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    • 4. 发明专利
    • 導電膜の製造方法及び導電膜形成用組成物
    • 制造导电膜的方法和导电膜形成的组成
    • JP2015196841A
    • 2015-11-09
    • JP2014073622
    • 2014-03-31
    • 富士フイルム株式会社
    • 佐々田 美里
    • H01B13/00H01B1/22H01B1/02C09D201/00C09D7/12C09D5/24C09D11/52H05K3/20H05K1/09C08K3/22C08L71/02C08K5/05C23C18/14
    • C08K3/22C08K5/05C09D11/52C09D171/02C09D201/00C09D5/24C09D7/12C23C18/08C23C18/14H01B1/22H05K1/097H05K3/207H05K2203/0108H05K2203/1131H05K2203/1157
    • 【課題】導電性に優れ、欠陥が少なく、転写性に優れる導電膜の製造方法、導電膜形成用組成物の提供。 【解決手段】酸化銅粒子(A)と、沸点が250℃以上で1分子当たり少なくとも1つのヒドロキシ基を有する有機化合物及びポリアルキレングリコールから選ばれる少なくとも1種の化合物(B)と、沸点100℃未満の有機溶媒(C)と、を含む導電膜形成用組成物12を仮支持体10上に付与して塗膜12を形成する塗膜形成工程と、塗膜12の一部を除去する除去工程と、仮支持体10上の残存する塗膜20を基材22上に転写し導電膜の前駆体膜を形成する転写工程と、前駆体膜に光を照射し膜中の酸化銅粒子を還元・融着させて導電膜を形成する焼結工程とを備え、酸化銅粒子の含有量が、酸化銅粒子と化合物との合計量の50〜95質量%以下であり、有機溶媒の含有量が、導電膜形成用組成物12の全量中の10質量%以上である、導電膜の製造方法。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供导电性优异,缺陷少,转印性优异的导电膜的制造方法和导电膜形成用组合物。导电膜的制造方法包括:涂膜形成工序, 包含氧化铜颗粒(A)的导电膜形成用组合物12,选自沸点为250℃以上,每分子具有至少一个羟基的有机化合物中的至少一种化合物(B),和 聚酰亚胺二醇和沸点低于100℃的有机溶剂(C)在临时载体10上形成涂膜12; 去除一部分涂膜12的去除步骤; 将保留在临时支架10上的涂膜20转印到基材22上以形成导电膜的前体膜的转印步骤; 以及烧结步骤,用光照射前体膜,以减少并熔化膜中的氧化铜颗粒并形成导电膜。 氧化铜粒子的含量为氧化铜粒子和化合物总量的50质量%以上至95质量%以下,有机溶剂的含量为总量的10质量%以上 用于导电膜形成的组合物12。