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1. 发明专利

JPWO2008123060A1 真空処理装置有权
公开(公告)号：JPWO2008123060A1
公开(公告)日：2010-07-15
申请号：JP2009509031
申请日：2008-03-18
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：裕野上 , 裕野上
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32422 , C23C16/45565 , C23C16/509 , H01J37/32091 , H01J37/32587
摘要：真空処理容器の内部に複数の貫通孔を有する導電性の隔壁部を設け、真空処理容器の内部空間が、隔壁部に対して対向電極となるように高周波電極が配置されたプラズマ生成空間と、基板が配置された基板処理空間と、に隔離して構成されている真空処理装置は、真空処理容器の側壁部にプラズマ生成空間と連通しているガス溜り部と、ガス溜り部と接続し、ガス溜り部にガスを導入するガス導入系と、を備える。

2. 发明专利

JP2010515232A Electric field reducing device for plasma confinement 有权
公开(公告)号：JP2010515232A
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：JP2009544266
申请日：2007-12-27
申请人：ラムリサーチコーポレーション
发明人：ダイン，セバスチャン
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/509 , H01J37/32091 , H01J37/32559 , H01J37/32587 , H01J37/32633
摘要：【課題】
【解決手段】
チャンバ壁を有したプラズマ処理チャンバ内で基板を処理する方法が提供されている。この方法はチャンバ壁に接続された誘電ライナ内に封入された筒状電極を有した電極構造物を提供する。この方法は筒状電極とチャンバ壁との間で接続されている誘導回路構造物をも提供する。この方法は、基板を処理するために、電極構造物をプラズマ処理チャンバ内に配置した状態にてプラズマ処理チャンバ内でプラズマを発生させることもさらに含む。
【選択図】図２Ａ

3. 发明专利

JP2014181406A Low pressure arc plasma immersion coating deposition and ion processing 审中-公开
标题翻译：低压弧等离子喷涂沉积和离子加工
公开(公告)号：JP2014181406A
公开(公告)日：2014-09-29
申请号：JP2014051750
申请日：2014-03-14
申请人： Vapor Technol Inc , ベイパーテクノロジーズ、インコーポレイテッド
发明人： VLADIMIR GOROKHOVSKY , GRANT WILLIAM , EDWARD TAYLOR , DAVID HUMENIK
IPC分类号： C23C14/32
CPC分类号： C23C14/3471 , C23C14/355 , H01J37/32055 , H01J37/32587 , H01J37/3438
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a low pressure arc plasma immersion coating deposition and ion processing in which improved coating properties is achieved by generating high energy particles in a coating process.SOLUTION: A coating system comprises a vacuum chamber and a coating assembly. The coating assembly comprises a vapor source, a substrate holder, an anode electrically connected to and separated from a cathode target, and a cathode chamber assembly. The cathode chamber assembly comprises the cathode target, a selective main anode, and a shield for insulating the cathode target from the vacuum chamber. The shield forms an opening from the cathode target to a separated anode so that electron emission current of a separated arc discharge flows along longitudinal direction of a target plane. A first current source is connected between the cathode target and the main anode and a second current source is connected between the cathode target and the separated anode. Linear dimension of the separate anode and a dimension of the vapor source along short direction is parallel to dimension along which the arc spot is lead along the cathode target.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种低压电弧等离子体浸渍涂层沉积和离子加工，其中通过在涂覆工艺中产生高能粒子来实现改进的涂层性能。解决方案：涂层系统包括真空室和涂层组件。涂层组件包括蒸气源，衬底保持器，电连接到阴极靶并与阴极靶分离的阳极以及阴极室组件。阴极室组件包括阴极靶，选择性主阳极和用于将阴极靶与真空室绝缘的屏蔽件。屏蔽形成从阴极靶到分离阳极的开口，使得分离的电弧放电的电子发射电流沿目标平面的纵向方向流动。第一电流源连接在阴极靶和主阳极之间，第二电流源连接在阴极靶和分离阳极之间。单独阳极的线性尺寸和沿短方向的蒸汽源的尺寸平行于沿着阴极靶的弧光点沿着其的尺寸。

4. 发明专利

JP5219479B2 Uniformity control method and system in the ballistic electron beam accelerated plasma processing system 有权
公开(公告)号：JP5219479B2
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：JP2007314700
申请日：2007-12-05
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：チェンリー , 宏政持木
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/3233 , H01J37/32587

