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热词
    • 2. 发明公开
    • 표면처리된 다이아몬드 및 그 다이아몬드의 표면 처리방법
    • 金刚石表面处理及其表面处理方法
    • KR1020160113373A
    • 2016-09-29
    • KR1020150037591
    • 2015-03-18
    • 일진다이아몬드(주)
    • 허지인이현우김미선이종민
    • C01B31/06C01B31/04
    • C01B32/25C01B32/20C01B32/28
    • 본발명은열처리를이용한다이아몬드표면처리방법에관한것으로서, 구체적으로본 발명에따른열처리를이용한다이아몬드표면처리방법은다이아몬드분말을준비하는단계; 상기다이아몬드분말과니켈(Ni), 니켈/인(Ni/P), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 철(Fe), 코발트(Co) 및망간(Mn) 중적어도어느하나를포함하는금속분말과혼합하는혼합단계; 상기금속분말과혼합된다이아몬드분말을불활성분위기에서열처리하는제1 열처리단계; 상기열처리된다이아몬드분말을산소(O2) 분위기에서열처리하는제2 열처리단계; 및상기열처리된다이아몬드분말을불활성분위기에서냉각시키는냉각단계;를포함한다. 본발명에따르면표면처리를통하여다이아몬드분말의연마율을향상시킴으로써사파이어웨이퍼, 에피, 다이아몬드소결체( PCD, PCBN) 등의가공시연마속도를향상시킬수 있다.
    • 本发明涉及使用热处理对金刚石进行表面处理的方法。 特别地,使用热处理的金刚石表面处理方法包括以下步骤:制备金刚石粉末; 将金刚石粉末与含有镍(Ni),镍/磷(Ni / P),铬(Cr),钽(Ta),铁(Fe),钴(Co)和锰(Mn)中的至少一种的金属粉末混合, ; 在惰性气氛下对与金属粉末混合的金刚石粉末进行热处理; 在氧气(O_2)气氛下进一步热处理金刚石粉末; 并在惰性气氛下冷却经热处理的金刚石粉末。 根据本发明,可以通过表面处理来提高金刚石粉末的研磨速度,从而提高处理蓝宝石晶片,epi,烧结金刚石体(PCD,PCBN)等时的研磨速度。
    • 3. 发明公开
    • 다중 다결정 다이아몬드 소결체를 구비하는 다결정 다이아몬드 컴팩트 및 그 제조방법
    • 具有多重烧结多晶金刚石的多晶金刚石紧固件及其制造方法
    • KR1020150091912A
    • 2015-08-12
    • KR1020140012726
    • 2014-02-04
    • 일진다이아몬드(주)
    • 최동익박희섭
    • C04B41/50C04B35/52C04B35/645B23B27/20C01B31/06
    • C04B35/645B32B18/00C04B35/528C04B2235/427C04B2235/661C04B2235/95C04B2237/363C04B2237/588C04B2237/84E21B10/55E21B10/567C04B41/5002B23B27/20C01B32/25C04B35/521
    • 본 발명은 다중 다결정 다이아몬드 소결체를 구비하는 다결정 다이아몬드 컴팩트 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 다중 다결정 다이아몬드 소결체를 구비하는 다결정 다이아몬드 컴팩트 제조방법은 제1 다이아몬드 분말을 준비하는 제1 단계; 압력 5 내지 6GPa 및 온도 1300 내지 1500?의 조건에서 상기 제1 다이아몬드 분말을 소결하여 상기 초경기판의 직경에 비하여 작은 크기의 직경을 갖는 제1 다결정 다이아몬드 소결체를 제조하는 제2 단계; 상기 제1 다결정 다이아몬드 소결체를 상기 초경기판 상의 중심부에 위치시키고 상기 제1 다결정 다이아몬드 소결체의 주위에 제2 다이아몬드 분말을 조립하는 제3 단계; 및 압력 5 내지 6GPa 및 온도 1300 내지 1500?의 조건에서 소결하여 상기 제2 다이아몬드 분말을 제2 다결정 다이아몬드 소결체로 형성하는 제4 단계;를 포함한다.
      본 발명에 따르면 다결정 다이아몬드 소결체의 내부 및 외부의 소결을 각각 진행함으로써 다결정 다이아몬드 소결체의 중심부와 테두리의 소결 특성이 동일하도록 제조될 수 있도록 한다.
