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1. 发明公开

KR20180065619A 화합물 반도체 광소자 有权
公开(公告)号：KR20180065619A
公开(公告)日：2018-06-18
申请号：KR20160166737
申请日：2016-12-08
申请人： 안상정
发明人： AN SANG JEONG
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/02 , H01L33/36
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/02 , H01L33/36 , H01L2924/12041 , H01L2933/0066
摘要： 본개시는화합물반도체광소자에있어서, 상면과상면에대향하는하면을가지는투광성기판; 기판의상면측에성장되는복수의반도체층;으로서, 제1 도전성을가지는제1 반도체층, 제1 도전성과다른제2 도전성을가지는제2 반도체층, 및제1 반도체층과제2 반도체층사이에개재되는활성층을포함하는복수의반도체층; 기판의상면으로부터하면을향해형성된제1 및제2 트렌치;로서, 기판의하면이연마되어기판의하면측으로개방되는제1 및제2 트렌치; 기판의상면으로부터기판의하면측으로개방된제1 트렌치를거쳐제1 반도체층으로이어지는제1 전기적통로; 그리고, 기판의상면으로부터기판의하면측으로개방된제2 트렌치를거쳐제2 반도체층으로이어지는제2 전기적통로;를포함하며, 제1 전기적통로와제2 전기적통로각각은트렌치내에서와이어를구비하는것을특징으로하는화합물반도체광소자에관한것이다.

2. 发明公开

KR1020170124483A 3족 질화물 반도체층 성장을 위한 템플릿, 3족 질화물 반도체 발광소자 및 이들을 제조하는 방법 审中-实审
标题翻译：用于生长III族氮化物半导体层的模板，III族氮化物半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170124483A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：KR1020170136503
申请日：2017-10-20
申请人： 안상정
发明人： 안상정
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/64 , H01L33/62 , H01L33/02 , H01L33/44
摘要： 본개시는 3족질화물반도체층성장을위한템플릿에있어서, 제1 면및 제1 면에대향하는제2 면을가지는성장기판;으로서, 제1 면으로부터성장기판내부로뻗어있는홈을구비하는성장기판; 홈내에삽입되어고정되는방열용인서트(insert); 그리고, 일부가제거된제1 면상에형성되는씨앗층(nucleation layer);를포함하는 3족질화물반도체층성장을위한템플릿, 이를포함하는 3족질화물반도체발광소자및 이들을제조하는방법에관한것이제공된다.
摘要翻译：生长包括延伸到从所述第一表面的生长衬底的槽作为;其公开内容包含具有面向所述第一表面和在该模板为III族氮化物半导体层生长在第一表面的第二表面的生长衬底基材; 散热插件插入并固定在凹槽中; 本发明还涉及用于生长III族氮化物半导体层的模板，包括该III族氮化物半导体发光器件的III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。是的。

3. 发明公开

KR1020170037582A 파장 변환용 글라스 부재를 제조하는 방법 审中-实审
标题翻译：波长转换用玻璃部件的制造方法
公开(公告)号：KR1020170037582A
公开(公告)日：2017-04-04
申请号：KR1020170028273
申请日：2017-03-06
申请人： 안상정
发明人： 안상정
IPC分类号： C03C17/02 , C03C4/00 , C09K11/00 , C09K11/02 , C09K11/08
摘要： 본개시는파장변환용글라스부재를제조하는방법에있어서, 제1 면및 제1 면에대향하는제2 면을가지며, 1000℃이상의녹는점을가지는투광성의육방정계결정구조를갖는반도체층을준비하는단계; 파장변환재및 반도체층의녹는점보다낮은유리전이온도를가지는유리매트릭스를포함하는혼합물(mixture)을제1 면에놓는단계; 그리고, 혼합물을열처리하여반도체층과고정하는한편, 유리막으로변환하는단계;를포함하는것을특징으로하는파장변환용글라스부재를제조하는방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种制造波长转换玻璃部件的方法，该方法包括：制备具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体层，半导体层具有熔点为1000或更高的半透明六方晶体结构该方法包括：将包含玻璃化转变温度低于波长转换材料和半导体层的熔点的玻璃基质的混合物放置在第一表面上; 以及对混合物进行热处理以将其固定到半导体层并将玻璃膜转换成玻璃膜的步骤。

