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热词
    • 2. 发明专利
    • Drive circuit
    • 驱动电路
    • JP2009055685A
    • 2009-03-12
    • JP2007218669
    • 2007-08-24
    • Toyota Industries Corp株式会社豊田自動織機
    • HIRABAYASHI NOBUO
    • H02M1/08H02M1/38H02M7/537H02M7/5387H03K17/08H03K17/687
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a drive circuit which can drive switching elements to prevent two switching element connected in series from being turned on simultaneously in a bridge system circuit. SOLUTION: The drive circuit 1 turns on/off MOSFETs 32 to 35 in bridge system circuit 31, wherein the MOSFETs 32, 33 and MOSFETs 34, 35 each connected in series are connected in parallel to DC power source 36 respectively. The drive circuit comprises a capacitor 12 which stores charge for turning on an npn bipolar transistor 22 for elevating the potential of an output terminal 24 to turn on the MOSFET 32, and a capacitor 13 which stores charge for turning on a pnp bipolar transistor 23 drawing out the charge stored in a parasitic capacitance between a drain and a gate of the MOSFET 33 when the MOSFET 32 is turned on. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
    • 要解决的问题:提供一种可以驱动开关元件以驱动串联连接的两个开关元件在桥接系统电路中同时导通的驱动电路。 解决方案:驱动电路1接通/断开桥接系统电路31中的MOSFET 32至35,其中串联连接的MOSFET 32,33和MOSFET34,35分别与DC电源36并联连接。 驱动电路包括电容器12,其存储用于导通npn双极晶体管22的电荷,用于提高输出端子24的电位以导通MOSFET 32;以及电容器13,其存储用于导通pnp双极晶体管23的电荷绘图 当MOSFET32导通时,存储存储在MOSFET33的漏极和栅极之间的寄生电容的电荷。 版权所有(C)2009,JPO&INPIT
    • 3. 发明专利
    • Adaptive dead-time setting circuit and method for generating the
    • 空值
    • JP2007527190A
    • 2007-09-20
    • JP2006554257
    • 2005-02-22
    • インターナショナル レクティファイアー コーポレイション
    • ルス イウリアウィルヘルム デイナグリーン ピーター
    • H02M7/48G05F1/40H02M1/38
    • H02M1/38H03K17/166H03K17/284H03K17/6871H03K2217/0063H03K2217/0072H03K2217/0081
    • 【課題】 ハーフブリッジ回路内のスイッチングデバイスのハードスイッチングを阻止する。
      【解決手段】 オシレータ駆動型のハーフブリッジ回路のための適応型デッドタイム設定回路であって、ハーフブリッジ回路の中間接続点における電圧を検出する検出回路と、前記電圧のHレベルからLレベルへの遷移を示す第1の信号を発生する第1の回路と、少なくとも前記第1の信号に基づいて、オシレータを制御する適応型デッドタイム信号を出力する出力回路とを備えてなる回路である。
      【選択図】 図3
    • 高电压失调检测电路在开关半桥的中点登记电压,并且可以确定中点电压何时达到给定值以避免半桥开关中的硬切换。 开关半桥的中点电压通过缓冲器施加到电流限制的MOSFET,以产生反映开关半桥中点电压的电压。 由MOSFET产生的电压可以提供给具有阈值输入的比较器,以获得指示开关半桥的开关何时导通以避免硬切换的信号。 自适应死区时间电路和方法可以包括上述感测电路,用于产生指示中点电压的高到低转换的第一信号的第一电路; 以及用于基于此产生自适应死区时间输出信号的输出电路。 第二电路可以产生指示电压的低到高转换的第二信号; 其中所述输出电路基于所述第一和第二信号两者产生所述自适应死区时间输出信号。 第二电路优选地通过再现第一信号来产生第二信号。 第一电路可以通过响应于脉冲对电容器充电来产生第一信号,并且第二电路可以通过对与所述第一电容器相对应的第二电容器进行充电来产生第二信号,并且自适应死区时间输出信号可以响应于 在第一和第二电容器上充电。