5. 发明专利

JP2008147659A Method and system for controlling uniformity in ballistic electron beam accelerating plasma processing system 有权
标题翻译：用于控制电子束加速等离子体处理系统中的均匀性的方法和系统
公开(公告)号：JP2008147659A
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：JP2007314700
申请日：2007-12-05
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： CHEN LEE , MOCHIKI HIROMASA
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/3233 , H01J37/32587
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and a system that adjust and control uniformity, in plasma in a plasma processing system. SOLUTION: The plasma processing system includes an electron source electrode, where direct current (DC) power is coupled to generate a ballistic electron beam in etching a substrate. A ring-like electrode, provided at a periphery of the substrate as opposed to the electron source electrode, is used to generate a ring-like hollow cathode plasma that affects the variations of density distribution of the plasma. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供在等离子体处理系统中等离子体中调整和控制均匀性的方法和系统。解决方案：等离子体处理系统包括电子源电极，其中直流（DC）功率耦合以在蚀刻衬底时产生弹道电子束。使用与电子源电极相对的在基板周边设置的环状电极来产生影响等离子体密度分布变化的环状中空阴极等离子体。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2012204644A Plasma processing apparatus and plasma processing method 审中-公开
标题翻译：等离子体加工设备和等离子体处理方法
公开(公告)号：JP2012204644A
公开(公告)日：2012-10-22
申请号：JP2011068370
申请日：2011-03-25
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： MURAKAMI TAKAHIRO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32862 , B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01J37/32009 , H01J37/32495 , H01J37/32587 , H01J37/3288 , H01J2237/022
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology of minimizing damage on the mounting table surface when cleaning a plasma processing apparatus of a substrate by means of plasma without using a dummy substrate.SOLUTION: After plasma etching treatment, interior of the vacuum vessel 1 in a plasma etching apparatus is cleaned by means of plasma P while exposing the surface of a susceptor 3, and reaction products A adhering to the interior of the vacuum vessel 1 are removed. At this time, a DC voltage is applied to the plasma P. Since ion energy of the plasma P can be reduced while obtaining high density plasma P, damage on the surface of the susceptor 3 can be minimized while performing a good cleaning.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用等离子体清洗基板的等离子体处理装置而不使用虚设基板时，使安装台面的损伤最小化的技术。解决方案：在等离子体蚀刻处理之后，等离子体蚀刻装置中的真空容器1的内部通过等离子体P清洁，同时暴露基座3的表面，并且附着到真空容器1内部的反应产物A 被删除。此时，向等离子体P施加直流电压。由于可以在获得高密度等离子体P的同时降低等离子体P的离子能量，所以能够在进行良好的清洗的同时使基座3的表面受到损伤。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP4482308B2 Plasma processing apparatus and plasma processing method 有权
公开(公告)号：JP4482308B2
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：JP2003358417
申请日：2003-10-17
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：寛充佐々木 , 哲雄吉田 , 淳大藪 , 正宏小笠原 , 太一平野 , 潤廣瀬 , 道茂斎藤 , 幸治沼田 , 博之石原 , 公輿石
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46 , B01J3/00 , B01J19/08 , C23F1/00 , H01J37/32 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32587

9. 发明专利

JP2009231385A Method of manufacturing semiconductor device 审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2009231385A
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：JP2008072490
申请日：2008-03-19
申请人： Sanyo Electric Co Ltd , 三洋電機株式会社
发明人： AYA YOICHIRO , KOBAYASHI YASUTAKA
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/509 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32541 , H01J37/32009 , H01J37/32587
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of uniformly applying a plasma treatment to a substrate. SOLUTION: A plasma treatment device 100 related to this embodiment is provided with an auxiliary electrode 30 annularly formed along the outer periphery of a lower electrode 10 in the side of the lower electrode 10. When applying a plasma treatment to the substrate S, the potential of the lower electrode 10 is set negative with respect to the potential of an upper electrode 20, and the potential of the auxiliary electrode 30 is set negative with respect to the potential of the upper electrode 20. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够均匀地对基板施加等离子体处理的半导体器件的制造方法。＆lt; P＆gt;解决方案：与本实施例相关的等离子体处理装置100设置有沿下电极10侧的下电极10的外周形成环状的辅助电极30.当对基板S施加等离子体处理时，下电极10的电位相对于上电极20的电位为负，辅助电极30的电位相对于上电极20的电位为负。 C）2010，JPO＆INPIT

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