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    • 2. 发明专利
    • レチクル透過率測定方法、投影露光装置および投影露光方法
    • 投影传感器测量方法,投影曝光装置和投影曝光方法
    • JP2016072598A
    • 2016-05-09
    • JP2015053800
    • 2015-03-17
    • エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社
    • 村田 通博五味 豊
    • G03F1/84G01N21/59H01L21/027
    • G01M11/02G01N21/956G03F7/20G01N2021/5919G01N2021/95676
    • 【課題】投影露光装置における露光負荷の増加に伴うレンズ膨張に起因するフォーカスずれの対策として、いかなる特徴をもつパターンであっても、生産性を損なわずに、レチクル透過率を求める方法を提供することにある。 【解決手段】初回レチクルを使用する時に、実際にレチクルを装置に入れて、斜め測定・ランダム測定を行うことによって、サンプリング数を増やさずとも、偏ったサンプリングの危険性が回避でき、母集団であるレチクル全体を捉えることが可能となる。また、固定となっている計測スポットサイズを可変とし、この計測スポットサイズに応じた入射角度の変更を行うことによって、同様の効果を得ることも可能となる。 【選択図】図3
    • 要解决的问题:提供一种用于计算掩模版透射率的方法,即使对于具有任何特征的图案的图案,也可以在投影曝光装置中随着曝光负荷的增加而应对由透镜膨胀导致的失焦的措施。 :首次使用掩模版时,将掩模版实际放入设备中,进行倾斜测量/随机测量。 因此,即使不增加采样次数,也可以避免错误采样的风险,并且可以捕获作为母组的整个掩模版。 固定的测量点尺寸可变,并且入射角根据测量点尺寸而改变,从而也获得相似的效果。图3