4. 发明公开

KR1020160137485A 반도체 소자용 지지 기판, 이를 포함하는 반도체 장치 및 이를 제조하는 방법 审中-实审
标题翻译：用于其半导体器件半导体器件的支撑衬底及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160137485A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：KR1020160155973
申请日：2016-11-22
申请人： 안상정
发明人： 안상정
IPC分类号： H01L33/62 , H01L23/00
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 본개시는반도체소자용지지기판을제조하는방법에있어서, 제1 면및 제1 면에대향하는제2 면을가지는제1 기판을준비하는단계; 제1 기판에제1 면측으로부터제2 면측으로향하는홈을형성하는단계; 홈에도전부를형성하는단계; 제1 면측에서제1 기판에제2 기판을결합하는단계; 그리고, 제2 면측에서, 도전부와도통하도록제1 도전패드를형성하는단계;를포함하는것을특징으로하는반도체소자용지지기판을제조하는방법및 이방법에의해제조되는반도체소자용지지기판, 이를포함하는반도체장치및 이반도체장치를제조하는방법에관한것이다.

5. 发明公开

KR1020150007401A 광기전력 소자 无效
标题翻译：光伏装置
公开(公告)号：KR1020150007401A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：KR1020130081056
申请日：2013-07-10
申请人： 안상정
发明人： 안상정
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/052
CPC分类号： H01L31/056 , H01L31/06 , Y02E10/52 , H01L31/0328 , H01L31/028 , H01L31/03044 , Y02E10/544
摘要： The present invention relates to a photovoltaic device that includes a conductive window which has a hexagonal close-packed lattice structure, a roughness surface which scatters light in a light entering side, and has a first bandgap energy; a cell region which is formed on the conductive window, converts incident light into electric energy, has a light absorption region made of a material which is different from a material of the conductive window which has lower bandgap energy than the first bandgap energy; and a reflective layer which reflects light which enters the opposite side of the conductive window based on the cell region, to the cell region.
摘要翻译：本发明涉及一种光电器件，其包括具有六边形紧密堆叠晶格结构的导电窗，将光入射侧散射的粗糙表面，并具有第一带隙能; 形成在导电窗口上的单元区域将入射光转换成电能，具有由不同于具有比第一带隙能量低的带隙能量的导电窗口的材料的材料制成的光吸收区域; 以及将基于单元区域进入到导电窗的相对侧的光反射到单元区域的反射层。

6. 发明授权

KR101372500B1 반도체 자외선 발광소자 有权
标题翻译： SEMICONDUCTOR ULTAVIOLET LIGHT EMIMITTING DEVICE
公开(公告)号：KR101372500B1
公开(公告)日：2014-03-11
申请号：KR1020120026212
申请日：2012-03-14
申请人： 안상정
发明人： 안상정
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/42
摘要： 본 개시는 반도체 자외선 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 자외선을 생성하는 활성층을 구비하는 복수의 반도체층; 제1 반도체층에 전기적으로 접촉되는 제1 전극; 활성층을 기준으로 제1 반도체층의 반대 측에서 제2 반도체층에 전기적으로 접촉되며 활성층에서 생성된 광을 제1 반도체층 측으로 반사시키고, Al을 광 반사 물질로 가지는 금속 반사막; 그리고, 제2 반도체층과 금속 반사막 사이에 위치하는 산소 함유 구조물;로서, 5nm이하의 두께를 가지는 투광성 전도 산화막을 구비하는 산소 함유 구조물;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자외선 발광소자에 관한 것이다.

