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    • 7. 发明专利
    • スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
    • 溅射目标和溅射目标的制造方法
    • JP2015212413A
    • 2015-11-26
    • JP2015056107
    • 2015-03-19
    • 三菱マテリアル株式会社
    • 張 守斌
    • C23C14/34
    • H01J37/3429B22F3/02C23C14/14C23C14/34C23C14/3414C23C4/067C23C4/123H01L21/203B22F2301/052B22F2301/15B22F2302/45
    • 【課題】スパッタリングターゲットの抗折強度を高めて、割れ易さを抑制し、異常放電が少なく、安定的に高速成膜できるシリコンを主成分としたスパッタリングターゲットの提供。 【解決手段】体積抵抗10Ω・cm以下、理論密度比が85%〜99%、抗折強度が65N/mm 2 以上であって、Ni、Alから選ばれた少なくとも1種類の金属元素:0.5〜10at%と、B又はP:0.01〜10000重量ppmとを含有したリコンスパッタリングターゲットであって、B又はPを含有している平均粒径150μm以下のSi粉末と、Ni及びAlから選ばれた少なくとも1種類の金属元素からなる粉末又は金属元素を含むシリサイト粉末とを混合し、加圧焼結したシリコンスパッタリングターゲット。 【選択図】なし
    • 要解决的问题:为了提供具有主要成分的Si的溅射靶,其具有提高弯曲强度以抑制裂纹的易感性,并且导致较少的异常放电并且可以提供稳定的高速膜沉积。解决方案:在 体积电阻为10Ω的硅溅射靶; cm以下,理论密度比85%-99%,抗弯强度65N / mm以上,含有0.5-10atm%的选自Ni和Al的至少一种金属元素和0.01-10000wt。 ppm的B或P,溅射靶是通过混合平均粒度为150μm以下且包含B或P的Si粉末和由至少一种选自Ni和Al的金属元素组成的粉末或 包括金属元素的硅质粉末,然后对混合物进行加压烧结。