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    • 2. 发明专利
    • Production method of the acyl host fan and its derivatives
    • JP2008520623A
    • 2008-06-19
    • JP2007541935
    • 2005-11-14
    • チバ ホールディング インコーポレーテッドCiba Holding Inc.
    • ヴォルフ,ジャン−ピエールグリュッツマッハー,ハンスイェルクシュタイン,ダニエルディートリカー,クルトブルクハルト,シュテファンムーレル,ペーター
    • C07F9/50C08F2/50
    • G03F7/029C07F9/5036C07F9/5337C07F9/5537C07F9/65515C07F9/6552
    • 本発明は、式(I)の(ビス)アシルホスファン(式中、n及びmは互いに独立して1又は2であり;n=1の場合、R
      1 は、例えば、非置換で直鎖又は分岐鎖のC
      1 〜C
      18 アルキル若しくはC
      2 〜C
      18 アルケニルであるか、又はフェニルであり、R
      1 は、n=2の場合、例えば上記で定義された一価ラジカルの二価ラジカルであり;R
      2 は、例えばC
      1 〜C
      18 アルキル、C
      3 〜C
      12 シクロアルキル、C
      2 〜C
      18 アルケニル、メシチル、フェニル、ナフチルであり;R
      3 は、R
      1 で定義されたラジカルのうちの1つである)の製造方法であって、a)例えばリン原子のホルマール酸化状態が(−3)を越えるリン元素〔P〕
      ∞ 、P(Hal)
      3 又は他のリン化合物を、還元金属と、溶媒中、場合により触媒又は活性化剤の存在下で接触させて、金属リン化物Me
      3 P若しくはMe′
      3 P
      2 (ここで、Meはアルカリ金属であり、そしてMe′はアルカリ土類金属である)を得るか、又は金属ポリリン化物を得る工程; b)任意に、プロトン供給源を、場合により触媒又は活性化剤の存在下で加えて、金属二水素リン化物MePH
      2 を得る工程; c)式IIIのm個の酸ハロゲン化物若しくは式IVのm個のカルボン酸エステルとのによるか、後続アシル化反応する工程、例えば式Iにおいてm=1の場合、式IVの1つのカルボン酸エステル、続いて式IIIの1つの酸ハロゲン化物、若しくはその逆により(ここで、Rはアルコールの残基であり、そしてR
      2 は上記で定義されたとおりである); d)求電子剤R
      1 Hal又は他の求電子剤とアルキル化反応させて、式Iの化合物を得る工程に関する。 続いて、酸化工程を行い、モノ−及びビスアシルホスファンオキシド及びモノ−及びビスアシルホスファンスルフィドを得ることができ、それらは光開始剤として用いられる。
    • 10. 发明专利
    • Acyl phosphane, and manufacturing method of these oxides and sulfides
    • JP2008526918A
    • 2008-07-24
    • JP2007550781
    • 2006-01-09
    • チバ ホールディング インコーポレーテッドCiba Holding Inc.
    • ゾンマーラーデ,ラインハルト・ハーフィッシャー,ヴァルターフリッチェ,カタリナ
    • C07F9/50C07B61/00
    • C07F9/5068C07F9/5036C07F9/5337
    • 式I:

      1 P(COR
      2 )

      〔式中、

      1 は、非置換フェニル、又は1〜5つのハロゲン、C
      1 〜C
      8 −アルキル、C
      1 〜C
      8 −アルキルチオ及び/若しくはC
      1 〜C
      8 −アルコキシにより置換されているフェニルであり;

      2 は、C
      1 〜C
      18 −アルキル又はC
      2 〜C
      18 −アルケニル;C
      1 〜C
      18 −アルキル、又はハロゲン、−OR
      10 、−OCO-R
      10 、−OCO−Hal、−COO−R
      10 、−N(R
      11 )−CO−R
      10 、−N(R
      11 )−CO−Hal、−CO−NR
      11 R
      10 、−CH=CH−CO−OR
      10 又は−CH=CH−フェニルにより1回又は1回以上置換されているC
      2 〜C
      18 −アルケニル;−C(C
      1 〜C
      4 −アルキル)=C(C
      1 〜C
      4 −アルキル)−CO−OR
      10 又は−C(C
      1 〜C
      4 −アルキル)=C(C
      1 〜C
      4 −アルキル)−フェニル;C
      5 〜C
      12 −シクロアルキル、C
      2 〜C
      18 −アルケニル、フェニル−C
      1 〜C
      4 −アルキル、フェニル、ナフチル、ビフェニル又は5員若しくは6員の−O−、S−若しくはN含有複素環であり、基フェニル、ナフチル、ビフェニル又は5員若しくは6員の−O−、S−若しくはN含有複素環は、非置換であるか、又は1〜5つのハロゲン、C
      1 〜C
      8 −アルキル、C
      1 〜C
      8 −アルコキシ及び/若しくはC
      1 〜C
      8 −アルキルチオで置換されており;

      10 は、水素、C
      1 〜C
      18 アルキル、1個又は数個の非連続−O−原子で中断されているC
      2 〜C
      18 アルキル、C
      5 〜C
      12 −シクロアルキル、フェニル−C
      1 〜C
      4 −アルキル、C
      2 〜C
      18 −アルケニルであり、フェニル、ナフチル又はビフェニルは、非置換であるか又は1〜5つのC
      1 〜C
      8 −アルキル、C
      1 〜C
      8 −アルコキシ、C
      1 〜C
      8 −アルキルチオ及び/若しくはハロゲンで置換されており;

      11 は、水素、C
      1 〜C
      18 アルキル、1個又は数個の非連続O原子で中断されているC
      2 〜C
      18 アルキル、C
      5 〜C
      12 −シクロアルキル、C
      2 〜C
      18 −アルケニル、フェニル−C
      1 〜C
      4 −アルキル、フェニル、ナフチル、ピリジルであり、基フェニル、ナフチル又はピリジルは、非置換であるか又は1〜5つのC
      1 〜C
      8 −アルキル、C
      1 〜C
      8 −アルコキシ、C
      1 〜C
      8 −アルキルチオ及び/若しくはハロゲンで置換されている〕
      で示されるビス−アシルホスファンの製造方法であって、
      a)式II:

      1 P(Cl)

      で示されるジクロロフェニルホスファンを、20〜200℃の範囲の温度及び大気圧から20barの水素圧下で、水素化触媒、第三級脂肪族アミン又は芳香族アミンの存在下、及び水素化条件下で非反応性である非プロトン性溶媒の存在下で、水素を用いて選択的還元して、環状フェニルホスファン(R
      1 P)
      n (n=4〜6)を得る工程;或いは b)R
      1 P(Cl)
      2 を、80〜200℃の範囲の温度及び20bar〜250barの水素圧下で、水素化触媒、第三級脂肪族アミン又は芳香族アミンの存在下、及び水素化条件下で非反応性である非プロトン性溶媒の存在下で、水素を用いて選択的還元して、R
      1 PH
      2 を得る工程;
      c)続いて、適切な塩基の存在下で式IIIの酸ハロゲン化物:

      2 COHal
      (ここでR
      2 は上記で定義されたとおりである)と反応させる工程を含む方法。