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2. 发明专利

JPWO2016042749A1 セラミックエミッタ审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016042749A1
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：JP2016548556
申请日：2015-09-11
申请人：日本電気株式会社
发明人：渋谷　明信 , 明信渋谷
IPC分类号： C04B35/50 , C04B38/00 , H02S10/30
CPC分类号： C09K11/7706 , C01F17/0025 , C01G15/00 , C01G15/006 , C01P2002/30 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , C01P2006/60 , C04B35/01 , C04B35/44 , C04B38/00 , C04B2235/3224 , C04B2235/3286 , C04B2235/6567 , C04B2235/764 , C04B2235/77 , C09K11/62 , C09K11/64 , C09K11/77 , C09K11/7701 , H01L31/055 , H02S10/30 , Y02E10/52
摘要： [課題] 放射強度が大きく、波長選択性が優れたセラミックエミッタを提供する。[解決手段] 組成R3Al5O12(R:希土類元素)またはR3Ga5O12(R:希土類元素)のガーネット構造を有する多結晶体を備え、空孔率20%以上40%以下の空孔を有し、該空孔は前記多結晶体内部で連結しているが直線的に連続していない部分を含むことを特徴とするセラミックエミッタ。

3. 发明专利

JP2017514885A インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物材料のための分子前駆体化合物审中-公开
公开(公告)号：JP2017514885A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：JP2016568797
申请日：2015-01-28
申请人：トランストロン・ソリューションズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニーTranstron Solutions LLC , トランストロン・ソリューションズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニーTranstron Solutions LLC
发明人：カイル・エル・フジダラ , クリストファー・メルトン
IPC分类号： C07C43/13 , C01G15/00 , C07F3/06 , C07F5/00 , C09D11/03 , C09D11/38 , C09D11/52 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： C09D11/52 , C01G9/006 , C01G15/00 , C01G15/006 , C01P2006/88 , C07F3/06 , C07F5/003 , C07F19/005 , C08K5/56 , H01L27/1292 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要： IGZO材料を作製するための、分子前駆体化合物、組成物、インク、およびプロセス。実験式InbGacZn(OROR)3(b+c)+2を有する分子前駆体化合物から作製されたインクは、基材上に印刷し得、または堆積させ得る。印刷した、または堆積した膜を処理することによって、分子前駆体化合物を、IGZO材料に変換し得る。

5. 发明专利

JPWO2014136750A1 コアシェル粒子、アップコンバージョン層および光電変換素子有权
标题翻译：核 - 壳粒子，上转换层和光电转换元件
公开(公告)号：JPWO2014136750A1
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2015504316
申请日：2014-03-04
申请人：シャープ株式会社
发明人：賢治木本 , 賢治木本
IPC分类号： C01G19/00 , H01L31/0352 , H01L31/055
CPC分类号： H01L31/055 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C01G15/006 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C01P2006/40 , C09K11/02 , C09K11/621 , C09K11/623 , C09K11/881 , Y02E10/52
摘要：半導体コアと半導体コアの表面上に設けられた第1半導体シェルとを備え、半導体コアは半導体と半導体のバンドギャップ中に中間バンドを形成する不純物とを含むコアシェル粒子、ならびにそれを含むアップコンバージョン層および光電変換素子である。
摘要翻译：和提供一种半导体芯和半导体芯的表面上的第一半导体壳，核 - 壳粒子的半导体芯包括在半导体和半导体的带隙形成中间带含有它的杂质，和上转换层和光电转换元件。

