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1. 发明专利

JP5562925B2 Field-effect transistor 有权
公开(公告)号：JP5562925B2
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：JP2011259277
申请日：2011-11-28
申请人：レイセオンカンパニー
发明人：ワン，キューチュル
IPC分类号： H01L27/095 , H01L21/338 , H01L21/8252 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L31/0328
CPC分类号： H01L21/8252 , H01L27/095

2. 发明专利

JP2012074722A Field effect transistor 有权
标题翻译：场效应晶体管
公开(公告)号：JP2012074722A
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：JP2011259277
申请日：2011-11-28
申请人： Raytheon Co , レイセオンカンパニー
发明人： HWANG KIUCHUL
IPC分类号： H01L27/095 , H01L21/338 , H01L21/8252 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L31/0328
CPC分类号： H01L21/8252 , H01L27/095
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To increase the yield by improving the selective etching property of an etching stopper layer in an enhancement mode transistor device and a depression mode transistor device.SOLUTION: An InGaP etching stop/Schottky contact layer of an enhancement mode transistor device is disposed on a channel layer 20. A first layer 26 different from InGaP is disposed thereon. A depression mode transistor device etching stop layer 28 is disposed on the first layer. A second layer 30 is disposed on the etching stop layer. The depression mode transistor device has a gate recess that penetrates through the second layer and the etching stop layer and that ends at the first layer. The enhancement mode transistor device has a gate recess that penetrates through the second layer, the depression mode transistor device etching stop layer, and the first layer and that ends at the InGaP layer.
摘要翻译：要解决的问题：通过提高增强型晶体管器件和抑制模式晶体管器件中的蚀刻停止层的选择性蚀刻性能来提高产率。解决方案：增强型晶体管器件的InGaP蚀刻停止/肖特基接触层设置在沟道层20上。与InGaP不同的第一层26设置在其上。凹陷模式晶体管器件蚀刻停止层28设置在第一层上。第二层30设置在蚀刻停止层上。凹陷模式晶体管器件具有穿过第二层和蚀刻停止层并且在第一层结束的栅极凹槽。增强型晶体管器件具有穿过第二层，凹陷模式晶体管器件蚀刻停止层和第一层并且终止于InGaP层的栅极凹槽。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP4236442B2 Switch circuit device 有权
公开(公告)号：JP4236442B2
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：JP2002303484
申请日：2002-10-17
申请人：三洋電機株式会社
发明人：好史中島 , 幹人榊原 , 哲郎浅野 , 秀俊石原
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/338 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L21/8252 , H01L27/02 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/41 , H01L29/47 , H01L29/812 , H01L29/872 , H03K17/08 , H03K17/693
CPC分类号： H01L21/8252 , H01L27/0255 , H01L27/0605 , H01L27/088

4. 发明专利

JP4126749B2 A method of manufacturing a semiconductor device 失效
公开(公告)号：JP4126749B2
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：JP11256998
申请日：1998-04-22
申请人：ソニー株式会社
发明人：典一中山 , 俊雅小林 , 修松田 , 弘治河合
IPC分类号： H01L21/301 , H01S5/022 , H01L21/02 , H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/338 , H01L21/8252 , H01L29/812 , H01L31/0232 , H01L33/48 , H01S5/00 , H01S5/02 , H01S5/323 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/8252 , H01L33/0079 , H01L2221/68363 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01S5/0202 , H01S5/021 , H01S5/0213 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/02212 , H01S5/0264 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： In a semiconductor device manufacturing method capable of manufacturing semiconductor lasers, light emitting diodes or electron transport devices using nitride III-V compound semiconductors with a high productivity, a GaN semiconductor laser wafer is prepared in which a plurality of semiconductor lasers are formed on an AlGaInN semiconductor layer on a c-face sapphire substrate and separated from each other by grooves deep enough to reach the c-face sapphire substrate, and a p-side electrode and an n-side electrode are formed in each semiconductor laser. The GaN semiconductor laser wafer is bonded to a photo-diode built-in Si wafer having formed a photo diode for monitoring light outputs and solder electrodes in each pellet by positioning the p-side electrode and the n-side electrode in alignment with the solder electrodes, respectively. After that, by lapping the c-face sapphire substrate from its bottom surface deep enough to reach the grooves or by dicing the c-face sapphire substrate from its bottom surface, the semiconductor lasers on the photo-diode built-in Si wafer are separated from each other. After that, the photo-diode built-in Si wafer is divided by dicing into discrete pellets. A GaN semiconductor laser chip, thus obtained, is assembled on a package.

