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1. 发明授权

KR101125681B1 근적외선 필터용 유리 有权
标题翻译：玻璃近红外线过滤器
公开(公告)号：KR101125681B1
公开(公告)日：2012-03-27
申请号：KR1020090104320
申请日：2009-10-30
申请人： 한국세라믹기술원 , 나노스 주식회사
发明人： 황종희 , 김진호 , 임태영 , 이해진 , 이종화 , 김영호
IPC分类号： C03C3/074 , G02B5/20
摘要： 본 발명은 근적외선 필터용 유리에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 근적외선 필터용 유리는, P
2 O
5 의 양을 중량비로 60% 이하로 제한하는 한편, 세라믹소재로서 내구성과 강도를 향상시키는 재료인 ZrO
2 성분을 적정량 포함하여 이루어지며, 이러한 구성으로 인하여 광학필터용으로 사용되는 인산계 유리의 내수성을 크게 향상시킬 수 있으며, 종래 근적외선 필터용 인산계 기반 유리의 특성인 분광특성을 그대로 유지할 수 있다.
인산계 유리, 광학필터, 적외선 필터, 근적외선 흡수유리

2. 发明授权

KR101266431B1 근적외선 필터용 유리조성물 및 이를 이용한 근적외선 필터용 유리의 제조방법 有权
标题翻译：用于近红外雷达滤光片的玻璃组合物及其使用的近红外雷达滤光片制造玻璃的方法
公开(公告)号：KR101266431B1
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：KR1020100021783
申请日：2010-03-11
申请人： 한국세라믹기술원 , 나노스 주식회사
发明人： 황종희 , 김진호 , 임태영 , 이해진 , 이종화 , 김영호
IPC分类号： C03C3/062 , C03C3/064 , C03C3/074 , C03C4/08
摘要： 본발명은근적외선필터용유리조성물및 이를이용한근적외선필터용유리의제조방법에관한것으로서, 본발명에의한근적외선필터용유리조성물은, 산화리튬(LiO), 산화나트륨(NaO) 또는산화칼륨(KO) 중적어도 2개의알칼리금속산화물 10몰% 내지 40몰%을포함하며, 상기산화나트륨/(상기산화리튬+상기산화나트륨) 또는상기산화칼륨/(상기산화나트륨+상기산화칼륨)의몰비는 0.25 내지 0.75인것을특징으로한다. 본발명에의하면, 종래내수성이약한인산계모유리의흡습성문제를개선하기위하여, 근적외선흡수유리의주요성분으로사용되고있는인산(PO)의함량을 50몰% 이하로제한하면서도두가지알카리의함량비를특정범위로조절함으로써혼합알칼리효과를통해알카리함량이증가하더라도화학적내구성등의특성저하가없으면서유리의용융온도상승을막을수 있는장점이있다.

3. 发明授权

KR101903884B1 근적외선 차단 필터 및 근적외선 차단 필터를 포함하는 장치 有权
公开(公告)号：KR101903884B1
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：KR1020170028114
申请日：2017-03-06
申请人： 나노스 주식회사
发明人： 이주석 , 김봉수
IPC分类号： G02B5/28 , G02B1/04 , C08J7/04 , C09D7/00
摘要： 본발명은투명기재상에근적외선흡수층과근적외선반사층을포함하는근적외선차단필터로서, 650 내지 800 nm 파장영역에제1흡수극대를가지고, 상기파장영역에서투과율 1% 이하인흡수밴드의파장범위가넓어투과광의입사각의존성이적고, 시야각이넓은고체촬상소자용근적외선차단필터및 이를포함하는장치에관한것이다.

4. 发明公开

KR1020170052788A 접촉면적이 확장된 활성층을 포함하는 홀 센서 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：霍尔传感器，其包括具有延长的接触面积的有源层及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170052788A
公开(公告)日：2017-05-15
申请号：KR1020150154416
申请日：2015-11-04
申请人： 나노스 주식회사
发明人： 김성우 , 이종화 , 조광철
IPC分类号： H01L43/06 , G01R33/07 , H01L43/04 , H01L43/14
摘要： 접촉면적이확장된활성층을포함하는홀 센서및 이의제조방법이제공된다. 구체적으로상기홀 센서는, 반도체기판상에, 제1 축및 제2 축이수직으로교차된십자형태의감지부및 상기감지부의 4개의끝단에위치하는접촉부를포함하는구조를갖는활성층및 상기접촉부의상부영역의크기내에배치되며, 상기감지부의제1 축의끝단에서로대향하여위치하는제1 금속층및 제2 금속층과, 상기감지부의제2 축의끝단에서로대향하여위치하는제3 금속층및 제4 금속층으로이루어진전극부를포함하는것으로, 기존의단차피복에따른전극과활성층의연결성저하등의문제점을개선할수 있어오프셋의안정화및 입력저항의감소등으로센서의효율을향상시킬수 있다.
摘要翻译：提供了一种包括其接触面积被扩大的有源层的霍尔传感器及其制造方法。更具体地，霍尔传感器，半导体衬底，所述第一轴和所述有源层和所述接触部分的上部具有一个结构，其中两个轴包括横截面形状垂直taeuigam部分和位于所述感测单元的四个端部的接触部分设置在所述区域中，第一金属层和第二金属层和第三金属层和相对定位到其被定位成与在感测部上的第一轴端在第二轴端的感测部分的第四金属层的尺寸范围内以覆盖制成的电极部分，它可以改善的问题，如利用根据在稳定性和输入的电阻的偏移减少，如提高传感器的效率常规阶梯覆盖活性层的电极连接的劣化的sikilsu。

