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1. 发明专利

JP5926781B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5926781B2
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：JP2014178666
申请日：2014-09-03
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/2206 , H01L29/221 , H01L29/24 , H01L29/263 , H01L29/42356 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78693 , H01L29/78696

2. 发明专利

JP2014173108A p-type oxide composition 有权
标题翻译： P型氧化物组合物
公开(公告)号：JP2014173108A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：JP2013045036
申请日：2013-03-07
申请人： Ricoh Co Ltd , 株式会社リコー
发明人： SATORI SATOMI , KOBAYASHI KENKICHIRO
IPC分类号： C23C14/08 , C01G9/08 , H01L33/28
CPC分类号： H01L21/02554 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02557 , H01L21/02579 , H01L21/02631 , H01L29/221 , H01L29/861
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a p-type ZnO-based oxide composition having high stability and a high hole concentration used for application of a light emission diode or the like.SOLUTION: In a p-type oxide composition represented by ZnOS(0 0), the O-position of a part of ZnO is replaced with an S-atom, and another S-atom is doped on an interstitial position. A thin film of the oxide composition is obtained by a pulse laser accumulation method, by forming a thin film by using a mixed crystal of zinc oxide and zinc sulfide having a composition ZnOS(0
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于施加发光二极管等的具有高稳定性和高空穴浓度的p型ZnO基氧化物组合物。解决方案：在由ZnOS（0 0）时，ZnO的一部分的O位被S原子取代，在间隙位置掺杂另一个S原子。通过脉冲激光聚积法获得氧化物组合物的薄膜，通过使用具有ZnOS（0

3. 发明专利

JP5392885B2 ZnO-based semiconductor element 有权
公开(公告)号：JP5392885B2
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：JP2007303542
申请日：2007-11-22
申请人：ローム株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：健中原 , 雅司川崎 , 明大友 , 敦塚崎
IPC分类号： H01L29/04 , H01L21/338 , H01L21/363 , H01L29/221 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L33/02 , H01L33/16 , H01L33/28
CPC分类号： H01L29/045 , H01L21/02403 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02554 , H01L29/22 , H01L29/221 , H01L29/868 , H01L33/28

4. 发明专利

JP4212105B2 Zinc oxide based compound semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP4212105B2
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：JP2005086977
申请日：2005-03-24
申请人：ローム株式会社
发明人：健中原 , 謙太郎田村
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/16 , H01L33/28 , H01S5/327
CPC分类号： H01L29/221 , H01L21/02403 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02472 , H01L21/02505 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02609 , H01L21/02631 , H01L29/045 , H01L29/225 , H01L29/7787 , H01L33/16 , H01L33/28 , H01S5/0422 , H01S5/2224 , H01S5/2231 , H01S5/327

5. 发明专利

JPS61501234A JPS61501234A - 失效
公开(公告)号：JPS61501234A
公开(公告)日：1986-06-19
申请号：JP50028485
申请日：1985-01-08
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/205 , H01L29/161 , H01L29/167 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L29/221 , H01L29/225
CPC分类号： H01L29/207 , H01L29/161 , H01L29/167 , H01L29/201 , H01L29/221 , H01L29/225 , Y10S438/93

7. 发明专利

JP6246852B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6246852B2
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：JP2016085903
申请日：2016-04-22
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/2206 , H01L29/221 , H01L29/24 , H01L29/263 , H01L29/42356 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78693 , H01L29/78696

8. 发明专利

JP2017123491A 液晶表示パネルの作製方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017123491A
公开(公告)日：2017-07-13
申请号：JP2017057728
申请日：2017-03-23
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平
IPC分类号： H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/2206 , H01L29/221 , H01L29/24 , H01L29/263 , H01L29/42356 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要：【課題】新たな構造の酸化物半導体層を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】絶縁表面を有する基板上の、第1の酸化物半導体層の表面から内部に向かって成長させた結晶領域を有する第1の酸化物半導体層と、第1の酸化物半導体層上の第2 の酸化物半導体層と、第2の酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層と、第2の酸化物半導体層、ソース電極層、およびドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の、第2の酸化物半導体層と重畳する領域のゲート電極層と、を有し、第2の酸化物半導体層は、結晶領域から成長させた結晶を有する層である半導体装置である。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2016154257A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016154257A
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：JP2016085903
申请日：2016-04-22
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/2206 , H01L29/221 , H01L29/24 , H01L29/263 , H01L29/42356 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要：【課題】新たな構造の酸化物半導体層を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】絶縁表面を有する基板上の、第1の酸化物半導体層の表面から内部に向かって成長させた結晶領域を有する第1の酸化物半導体層と、第1の酸化物半導体層上の第2 の酸化物半導体層と、第2の酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層と、第2の酸化物半導体層、ソース電極層、およびドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の、第2の酸化物半導体層と重畳する領域のゲート電極層と、を有し、第2の酸化物半導体層は、結晶領域から成長させた結晶を有する層である半導体装置である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用具有新结构的氧化物半导体层的新型结构的半导体器件。解决方案：半导体器件具有：第一氧化物半导体层，其形成在具有绝缘表面的基板上，并具有从第一半导体层的表面向内部生长的结晶区域; 在所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层; 与第二氧化物半导体层接触的源电极层和漏电极层; 覆盖第二氧化物半导体层，源极电极层和漏极电极层的栅极绝缘层; 以及在与第二氧化物半导体层重叠的区域中的栅极绝缘层上的栅极电极层，其中第二氧化物半导体层是具有从结晶区域生长的晶体的层。图1

10. 发明专利

JP5612032B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5612032B2
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：JP2012165300
申请日：2012-07-26
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎　舜平 , 舜平山崎
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/2206 , H01L29/221 , H01L29/24 , H01L29/263 , H01L29/42356 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78693 , H01L29/78696

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