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    • 4. 发明专利
    • 振動式トランスデューサおよびその製造方法
    • 振动式传感器及其制造方法
    • JP2015034713A
    • 2015-02-19
    • JP2013164612
    • 2013-08-07
    • 横河電機株式会社Yokogawa Electric Corp
    • YOSHIDA TAKASHIMISHIMA TAKESHIIWAI SHIGETOYOSHIDA YUSAKU
    • G01L1/10H01L29/84
    • H01L41/083H01L41/331H03H3/0072H03H9/1057Y10T29/42
    • 【課題】振動子を第一層へ吸着させることなく形成して、高精度な応力の検出を可能にし、特性のバラツキの少ない振動式トランスデューサおよびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】シェル14には、第一層26と第二層27との対向領域において、貫通孔25の第二層26の側の開口部に臨む部位E1と、第二層27が第三層28に接する部位E2とを連通させる空隙部31が形成されている。また、第一層26には、内部が空洞の貫通孔25が形成される。これによって、振動子12と第一層26の吸着や真空室の内部に堆積するポリシリコン層による特性のバラツキやシェルの変形による測定精度の悪化を防止する。【選択図】図3
    • 要解决的问题:为了提供形成为不将振荡器吸附到第一层上的振动型传感器,允许精确地检测应力,并且具有变化小的特性,并提供制造换能器的方法。解决方案: 外壳14在第一层26面向第二层27的区域中包括间隙部31,其将面向第一层26侧的通孔25的开口的部分E1与部分E2连通, 第二层27与第三层28接触。第一层26具有内部为中空的通孔25。 由于振荡器12吸附到第一层26或沉积在真空室中的多晶硅层,因此防止由壳体的特性或变形的变化引起的测量精度的降低。