5. 发明授权

KR101689362B1 GaAs 홀센서 칩 및 그 제조방법 有权
标题翻译： GaAs GaAs霍尔传感器芯片及制造霍尔传感器芯片的方法
公开(公告)号：KR101689362B1
公开(公告)日：2016-12-26
申请号：KR1020150095393
申请日：2015-07-03
申请人： 나노스 주식회사
发明人： 전경인 , 이종화 , 조광철 , 김성우
IPC分类号： G01R33/07 , G01R33/06
摘要： 본발명은 GaAs 홀센서칩 및 GaAs 홀센서칩 제조방법에관한것으로, 본발명의실시예에따른 GaAs 홀센서칩 제조방법은 GaAs 기판상부에채널층, 공간층및 오믹층을순서대로형성하는에피택시얼층형성단계; 상기에피택시얼층을십자가패턴으로만드는패터닝단계; 십자가패턴의에피택시얼층네 단부상부에각각전극을형성하는전극형성단계; 상기전극이형성되지않은에피택시얼층내부영역에서상기오믹층만모두제거하는리세스에칭단계; 및상기리세스에칭단계이후에상기전극의상부면을제외하고상기에피택시얼층이형성된상기 GaAs 기판상부를덮는절연막을형성하는절연막형성단계로이루어져 GaAs 홀센서칩의플리커노이즈를감소시킬수 있는것을특징으로한다.

6. 发明公开

KR1020160136649A 감소된 플리커 노이즈를 갖는 홀센서 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：具有减少闪烁噪声的霍尔传感器和用于制造霍尔传感器的方法
公开(公告)号：KR1020160136649A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：KR1020150070459
申请日：2015-05-20
申请人： 나노스 주식회사
发明人： 전경인 , 김성우 , 조광철
IPC分类号： H01L43/14
摘要： 본발명은홀센서및 홀센서제조방법에관한것으로, 본발명의실시예에따른홀센서는반절연 GaAs 기판, 상기 GaAs 기판상부에형성된 GaAs 버퍼층, 상기 GaAs 버퍼층상부에 Si를도핑하여형성된 n- GaAs 채널층, 상기 n- GaAs 채널층상부에 Si를도핑하여형성된 n+ GaAs 오믹층, 및상기 n- GaAs 채널층상부또는상하부에불순물도핑없이형성된 AlGaAs 공간층을포함하여이루어지며, 공간층이 AlGaAs(0.1

7. 发明授权

KR101399144B1 광학 필터용 조성물 및 이를 포함하는 광학 필터용 유리 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：用于光学过滤器的组合物，以及包含其的光学过滤器的玻璃及其制造方法
公开(公告)号：KR101399144B1
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：KR1020110041144
申请日：2011-04-29
申请人： 나노스 주식회사
发明人： 이해진 , 이종화 , 김영호
IPC分类号： C03C3/16 , C03C3/17 , C03C4/08 , C03C3/064
摘要： 본 발명은 광학 필터용 조성물 및 이를 포함하는 광학 필터용 유리와 이의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 광학 필터용 조성물 및 이를 제조하는 방법과 광학 필터용 조성물을 포함하는 광학 필터용 유리는 오산화인(P
2 O
5 )의 함량을 전체 조성물 100 중량%에 대하여 55 중량%이하로 제한하는 한편, 알칼리 토금속 산화물 또는 산화아연(ZnO), 알칼리 금속 산화물 및 가교제를 첨가하여 융점을 낮춤으로써 다양한 영역의 파장의 빛을 차단하는 효과를 극대화할 뿐 아니라 유리의 내구성 및 신뢰도를 강화하고, 알루미나(Al
2 O
3 )를 적정량 사용함으로써 인산계 유리의 내구성을 크게 향상시킬 수 있으며 종래 광학 필터용 유리의 분광학적 특성을 그대로 유지할 수 있다.