7. 发明授权

KR101303150B1 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101303150B1
公开(公告)日：2013-09-09
申请号：KR1020120063674
申请日：2012-06-14
申请人： 안상정
发明人： 안상정
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/0079 , H01L33/30 , H01L33/62
摘要： PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to easily arrange electrodes by forming electrical paths in a supporting substrate. CONSTITUTION: A first semiconductor layer has a first conductivity. A second semiconductor layer has a second conductivity. An active layer (40) is formed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. A supporting substrate (101) includes a first electrical path and a second electrical path. A bonded layer (90) is electrically connected to the first electrical path.
摘要翻译：目的：提供一种半导体发光器件及其制造方法，以通过在支撑衬底中形成电路来容易地布置电极。构成：第一半导体层具有第一导电性。第二半导体层具有第二导电性。在第一半导体层和第二半导体层之间形成有源层（40）。支撑基板（101）包括第一电路和第二电路。接合层（90）电连接到第一电路。

8. 发明公开

KR1020130063104A 반도체 발광소자 有权
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020130063104A
公开(公告)日：2013-06-14
申请号：KR1020110129439
申请日：2011-12-06
申请人： 안상정
发明人： 안상정
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/14
摘要： PURPOSE: A semiconductor light emitting device is provided to secure a vertical type semiconductor light emitting device by using an epitaxial growth method without a wafer bonding process. CONSTITUTION: A semiconductor layer includes a first conductive semiconductor layer(10), an active layer(20), and a second conductive semiconductor layer(30). A first electrode(40) is electrically connected to the first conductive semiconductor layer. A substrate(50) is connected to the semiconductor layer facing the first conductive semiconductor layer. A second electrode(60) is formed in the boundary(31) of the substrate and the semiconductor layer. The boundary includes two interfaces(32,33).
摘要翻译：目的：提供一种半导体发光器件，用于通过不使用晶片接合工艺的外延生长方法来固定垂直型半导体发光器件。构成：半导体层包括第一导电半导体层（10），有源层（20）和第二导电半导体层（30）。第一电极（40）电连接到第一导电半导体层。衬底（50）连接到面向第一导电半导体层的半导体层。第二电极（60）形成在衬底和半导体层的边界（31）中。边界包括两个接口（32,33）。

9. 发明授权

KR102227213B1 고순도 AlxGa1-xN (0.5≤x≤1) 압전 박막 및 이 박막을 이용하는 소자를 제조하는 방법 有权
公开(公告)号：KR102227213B1
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020190046009
申请日：2019-04-19
申请人： 안상정
发明人： 안상정
IPC分类号： H01L41/314 , H01L41/187 , H01L41/08
摘要： 본개시는실리콘성막기판에화학적기상증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition)으로 3족질화물로된 스트레스제어층을형성하는단계; 그리고, 스트레스제어층위에 AlxGa1-xN (0.5≤x≤1) 압전박막을 0.3Tm(Tm; 압전박막물질의녹는점) 이상의온도에서물리적기상증착법으로형성하는단계;를포함하는것을특징으로하는 AlxGa1-xN (0.5≤x≤1) 압전박막을제조하는방법및 이압전박막을포함하는 AlxGa1-xN (0.5≤x≤1) 압전박막소자를제조하는방법에관한것이다.

10. 发明授权

KR101928328B1 반도체 발광소자 有权
公开(公告)号：KR101928328B1
公开(公告)日：2018-12-12
申请号：KR1020120081788
申请日：2012-07-26
申请人： 안상정
发明人： 안상정
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/62
摘要： 본 개시에 의하면, 반도체 발광소자에 있어서, 제1 면과 제1 면에 대향하는 제2 면을 가지며, 제2 면으로부터 제1 면으로 이어져 있는 제1 전기적 통로(electrical pass)와 제2 전기적 통로를 구비하는 지지 기판(Supporting substrate); 제1 면상에 형성된 적어도 두 개의 반도체 적층체;로서, 각각(제1 반도체 적층체와 제2 반도체 적층체라 함.)이 성장 기판을 이용하여 순차로 성장되며, 복수의 반도체층을 구비하는, 적어도 두 개의 반도체 적층체; 복수의 반도체층의 제2 반도체층 측과 지지 기판의 제1 면 측을 접합시키며, 제1 전기적 통로와 전기적으로 연결된 접합층(Bonded layer); 그리고, 제2 면 측에서 제1 반도체 적층체를 제2 반도체 적층체의 제1 전기적 통로 및 제2 전기적 통로 중 적어도 하나와 연결하는 전기적 연결;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

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