의해분할된복수의디바이스를갖는디바이스영역및 디바이스영역주위에디바이스가형성되지않은주연여유영역을일 면에갖는웨이퍼를다이로분할하는방법이제공된다. 상기방법은웨이퍼상의디바이스들을보호하기위한접착테이프를웨이퍼의일 면에부착하는단계로서, 접착테이프는디바이스들의적어도일부, 선택적으로모두에부착하는것인, 접착테이프부착단계; 접착테이프를지지하기위한캐리어를, 연결수단에의해, 디바이스들과접촉하는면에대향하는접착테이프의면에연결하는캐리어연결단계; 웨이퍼높이를조정하기위해일 면에대향하는웨이퍼의면을연삭하는웨이퍼연삭단계; 및분할라인을따라웨이퍼를절단하는웨이퍼절단단계를포함한다. 상기방법은, 연결수단을그 평면도에서웨이퍼의디바이스영역의완전히외부에위치결정하는단계를특징으로한다.
摘要翻译：提供了一种分割晶片的方法，该晶片在一侧具有由多个划分线分隔的多个器件的器件区域和没有在器件区域周围形成的器件的外围边缘区域。该方法包括：将用于保护晶片上的装置的粘合带附接到晶片的一侧，所述粘合带粘附到至少一些，任选地全部的装置; 将用于将粘合带支撑的载体与通过连接装置与装置接触的一侧相对的胶带侧; 研磨晶片与一侧相对的一侧以调整晶片高度; 并沿分割线切割晶片。该方法的特征在于，其连接装置在其顶视图中完全位于晶片的装置区域的外部。

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