8. 发明公开

KR1020180101761A 근적외선 차단 필터 및 근적외선 차단 필터를 포함하는 장치 有权
公开(公告)号：KR1020180101761A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：KR1020170028114
申请日：2017-03-06
申请人： 나노스 주식회사
发明人： 이주석 , 김봉수
IPC分类号： G02B5/28 , G02B1/04 , C08J7/04 , C09D7/00
CPC分类号： G02B5/282 , C08J7/04 , C09D7/41 , G02B1/04
摘要： 본발명은투명기재상에근적외선흡수층과근적외선반사층을포함하는근적외선차단필터로서, 650 내지 800 nm 파장영역에제1흡수극대를가지고, 상기파장영역에서투과율 1% 이하인흡수밴드의파장범위가넓어투과광의입사각의존성이적고, 시야각이넓은고체촬상소자용근적외선차단필터및 이를포함하는장치에관한것이다.

9. 发明授权

KR101786207B1 접촉면적이 확장된 활성층을 포함하는 홀 센서 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：霍尔传感器，其包括具有延长的接触面积的有源层及其制造方法
公开(公告)号：KR101786207B1
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：KR1020150154416
申请日：2015-11-04
申请人： 나노스 주식회사
发明人： 김성우 , 이종화 , 조광철
IPC分类号： H01L43/06 , G01R33/07 , H01L43/04 , H01L43/14
摘要： 접촉면적이확장된활성층을포함하는홀 센서및 이의제조방법이제공된다. 구체적으로상기홀 센서는, 반도체기판상에, 제1 축및 제2 축이수직으로교차된십자형태의감지부및 상기감지부의 4개의끝단에위치하는접촉부를포함하는구조를갖는활성층및 상기접촉부의상부영역의크기내에배치되며, 상기감지부의제1 축의끝단에서로대향하여위치하는제1 금속층및 제2 금속층과, 상기감지부의제2 축의끝단에서로대향하여위치하는제3 금속층및 제4 금속층으로이루어진전극부를포함하는것으로, 기존의단차피복에따른전극과활성층의연결성저하등의문제점을개선할수 있어오프셋의안정화및 입력저항의감소등으로센서의효율을향상시킬수 있다.
摘要翻译：提供了一种霍尔传感器及其制造方法，该霍尔传感器包括具有扩大的接触面积的有源层。更具体地，霍尔传感器，在半导体衬底上，所述第一轴和所述有源层和所述接触部具有在两个轴都包含在一个横截面形状在垂直传感器和位于所述感测单元的四个端部的接触部分的结构一个设置在所述上部区域的大小，第三金属层和第四彼此相对地定位的第一金属层和第二金属层和，结束第二轴，其相对彼此位于在感测部上的第一轴端的感测部分上内为包括由电极部分的金属层，可以改善问题，例如与根据常规的阶梯覆盖活性层的电极连接的降解，因为它减少了输入的偏移量的稳定性和抗性，例如，以改善传感器的效率。

10. 发明公开

KR1020170097828A 요철 패턴을 갖는 활성층을 포함하는 홀 센서 및 이의 제조방법 审中-实审
标题翻译：包括具有凹凸图案的有源层的霍尔传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170097828A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：KR1020160019243
申请日：2016-02-18
申请人： 나노스 주식회사
发明人： 김성우 , 이종화 , 조광철
IPC分类号： G01R33/07 , G01R33/00 , H01L43/06 , H01L43/04 , H01L43/12 , G01R3/00 , G01D5/14
摘要： 요철패턴을갖는활성층을포함하는홀 센서및 이의제조방법이제공된다. 구체적으로상기홀 센서는, 반도체기판상에제1 축및 제2 축이수직으로교차된십자형태의감지부및 상기감지부와일체로형성되며상기감지부의 4개의끝단에연결하여위치하는요철패턴부를포함하는활성층을배치하고, 상기요철패턴부의표면및 상기반도체기판상에상기제1 축방향의요철패턴부의끝단에서로대향하여위치하는제1 금속층및 제2 금속층과, 상기제2 축의방향의요철패턴부의끝단에서로대향하여위치하는제3 금속층및 제4 금속층으로이루어진전극부를배치한구조로, 전극부에대한활성층의접촉면적을넓혀접촉저항을감소시킴으로써, 센서의감도를높일수 있다.
摘要翻译：提供了一种包括具有凹凸图案的有源层的霍尔传感器及其制造方法。具体地，霍尔传感器包括具有在半导体衬底上垂直交叉的第一轴和第二轴的十字形触摸感测单元以及与感测单元一体形成并连接到感测单元的四端的凹凸图案单元第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和第二金属层设置在所述不平坦图案部分的表面上并且在所述半导体衬底上，以在所述不平坦图案部分的所述第一轴向方向上的端部处彼此面对; 在第一和第二金属层的端部处彼此相对定位的第三金属层和第四金属层被设置为增加有源层相对于电极部分的接触面积并减小接触电阻。

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