5. 发明专利

JP2007512705A Monolithic integrated enhancement mode and depletion mode fet and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP2007512705A
公开(公告)日：2007-05-17
申请号：JP2006541197
申请日：2004-10-26
申请人：トライクウィントセミコンダクター,インコーポレーテッド
发明人：エイ．ウォールムース，ウォルター
IPC分类号： H01L27/095 , H01L21/28 , H01L21/338 , H01L21/8234 , H01L21/8252 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L21/82345 , H01L21/823456 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/0883
摘要：【課題】製造コストを低減し品質の均一性および安定性を高めたモノリシック集積型エンハンスメントモード／デプリーションモードＦＥＴデバイスを提供する。
【解決手段】単一の半導体多層構造でデプリーションモード（Ｄモード）ＦＥＴをエンハンスメントモード（Ｅモード）ＦＥＴとモノリシックに集積回路化する。上記多層構造にはチャネル層を設け、その上に障壁層をオーバーレイし、さらにその上にオームコンタクト層をオーバーレイする。これらＤモードＦＥＴおよびＥモードＦＥＴのソースコンタクトおよびドレーンコンタクトをオームコンタクト層に接続する。またＤモードＦＥＴおよびＥモードＦＥＴのゲートコンタクトを障壁層に接続する。障壁層の中のＥモードゲートコンタクトの下に非晶質化領域を設ける。この非晶質化領域が障壁層との間の埋込みＥモードSchottkyコンタクトを構成する。代わりに実施例ではＤモードＦＥＴのゲートコンタクトを障壁層にオーバーレイした第１の層に接続し、その第１の層の中にＤモード非晶質化領域を形成する。
【選択図】図６

6. 发明专利

JP3529938B2 A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device and semiconductor device 失效
公开(公告)号：JP3529938B2
公开(公告)日：2004-05-24
申请号：JP9873496
申请日：1996-04-19
申请人：富士通株式会社
发明人：義昭中田 , 俊彦森
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/331 , H01L21/822 , H01L21/8252 , H01L29/737
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y10/00 , H01L21/822 , H01L21/8252 , Y10S148/041 , Y10S148/169 , Y10S438/973

7. 发明专利

JP2003533027A Temperature-compensated single power supply hfet 有权
公开(公告)号：JP2003533027A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：JP2001581347
申请日：2001-04-11
申请人：モトローラ・インコーポレイテッド
发明人：シー．グラス、エリザベス , コスタ、ジュリオ , ハーティン、オリン , エル．バレンタイン、ウェンディ , ホアン、ジェン―ファ
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/8232 , H01L21/8252 , H01L27/02 , H01L27/06 , H01L27/095 , H01L29/47 , H03F1/30 , H03K17/14 , H01L21/06
CPC分类号： H01L21/8252 , H01L27/0248 , H01L27/0605 , H03F1/301 , H03K17/145
摘要： (57)【要約】化合物半導体層をエピタキシャル成長させ、その内部にＨＦＥＴ（１０）を形成させたスタック（１４）を有した、単一電源のＨＦＥＴで低電圧温度補償を行うための装置の製造方法及び同装置に関する。ショットキ・ダイオード（１１）を、ＨＦＥＴ形成中に、ＨＦＥＴ（１０）に隣接するスタック内に形成する。ＨＦＥＴ（１０）及びショットキ・ダイオード（１１）を同時に形成し、ＨＦＥＴのゲートを形成する金属層の一方の一部を、低ギャップ（例えば、０．８ｅＶより小さい）を有するスタック（１４）の層（１９）と接触するように配置し、１．８ボルトより小さいショットキ・ダイオード用のターン・オン電圧を得る。ショットキ・ダイオード（１１）をゲート回路（４８）によりＨＦＥＴのゲート接続に接続し、温度変化と一緒にゲート回路内の電流負荷の変化を補償する。

8. 发明专利

JP2003523080A 失效
公开(公告)号：JP2003523080A
公开(公告)日：2003-07-29
申请号：JP2001559047
申请日：2001-02-08
IPC分类号： H01L21/331 , C30B25/18 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/822 , H01L21/8222 , H01L21/8232 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/8248 , H01L21/8249 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/092 , H01L27/095 , H01L27/14 , H01L27/15 , H01L29/26 , H01L29/267 , H01L29/732 , H01L33/16 , H01L33/30 , H01S5/02 , H01S5/026 , H01L21/06

9. 发明专利

JP3375928B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP3375928B2
公开(公告)日：2003-02-10
申请号：JP2000030818
申请日：2000-02-08
申请人：富士通カンタムデバイス株式会社
发明人：一松田
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/285 , H01L21/338 , H01L21/8252 , H01L27/04 , H01L27/095
CPC分类号： H01L29/66871 , H01L21/28575 , H01L21/28587 , H01L21/8252

10. 发明专利

JP3319472B2 失效
公开(公告)号：JP3319472B2
公开(公告)日：2002-09-03
申请号：JP32694492
申请日：1992-12-07
IPC分类号： H01L29/205 , H01L21/20 , H01L21/331 , H01L21/822 , H01L21/8252 , H01L27/06 , H01L27/10 , H01L29/68 , H01L29/73 , H01L21/06

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