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1. 发明专利

JP2018517302A クリップシフトを低減させつつ半導体ダイを取り付けるための導電性クリップを具備するリードフレーム审中-公开
公开(公告)号：JP2018517302A
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：JP2017563996
申请日：2016-05-11
申请人：ヴィシェイジェネラルセミコンダクター,エルエルシー , VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR,LLC
发明人：フイ−イン・ディン , ペンニアン・ワン , タオ・ユ , ジュン−フェン・リュウ , ジュン−カイ・バイ , チー−ピン・ペン
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/49513 , H01L23/49517 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/92 , H01L2021/6027 , H01L2021/60277 , H01L2224/04026 , H01L2224/05644 , H01L2224/291 , H01L2224/32145 , H01L2224/33 , H01L2224/33181 , H01L2224/37012 , H01L2224/37013 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37155 , H01L2224/37166 , H01L2224/40105 , H01L2224/40245 , H01L2224/40499 , H01L2224/73263 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83466 , H01L2224/83815 , H01L2224/84345 , H01L2224/84385 , H01L2224/92246 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要：半導体アセンブリは、下側電気接点及び上側電気接点を備えている半導体ダイを含んでいる。リードフレームは、半導体ダイの下側電気接点に電気的に且つ機械的に接続されている下側ダイパッドを有している。上側導電性部材は、半導体ダイの上側電気接点に電気的に且つ機械的に接続されている第1の部分を有している。リード端子は、上側導電性部材の第2の部分に電気的に且つ機械的に接続されている表面部分を有している。リード端子の表面部分及び/又は上側導電性部材の第2の部分が、一連の溝を有している。パッケージング材料は、半導体ダイとリードフレームの少なくとも一部分と上側導電性部材の少なくとも一部分とリード端子の少なくとも一部分とをカプセル化している。

3. 发明专利

JP2018088448A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018088448A
公开(公告)日：2018-06-07
申请号：JP2016230084
申请日：2016-11-28
申请人：三菱電機株式会社
发明人：川端大輔 , 増森俊二
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/50 , H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号： H01L2224/84345
摘要：【課題】接合不良を低減し、良好な接合構造を有する半導体装置の提供を目的とする。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体素子の主面に一の電極が分割して配置される複数の表面電極と、複数の表面電極の表面に、互いが離間して配置される複数の接合材と、複数の接合材を介して複数の表面電極に接続される板状のリードフレームとを備える。リードフレームは、凹状の断面形状を有し複数の表面電極に対応して配置される複数の第1リード部と、複数の表面電極の間に対応して配置される複数の第2リード部とを含む。半導体素子の主面から各第2リード部までの高さは、半導体素子の主面から各第1リード部までの高さよりも高い。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2014184439A Joining method of aluminum member and manufacturing method of semiconductor device 审中-公开
标题翻译：铝构件的接合方法和半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2014184439A
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：JP2013058900
申请日：2013-03-21
申请人： Shindengen Electric Mfg Co Ltd , 新電元工業株式会社
发明人： SATO MASA
IPC分类号： B23K20/00 , B23K20/24
CPC分类号： H01L2224/34 , H01L2224/37099 , H01L2224/37124 , H01L2224/83801 , H01L2224/84 , H01L2224/84345 , H01L2224/84365 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2224/37599 , H01L2924/00012
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a joining method of an aluminum member capable of uniformly and stably joining mutual aluminum members, even when the area of a joint object surface is large.SOLUTION: The joining method of the aluminum member is provided for joining a first aluminum member 10 and a second aluminum member 20 by bringing the first aluminum member 10 composed of aluminum or an aluminum alloy and the second aluminum member 20 composed of the aluminum or the aluminum alloy into pressure contact with each other. The joining method of the aluminum member includes an uneven structure forming process of forming an uneven structure on the respective joint object surfaces in the first aluminum member 10 and the second aluminum member 20 before bringing the first aluminum member 10 and the second aluminum member 20 into pressure contact with each other, and a pressure contact process of bringing the first aluminum member 10 and the second aluminum member 20 into pressure contact with each other in a state of opposing the joint object surfaces, in this order.
摘要翻译：要解决的问题：即使当接合物面的面积大时，也能够提供能够均匀且稳定地接合相互的铝构件的铝构件的接合方法。解决方案：铝构件的接合方法用于接合第一铝构件10和第二铝构件20通过使由铝或铝合金构成的第一铝构件10和由铝或铝合金构成的第二铝构件20彼此压力接触。铝构件的接合方法包括在使第一铝构件10和第二铝构件20进入之前在第一铝构件10和第二铝构件20的各个接合物表面上形成不平坦结构的凹凸结构形成工艺并且使第一铝构件10和第二铝构件20以与接合面对置的状态相互压力接触的压接工序。

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