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2. 发明专利

JP6653106B2 緩衝材の金属シード層の変換を含む太陽電池を製造する方法有权
公开(公告)号：JP6653106B2
公开(公告)日：2020-02-26
申请号：JP2016554602
申请日：2015-03-24
申请人：サンパワーコーポレイション , トータルマーケティングサービスィズ
发明人：モールス、マティユ , パス、トーマス
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L21/28 , H01L31/0224

3. 发明专利

JP2017126748A 太陽電池及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017126748A
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：JP2017003276
申请日：2017-01-12
申请人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド
发明人：リユジン , チョンチンウォン , チクァンソン
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0745
CPC分类号： H01L31/0682 , H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/036 , H01L31/0368 , H01L31/1872 , Y02E10/547
摘要：【課題】太陽電池の効率及び生産性を最大化することができる太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】太陽電池100は、半導体基板10と、半導体基板10の一面上に形成される保護膜層20と、保護膜層20上に位置し、結晶質構造を有する半導体で構成され、第1導電型を有する第1導電型領域32及び第1導電型と反対の第2導電型を有する第2導電型領域34と、第1導電型領域32及び第2導電型領域34にそれぞれ連結される第1電極42及び第2電極44とを含む。第1導電型領域32が保護膜層20上に位置し、第1結晶粒大きさを有する第1部分321と、第1部分321上に保護膜層20から離隔して位置し、第1結晶粒大きさより大きい第2結晶粒大きさを有する第2部分322とを含む。【選択図】図1

4. 发明专利

JP6139599B2 太陽電池及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6139599B2
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：JP2015117416
申请日：2015-06-10
申请人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド
发明人：ヤンヨンソン , チェチョンフン , パクチャンソ , クォンヒョンチン
IPC分类号： H01L31/0745
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/02167 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , Y02P70/521

5. 发明专利

JP2016517630A 選択的にドープされた導電性酸化物層を有する太陽電池およびそれを作製する方法审中-公开
标题翻译：如何太阳能电池及其制造具有选择性掺杂的导电氧化物层
公开(公告)号：JP2016517630A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：JP2016500963
申请日：2014-03-10
申请人：ピーピージー・インダストリーズ・オハイオ・インコーポレイテッドPPG Industries Ohio,Inc. , ピーピージー・インダストリーズ・オハイオ・インコーポレイテッドPPG Industries Ohio,Inc.
发明人：マッカミー、ジェイムズ、ダブリュ , トウシュ、ピーター , ネリス、ゲイリー、ジェイ． , アシュトシュガンジュ、 , アシュトシュガンジュ、
IPC分类号： H01L31/0224 , C23C16/40 , H01L31/0745 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0321 , C03C17/3411 , C03C17/3482 , C03C17/3618 , C03C17/3636 , C03C17/3649 , C03C17/3655 , C03C17/3678 , C03C2217/91 , C03C2217/94 , C23C16/407 , C23C16/45595 , C23C16/545 , H01L31/022466 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要：ドーパントが選択的に分散されている透明導電性酸化物層を有する被覆基板を作製する方法は、マルチセル化学気相成長コーティング装置の各コーティングセルに酸化物前駆体材料およびドーパント前駆体材料を選択的に供給することを含み、供給されるドーパント材料の量は、結果としてもたらされるコーティングにおけるドーパント含量対コーティング深さを変化させるように選択される。
摘要翻译：使该掺杂剂具有选择性选择性地分布的透明导电氧化物层的涂覆的基材的方法中，氧化物前体材料和掺杂剂前体材料的涂层小区多单元化学气相沉积涂覆设备其包括向掺杂剂材料的要被提供被选择以便改变在由此引起涂料中的掺杂剂含量与涂层深度的量。

6. 发明专利

JP2016076709A 太陽電池の基板有权
标题翻译：太阳能电池基板
公开(公告)号：JP2016076709A
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：JP2015217744
申请日：2015-11-05
申请人：サンパワーコーポレイション
发明人：スミス、デーヴィッド , リウ、ヘレン , デニス、ティム , マニング、ジェーン , ルアン、シン−シャオ , ワルドハウアー、アン , ソロモン、ジェネビエーブ、エー. , マルガプ、ブレンダ、パグラヤン , ラミレス、ジョセフ
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L21/20 , H01L21/316 , H01L21/205 , H01L31/0745
CPC分类号： H01L31/1876 , H01L31/062 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：【課題】太陽電池の効率を高めることを可能にする太陽電池構造物を製造するための新規の方法を提供。【解決手段】炉内で基板の表面上にトンネル酸化物層を形成する工程102、炉から基板を取り出すことなく、トンネル酸化物層上にアモルファス層を形成する工程104、アモルファス層をドープして、N型ドーパントを含む第1の領域と、P型ドーパントを含む第2の領域とを設ける工程106、アモルファス層が加熱されて、N型ドープ領域とP型ドープ領域とを有する多結晶層が形成される工程108を含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造太阳能电池结构的新方法，其可以提高太阳能电池的效率。解决方案：一种制造太阳能电池结构的方法包括：步骤102，用于在其上形成隧道氧化物层在炉中的基板的表面，用于在隧道氧化物层上形成非晶层而不取出炉的步骤104，用于提供包含N型掺杂剂的第一区域的步骤106和包含P型通过掺杂非晶层而形成掺杂剂，以及步骤108，其中通过加热非晶层形成具有N型掺杂区和P型掺杂区的多晶层。图1

7. 发明专利

JP5858421B2 太陽電池の製造方法有权
公开(公告)号：JP5858421B2
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：JP2011154472
申请日：2011-07-13
申请人：国立大学法人名古屋大学
发明人：宇佐美徳隆 , 藩伍根
IPC分类号： H01L31/0745 , H01L31/0352
CPC分类号： Y02E10/546

