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    • 8. 发明专利
    • シリカ系粒子分散体の製造方法
    • 生产二氧化硅颗粒分散体的方法
    • JP2016175790A
    • 2016-10-06
    • JP2015056462
    • 2015-03-19
    • セイコーインスツル株式会社
    • 高橋 正太郎
    • C01B33/149
    • 【課題】分散安定性に優れ、高い疎水性を示し、硬度の高い透明樹脂膜を調製する際に好ましく用いることのできる表面処理したシリカ系粒子分散体の製造方法を提供する。 【解決手段】シリカ系粒子分散体は、(メタ)アクリロイル基を有するトリアルコキシシラン化合物とアルキル基を有するトリアルコキシシラン化合物と、平均粒子径が1〜50nmの範囲にあるシリカ系粒子とを混合して表面処理する。 【選択図】なし
    • 要解决的问题:为了提供分散稳定性优异,疏水性高的二氧化硅系粒子分散体的制造方法,可以在制备具有高硬度的透明树脂膜并进行表面处理时有利地使用。 :通过将具有(甲基)丙烯酰基的三烷氧基硅烷化合物,具有烷基的三烷氧基硅烷化合物和平均粒径为1-50nm的二氧化硅系粒子混合,并混合 物质表面处理。选择图:无
    • 9. 发明专利
    • コロイダルシリカ及びそれを含有する半導体ウエハ研磨用組成物
    • 用于抛光含有它的半导体晶体的胶体二氧化硅及其组合物
    • JP2016020294A
    • 2016-02-04
    • JP2014145006
    • 2014-07-15
    • スピードファム株式会社
    • 田中 弘明田辺 静顕市川 真也
    • H01L21/304B24B37/00C09K3/14C01B33/149
    • 【課題】経時保存安定性が良好な表面改質コロイダルシリカ、及び該表面改質コロイダルシリカを用いた、研磨後の被研磨体の洗浄性を向上し、装置の汚染を防止し、更には被研磨体のスクラッチやロールオフ、ディッシング等の問題の発生を抑制する半導体ウエハの研磨用組成物を提供する。 【解決手段】半導体ウエハの研磨に使用される研磨用組成物は、分子構造内に、第四アンモニウムよりなる官能基を2個またはそれ以上と、カルボキシル基を2個またはそれ以上とを持つ水溶性高分子化合物を粒子表面に配した表面改質コロイダルシリカ、および該表面改質コロイダルシリカを研磨剤として含有する研磨用組成物。 【選択図】なし
    • 要解决的问题:提供一种表面改性的胶体二氧化硅,其随时间具有良好的储存稳定性,并提供使用改善抛光后待抛光对象的可洗性的表面改性胶态二氧化硅来研磨半导体晶片的组合物,防止 污染装置并抑制诸如待抛光物体的划伤,滚落,凹陷等问题的发生。抛光组合物用于抛光半导体晶片。 表面改性的胶体二氧化硅是通过在分子结构中排列具有两个或更多个官能团的水溶性聚合物化合物而制备的,所述官能团包含季铵并且在颗粒表面上具有两个或多个羧基。 抛光组合物含有作为研磨剂的表面改性胶体二氧化硅。选择图:无