    • 本发明涉及具有多晶金刚石烧结体的多晶金刚石复合体及其制造方法。 具有根据本发明的多晶金刚石烧结体的多晶金刚石复合体的制造方法包括:制备第一金刚石粉末的第一步骤; 通过在5至6GPa的压力和1300至1500℃的温度下烧结第一金刚石粉末来制造直径小于硬质合金基体的第一多晶金刚石烧结体的第二步骤; 将所述第一多晶金刚石烧结体定位在所述硬质合金基体的中心部分并将第二金刚石粉末组装在所述第一多晶金刚石烧结体周围的第三步骤; 以及通过在5至6GPa的压力和1300至1500℃的温度下烧结第二金刚石粉末从第二金刚石粉末形成第二多晶金刚石烧结体的第四步骤。 根据本发明,通过分别烧结多晶金刚石烧结体的内部和外部,可以制造多晶金刚石烧结体的中心部分和边缘部分以具有相同的烧结特性。
    • 4. 发明授权
    • 내충격성 및 열안정성이 향상된 다결정 다이아몬드 소결체 및 그 제조방법
    • 多晶金刚石进口耐冲击/热稳定性及其制造方法
    • KR101421651B1
    • 2014-07-22
    • KR1020130011058
    • 2013-01-31
    • 일진다이아몬드(주)
    • 강동헌박희섭
    • C01B31/06C30B29/04B01J6/00
    • C01B32/28C01B32/25B01J6/00C30B29/04
    • The present invention relates to a sintered polycrystalline diamond with improved impact-resistance and thermal-stability and a manufacturing method thereof and, more specifically, to a method of manufacturing a sintered polycrystalline diamond including: a coating layer forming step of forming a tungsten coating layer by spraying a tungsten particle on a cement substrate containing a metal binder component; and a sintering step of sintering a diamond powder on the tungsten coating layer to carbonize the tungsten coating layer by a carbon eluted from the diamond powder and allow the carbonized tungsten coating layer to aggregate the metal binder components penetrating from the cemented substrate to the diamond particle. According to the present invention, since the diamond power is sintered after spraying the tungsten particles on a cement disk interface corresponding to a face surface of a diamond compact at high speeds without an additional medium member and applying the particles to the disk; the content of a metal binder such as cobalt, or the like, penetrating from the cement disk may be controlled and the bonding stability between the diamond and the carbide layer on the interface may be provided.
    • 本发明涉及具有改进的耐冲击性和热稳定性的烧结多晶金刚石及其制造方法,更具体地说,涉及一种制造烧结多晶金刚石的方法,包括:涂层形成步骤,其形成钨涂层 通过在含有金属粘结剂成分的水泥基材上喷涂钨颗粒; 以及烧结步骤,在所述钨涂层上烧结金刚石粉末,以通过从所述金刚石粉末洗脱的碳碳化所述钨涂层,并使所述碳化钨涂层将从所述胶结基材穿透的所述金属粘合剂组分聚集到所述金刚石颗粒 。 根据本发明,由于金刚石粉末在高速下将钨粒子喷涂在对应于金刚石坯体的表面的水泥盘界面上而没有附加介质构件并将颗粒施加到盘上时被烧结; 可以控制从水泥盘渗透的金属粘合剂如钴等的含量,并且可以提供界面上的金刚石和碳化物层之间的结合稳定性。
    • 5. 发明授权
    • 절삭면 구분 표시를 갖는 다결정 다이아몬드 소결체
    • 具有指示器的多晶钻石,用于制作切割区域的差异
    • KR101410270B1
    • 2014-06-30
    • KR1020120157050
    • 2012-12-28
    • 일진다이아몬드(주)
    • 최동익박희섭
    • C04B35/52C01B31/06B22F3/00B23B27/14
    • C22C26/00B22F2005/001C01B32/25C22C29/08E21B10/5676C04B35/52B22F3/00B23B27/14
    • The present invention relates to a cutting tool having a cut surface division indicator for a diamond sintered body. More specifically, the cutting tool according to the present invention includes: a carbide layer which displays a division indicator on the outer peripheral surface; a polycrystalline diamond layer formed on the carbide layer; and a toughness unit provided inside the diamond layer and has a toughness greater than the diamond layer. The division indicator shows whether the polycrystalline diamond layer corresponding to an indicated location is a cuttable surface or not. According to the present invention, when a diamond sintered body with a toughness unit is used for a cutting work, the diamond sintered body can be mounted on the cutting tool while easily distinguishing a cut portion even though the toughness unit is hard to be distinguished from the other parts.