8. 发明专利

JP2016501452A ハイブリッドエミッタ全バックコンタクト型太陽電池有权
标题翻译：混合发射器的所有背面接触太阳能电池
公开(公告)号：JP2016501452A
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：JP2015549587
申请日：2013-12-17
申请人：サンパワーコーポレイション , サンパワーコーポレイション
发明人：ロスカトフ、ポール , リム、セウン
IPC分类号： H01L31/0745
CPC分类号： H01L31/182 , H01L31/022441 , H01L31/022458 , H01L31/028 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/50 , Y02E10/546 , Y02E10/547
摘要：全バックコンタクト型太陽電池は、ハイブリッドエミッタ設計を有する。この太陽電池は、単結晶シリコン基板(101)の裏側表面上に形成された、薄い誘電体層(102)を有する。太陽電池の一方のエミッタ(103)は、薄い誘電体層(102)上に形成される、ドープ多結晶シリコンで作製される。太陽電池の他方のエミッタ(108)は、単結晶シリコン基板(101)内に形成され、ドープ単結晶シリコンで作製される。この太陽電池は、金属コンタクト(107)が、対応するエミッタ(108、103)に接続することを可能にする、コンタクトホールを含む。
摘要翻译：所有背接触式太阳能电池具有的混合发射器的设计。太阳能电池已经形成在单晶硅衬底（101），一薄介电层（102）的背表面上。在形成薄介电层（102）是由掺杂的多晶硅的在太阳能电池单元（103）中的一个发射极。形成内，它由掺杂单晶硅的单晶硅衬底（101）上的其它发射（108）的太阳能电池。所述的太阳能电池，金属接触件（107），能够连接到相应的发射器（108103），包括接触孔。

9. 发明专利

JP2015165213A 太陽電池モジュール、電子時計、および太陽電池モジュールの製造方法有权
标题翻译：太阳能电池模块，电子钟和太阳能电池模块制造方法
公开(公告)号：JP2015165213A
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：JP2014040363
申请日：2014-03-03
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：澤田明宏
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0745 , H01L31/075 , H01L31/076 , G04G19/00 , G04C10/02
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：【課題】生産効率を向上できる太陽電池モジュール、電子時計、および太陽電池モジュールの製造方法を提供すること。【解決手段】太陽電池モジュール30では、導通部材33は、太陽電池31,32の裏面側に配置された基部71、基部71から延出した押圧用の基端部721、および、基端部721に連続した先端部722,723を有する基材70と、先端部722,723の裏面に設けられた電極822,823と、電極822,823と電気的に接続され、基部71に設けられた電極811,821と、を備え、基端部721および先端部722,723は可撓性を有し、導通部材33は、太陽電池31,32に対して、基端部721が太陽電池31,32と重ならず、先端部722,723が表面電極325,315と重なり、かつ、表面電極325,315の表面側に位置するように配置され、電極822,823と表面電極325,315とは接続されている。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高生产效率的太阳能电池模块，电子时钟和太阳能电池模块制造方法。解决方案：在太阳能电池模块30中，导电构件33包括：基材70，其包括：设置在太阳能电池31,32的后表面的基部71，从基部71延伸的按压用基端部721和与基端部721连续的前端部722,723; 分别设置在前端部722和723的后表面上的电极822和823; 以及电连接到电极822和823并设置在基部71，近端部分721和具有柔性的远端部分722和723的电极811和821。导电构件33被构造成抵靠太阳能电池31和32，使得近端部分721不与太阳能电池31和32重叠，远端部分722和723分别与表面电极325和315重叠，并且布置位于表面电极325和315的表面上。电极822和823连接到表面电极325和315。

10. 发明专利

JP2010171464A Semiconductor device with heterojunction and interdigitated structure 审中-公开
标题翻译：具有异质结构和介电结构的半导体器件
公开(公告)号：JP2010171464A
公开(公告)日：2010-08-05
申请号：JP2010109113
申请日：2010-05-11
申请人： Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives , コミッサリアアレネルジーアトミークエオゼネルジザルタナテイヴ
发明人： RIBEYRON PIERRE JEAN , JAUSSAUD CLAUDE , ROCA I CABARROCAS PERE , DAMON-LACOSTE JEROME
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0745 , H01L31/0747
CPC分类号： H01L31/03529 , H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/0288 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device (100) including at least one first region (6) of an amorphous semiconductor doped with a first type of conductivity on at least one surface (3) of a crystalline semiconductor (1). SOLUTION: A semiconductor substrate (1) includes at least one second region (7a and 7b) of an amorphous semiconductor doped with a second type of conductivity opposite to a first type of conductivity in the same region (3). A first region (6) of the amorphous semiconductor is insulated from the second region (7a and 7b) of the amorphous semiconductor by at least one dielectric region (8a, 8b, 8c, and 8d) in contact with the semiconductor substrate (1). Furthermore, the second area (7a and 7b) of the amorphous semiconductor forms an interdigitated structure. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件（100），其包括在晶体半导体（1）的至少一个表面（3）上掺杂有第一类型导电性的非晶半导体的至少一个第一区域（6））。解决方案：半导体衬底（1）包括在相同区域（3）中掺杂有与第一类型导电性相反的第二类型导电性的非晶半导体的至少一个第二区域（7a和7b）。非晶半导体的第一区域（6）通过与半导体衬底（1）接触的至少一个电介质区域（8a，8b，8c和8d）与非晶半导体的第二区域（7a和7b）绝缘，。此外，非晶半导体的第二区域（7a和7b）形成叉指结构。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

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