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热词
    • 4. 发明专利
    • Semiconductor optical element, and optical module
    • 半导体光学元件和光学模块
    • JP2009246241A
    • 2009-10-22
    • JP2008092935
    • 2008-03-31
    • Furukawa Electric Co Ltd:The古河電気工業株式会社
    • FUNAHASHI MASAKI
    • H01S5/026H01S5/22H01S5/50
    • H01S5/50G02B6/42G02B2006/12119G02B2006/12152H01S5/0202H01S5/10H01S5/101H01S5/1014H01S5/1085H01S5/227H01S5/4031H01S2301/176
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor optical element and an optical module such that while reduction effect on an end surface reflection factor by an inclined end surface of a waveguide is obtained, the direction of a beam incident on the waveguide of the semiconductor optical element or the direction of a beam emitted from the waveguide can be designed independently of a cleavage end surface. SOLUTION: A semiconductor laser 10 has a high mesa waveguide 12. The waveguide 12 has, as an emitting end surface, the inclined end surface 17 different from the cleavage end surface 16. The end surface reflection factor by the inclined end surface 17 is reducible and the direction of the emission light 21 emitted from the inclined end surface 17 can be designed independently of the cleavage end surface 16. The emission beam 21 is emitted at right angles to the cleavage end surface 16. Consequently, when the emission beam of the semiconductor optical element is coupled with an optical fiber or other waveguides, etc., the need for a means of arranging the semiconductor laser 10 obliquely on a sub-mount is eliminated. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
    • 要解决的问题:为了提供半导体光学元件和光学模块,使得通过波导的倾斜端面获得对端面反射系数的减小效果,入射到波导管的波束的方向 可以独立于切割端面设计半导体光学元件或从波导发射的光束的方向。 解决方案:半导体激光器10具有高台面波导12.波导12具有与分解端面16不同的倾斜端面17作为发射端面。通过倾斜端面的端面反射系数 17是可还原的,并且从倾斜端面17发射的发射光21的方向可以独立于解理端面16设计。发射光束21与切割端面16成直角地发射。因此,当发射 半导体光学元件的光束与光纤或其它波导等耦合,不需要将半导体激光器10倾斜地配置在子座上。 版权所有(C)2010,JPO&INPIT
    • 8. 发明专利
    • 半導体光素子
    • 半导体光学元件
    • JP2016024438A
    • 2016-02-08
    • JP2014151099
    • 2014-07-24
    • 住友電気工業株式会社
    • 河野 直哉堀野 和彦
    • H01S5/026G02F1/015G02B6/12G02B6/122
    • G02B6/1228G02F1/025G02B2006/12152G02B2006/12195G02B6/30G02B6/305G02F2001/212
    • 【課題】スポットサイズ変換器と集積される光導波路素子のクラッド層と整合性の良いクラッド層をスポットサイズ変換器に含む半導体光素子を提供する。 【解決手段】半導体光素子1は、外部光導波路と光学的に結合されるべき端面10Aから第1軸Ax1の方向に順に配列された第1領域2A及び第2領域2Bを含む基板2と、基板2の主面上に設けられスポットサイズ変換器のための第1半導体光導波路10と、基板2の主面上に設けられスポットサイズ変換器に光学的に結合された第2半導体光導波路20とを備える。第1半導体光導波路10は第1領域2A上に設けられ、第2半導体光導波路20は第2領域2B上に設けられ、第1半導体光導波路10は、第1軸Ax1の方向に延在するコア層12及びクラッド層13を備える。クラッド層13は、第1クラッド領域14と、クラッド層13内において単一の補助半導体層15とを備える。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种在光斑尺寸转换器中包括光斑尺寸转换器和包层的半导体光学元件,与要融合的光波导元件的包层具有良好的一致性。解决方案:半导体光学元件1包括: 基板2,其包括从端面10A顺序地排列在第一轴线Ax1的方向上的光学耦合到外部光波导的第一区域2A和第二区域2B; 第一半导体光波导10,设置在基板2的主表面上,用于光斑尺寸转换器; 以及设置在基板2的主表面上并光学耦合到光斑尺寸转换器的第二半导体光波导20。 第一半导体光波导10设置在第一区域2A上,第二半导体光波导路20设置在第二区域2B上。 第一半导体光波导10包括在第一轴线Ax1的方向上延伸的芯层12和包覆层13。 包覆层13包括第一包层区域14和包层13中的单个辅助半导体层15.选择的图示:图1