    • 本发明涉及具有用于金刚石烧结体的切割表面分割指示器的切削工具。 更具体地,根据本发明的切削工具包括:在外周面上显示分割指示器的碳化物层; 形成在碳化物层上的多晶金刚石层; 以及设置在金刚石层内部并且具有大于金刚石层的韧性的韧性单元。 分度指示器显示对应于指示位置的多晶金刚石层是否是可切割表面。 根据本发明,当将具有韧性单位的金刚石烧结体用于切割加工时,即使韧性单位难以区分,也可以将金刚石烧结体安装在切割工具上,同时容易地区分切割部分 其他部分。
    • 6. 发明公开
    • 웨이퍼 지지용 서셉터
    • 支持WAF的SUSCEPTOR
    • KR1020130034857A
    • 2013-04-08
    • KR1020110098985
    • 2011-09-29
    • 일진다이아몬드(주)
    • 이형윤정창구
    • H01L21/683H01L21/205C23C16/458
    • H01L21/68757H01L21/67017
    • PURPOSE: A susceptor for supporting a wafer is provided to form a uniform epitaxial growth layer by uniformly transmitting high temperatures from a heater to the wafer on the upper side of the susceptor to improve the temperature uniformity of the wafer. CONSTITUTION: A first layer(20) is formed on the upper side of a base member(10). Diamond powder(30) is formed in the first layer. The first layer is composed of an SiC thin film layer or a diamond thin film layer. The surface of the diamond powder is coated with an SiC coating layer. The base member is made of at least one of aluminum, titanium, inconel, or graphite.
    • 目的:提供用于支撑晶片的感受体,以通过将加热器的高温均匀地传递到基座上侧的晶片来形成均匀的外延生长层,以改善晶片的温度均匀性。 构成:第一层(20)形成在基底构件(10)的上侧。 金刚石粉末(30)形成在第一层中。 第一层由SiC薄膜层或金刚石薄膜层构成。 金刚石粉末的表面涂覆有SiC涂层。 基底构件由铝,钛,铬镍铁合金或石墨中的至少一种制成。
    • 7. 发明公开
    • 와이어 공구
    • 电线工具
    • KR1020110126372A
    • 2011-11-23
    • KR1020100046019
    • 2010-05-17
    • 일진다이아몬드(주)
    • 문환균류민호정용화
    • B28D5/04B23D61/18C25D3/12H01L21/304
    • B23D61/185
    • PURPOSE: A wire tool is provided to enhance heat resistance and durability since a protective layer is formed, so the damage to diamond particles due to foreign materials and oxidation is prevented. CONSTITUTION: A wire tool comprises wires(100), a plating layer(120), diamond particles(130), and a protective layer(140). The wire comprises metal. The wire comprises one selected from a group of steel, stainless steel and tungsten carbide. The plating layer is formed on the surface of the wire. The plating layer comprises Ni. The diamond particles are installed on the plating layer. The protective layer is formed between the diamond particle and the plating layer. The protective layer comprises Ti, and two or more elements selected from a group of Al, Si, Cr and V. The protective layer is formed in order to make contact with the plating layer. The protective layer is formed in order to protect the whole surface of the diamond particle.
    • 目的:提供线工具,以增强耐热性和耐久性,因为形成了保护层,因此防止了由于异物和氧化引起的对金刚石颗粒的损害。 构成:电线工具包括电线(100),电镀层(120),金刚石颗粒(130)和保护层(140)。 导线包括金属。 电线包括选自一组钢,不锈钢和碳化钨中的一种。 电镀层形成在电线表面上。 镀层包括Ni。 金刚石颗粒安装在镀层上。 在金刚石颗粒和镀层之间形成保护层。 保护层包括Ti和选自Al,Si,Cr和V中的两种或更多种元素。形成保护层以与镀层接触。 形成保护层以保护金刚石颗粒的整个表面。
    • 10. 发明授权
    • 외부전극을 이용한 전계 방출 소자
    • 外部电极场发射显示
    • KR100834537B1
    • 2008-06-02
    • KR1020060071380
    • 2006-07-28
    • 일진다이아몬드(주)
    • 양동욱양희욱
    • H01J1/30G09G3/22C01B31/02
    • 본 발명에 따른 외부전극을 이용한 전계 방출 소자는 하판의 일측면에 적층된 복수의 하판 내부전극과 에미터, 에미터와 대향되는 상판의 일측면에 적층된 복수의 상판 내부전극과 형광체, 전계를 방출하기 위하여 상판 및 하판의 타측면에 각각 형성된 상판 외부전극 및 하판 외부전극, 상판 외부전극 및 하판 외부전극에 연결되어 전압을 인가하기 위한 전압 공급부 및 복수의 상판 내부전극과 상기 복수의 하판 내부전극 사이에 개별적으로 연결되어 전자의 흐름을 제어하기 위한 스위칭부를 포함한다.
      따라서, 본 발명에 따른 전계 방출 소자는 각 화소의 제어를 용이하게 할 수 있으며, 게이트 전극, 절연층 및 포커스 전극 등이 없어 발광면적을 증가시킬 수 있으며, 직선의 빔 경로를 가지므로 빔의 퍼짐 현상이 적어 상판과 하판간의 높은 갭을 유지할 수 있으며, 이로 인하여 전계 방출 소자의 효율을 더욱 증가시킬 수 있는 이점이 있다.
      전계 방출 소자, 외부전극, 내부전극, 스위치