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1. 发明专利

JP6053194B2 感光性化合物、感光性樹脂及び感光性組成物有权
标题翻译：感光性化合物，感光树脂和感光组合物
公开(公告)号：JP6053194B2
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：JP2014510074
申请日：2013-02-28
申请人：東洋合成工業株式会社
发明人：渋谷徹
IPC分类号： C07C233/83 , G03F7/012 , C08F8/28 , C07D263/42 , C07C247/18
CPC分类号： G03F7/012 , C07C233/83 , C07C247/16 , C07C247/18 , C07D233/60 , C07D233/61 , C07D263/38 , C07D263/42 , C07D295/14 , C08F116/06 , G03F7/008 , G03F7/0125 , G03F7/0388

2. 发明专利

JP2016114716A 光架橋剤による電極印刷用親撥パターン形成方法审中-公开
标题翻译：使用光交换剂进行电极印刷的水解和疏水性不同的图案形成方法
公开(公告)号：JP2016114716A
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：JP2014252280
申请日：2014-12-12
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：徳久英雄
IPC分类号： G03F7/012 , G03F7/09 , H01L21/027 , G03F7/038
摘要：【課題】フォトレジストを用いたフォトリソグラフィー法による場合に比べ少ない工程で導電性パターン膜を形成する際に有用な親撥パターン形成方法を提供する。さらに、フレキシブル基材のように歪みやすい基材であっても、歪み補正を行うことができる親撥パターン形成方法を提供する。【解決手段】疎水性表面に形成した光架橋剤膜に対し波長300〜400nmの光を所定パターンで照射し、照射後表面を洗浄することにより表面に親水性部と疎水性部を有する親撥パターンを形成することを特徴とする。さらに、照射する光が直描レーザであることを付加的な特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：相对于使用光致抗蚀剂的光刻方法，提供使用亲水性和疏水性差异的图案形成方法，其在形成具有较少数量步骤的导电图案时是有用的，此外，使用差异的亲水性和疏水性能，即使当基底容易变形时，如柔性基底也能够校正应变的差异。溶液：将波长为300-400nm的光照射到形成在疏水性表面上的光交联膜上，然后在辐射之后，洗涤表面以形成在表面上包含亲水部分和疏水部分的亲水/疏水图案。此外，辐射光是直接拉丝激光。选择图：图1

5. 发明专利

JP4373260B2 Macromolecular complex 有权
公开(公告)号：JP4373260B2
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：JP2004096854
申请日：2004-03-29
申请人：東洋合成工業株式会社 , 一則片岡
发明人：覚浩平野 , 武志池谷 , 徹渋谷 , 一則片岡
IPC分类号： B32B9/00 , G01N27/327 , C12M3/00 , C12Q1/00 , G03F7/012 , G03F7/09
CPC分类号： C09D129/04 , C08J7/18 , C08K5/28 , C08K5/42 , C08L2312/06 , C12M23/20 , C12Q1/00 , G03F7/012 , Y10S430/155 , Y10T428/31536 , Y10T428/31855

6. 发明专利

JP2003509869A Poly-3,4-alkene-dioxythiophene (PEDOT) and the conductive structure based on polystyrene sulfonate (pss) 审中-公开
公开(公告)号：JP2003509869A
公开(公告)日：2003-03-11
申请号：JP2001524167
申请日：2000-09-06
申请人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
发明人：ゲルウィン、エイチ．ゲリンク , ダゴベルト、エム．ド、リーウー , ニコラス、ピー．ウィラード , フレデリクス、ジェイ．トゥースレーガー
IPC分类号： H01L21/28 , G03F7/012 , G03F7/038 , G03F7/09 , H01B1/12 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L33/00 , H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/10 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0037 , G03F7/0125 , G03F7/038 , G03F7/093 , H01B1/127 , H01G11/48 , H01L27/3239 , H01L51/0014 , H01L51/0021 , H01L51/0023 , H01L51/0036 , H01L51/0516 , H01L51/0541 , H01L51/5088 , H01L51/5206 , Y02E60/13
摘要： (57)【要約】電子素子は、ポリ−３，４−アルキレンジオキシチオフェンの塩を含む導電性レリーフ構造（３）を有する。この塩は、構造（３）に安定導電率を与える。この塩は多酸塩であるのが好ましい。ポリ−３，４−アルキレンジオキシチオフェンの多酸塩は、電気絶縁基板上にレリーフ構造を製造する方法に用いられる。１０μｍ未満のトラック幅（ｔＷ）およびチャンネル長さ（ｃＬ）を有するトラック（３１１〜３１４、３２１〜３２４）およびチャンネル（１４１）を含むレリーフ構造（３）を実現することができる。トラック（３１１〜３１４；３２１〜３２４）は電極（３１；３２）として使用され、チャンネル（１４１）は、電子素子、特に電界効果トランジスタ（１１）および発光ダイオードの半導体チャンネルとして用いられる。

7. 发明专利

JP2002529543A 失效
公开(公告)号：JP2002529543A
公开(公告)日：2002-09-10
申请号：JP2000580047
申请日：1999-03-08
IPC分类号： B01J19/12 , C08K5/00 , C08L39/04 , C08L101/06 , C12N11/08 , G03F7/012 , G03F7/038

8. 发明专利

JP3163036B2 失效
公开(公告)号：JP3163036B2
公开(公告)日：2001-05-08
申请号：JP12186097
申请日：1997-05-13
IPC分类号： G03F7/008 , C07C247/16 , C08F8/00 , C08F16/06 , C09K11/06 , G03F7/012

9. 发明专利

JP3145481B2 失效
公开(公告)号：JP3145481B2
公开(公告)日：2001-03-12
申请号：JP15338392
申请日：1992-06-12
IPC分类号： G03F7/012 , G03F7/038 , H01L21/027

10. 发明专利

JP3051817B2 失效
公开(公告)号：JP3051817B2
公开(公告)日：2000-06-12
申请号：JP1377095
申请日：1995-01-31
IPC分类号： G03F7/012 , G03F7/039 , H01L21/027 , H01L21/285 , H01L21/338 , H01L29/41 , H01L29/812

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