6. 发明专利

JP2017501952A 銅リッチな銅インジウム（ガリウム）ジセレニド／ジスルフィドの調製审中-公开
标题翻译：富铜铜铟（镓）二硒化物/二硫化物的制备
公开(公告)号：JP2017501952A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2016531670
申请日：2014-11-13
申请人：ナノコテクノロジーズリミテッド , ナノコテクノロジーズリミテッド
发明人：ニューマン，クリストパー , マサラ，オンブレッタ , カークハム，ポール , アレン，ケアリー , ホワイトレッグ，ステフェン
IPC分类号： C01G15/00 , C01B19/04 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0322 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B19/002 , C01G15/006 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , H01L31/0203 , H01L31/03923 , H01L31/075 , Y02E10/541
摘要：【解決手段】銅インジウムガリウムジセレニド/ジスルフィド(CIGS)ナノ粒子を調製する方法は、銅リッチな化学量論組成を用いている。銅リッチなCIGSナノ粒子が、有機カルコゲンリガンドでキャッピングされていることで、ナノ粒子は、有機溶媒中にて処理可能とされている。ナノ粒子は、基板に堆積して、カルコゲンリッチな雰囲気中にて熱処理されることで、過剰な銅をセレン化銅又は硫化銅に変換することが促進される。セレン化銅又は硫化銅は、焼結フラックスとして機能できて、液相焼結、ひいては大きなグレインの成長を促進する。このように生成されたナノ粒子は、CIGSを用いた光起電力デバイスの製造に使用されてよい。【選択図】図1
摘要翻译：制备铜铟镓硒/二硫化物的方法（CIGS）纳米颗粒是富铜的化学计量。富铜纳米颗粒CIGS，即被封有机硫属配体，纳米颗粒能够在有机溶剂中进行处理。沉积在衬底上的纳米颗粒，它是经热处理在硫属元素富气氛被提升到转换多余的铜硒化铜或硫化铜。硒化铜或硫化铜能够以用作烧结助熔剂，液相烧结，以促进大晶粒生长的转弯。所产生的纳米颗粒如可以在使用CIGS光伏器件的制造中使用。点域1

7. 发明专利

JP2016529689A 無害な溶剤中にカルコゲン元素および金属カルコゲニドを溶解する方法有权
标题翻译：硫族元素和金属硫族化合物转化为无害的溶剂中溶解的方法
公开(公告)号：JP2016529689A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2016518889
申请日：2014-05-19
申请人：アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw , アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw , カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven , カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven
发明人：アルミン・エスマエイル・ザギ , ヨーゼフ・ペトルス・コレータ・フルーヘルス
IPC分类号： H01L21/368 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02568 , C01B19/002 , C01G3/006 , C01G15/00 , C01G15/006 , C01P2004/64 , H01L21/0256 , H01L21/02628 , H01L21/02667 , H01L31/032 , H01L31/18 , H01L31/1872
摘要：本開示は、ヒドラジン無しおよびヒドラジニウム無しのカルコゲン含有溶液を準備する方法を提供し、この方法は、所定の量の元素カルコゲンを提供する工程と、所定の量の元素硫黄を提供する工程と、アミン溶剤を提供する工程と、所定の量の元素カルコゲンと所定の量の元素硫黄を、アミン溶剤中で混合させて、これにより、アミン溶剤中に元素カルコゲンと元素硫黄とを溶解させる工程とを含む。カルコゲン含有溶液は、カルコゲン含有層を基板上に形成するための前駆体として有利に使用される。
摘要翻译：本发明提供了制备含硫属元素的溶液否否肼和肼的方法，该方法包括提供一个元件硫属元素预定量时，提供胺的元素硫预定量的步骤提供溶剂，以元素硫属元素的预定量和预定量的元素硫，通过在溶剂中与胺混合，由此，而在胺溶剂中的硫属元素和元素硫溶解的工序。含硫族元素的含有溶液，有利地使用一个含硫属元素的层作为形成在基板上的前体。

8. 发明专利

JPWO2013129044A1 ＣＩＧＳ系太陽電池用合金の作製方法有权
标题翻译：一种制造用于合金基于CIGS的太阳能电池的方法
公开(公告)号：JPWO2013129044A1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：JP2014502094
申请日：2013-02-06
申请人：株式会社日本マイクロニクス
发明人：賢二吉野 , 賢二吉野 , 章永岡 , 章永岡
IPC分类号： C01B19/00 , C22C9/00 , C22C28/00 , C23C14/34 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC分类号： C01B19/002 , B22F9/04 , C01G15/006 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/82 , C22C9/00 , C22C27/04 , C22C30/02 , C23C14/021 , C23C14/025 , C23C14/0623 , C23C14/3414 , H01L21/02491 , H01L21/02568 , H01L21/02631 , H01L31/0322 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要：太陽電池用合金の作製方法は、銅とインジウムとガリウムとセレンとイオウを原材料として混合し、アンプルに真空封入し、アンプルを加熱して、アンプル内の原材料を融液成長により結晶化させる。銅とインジウムとガリウムの原材料は、インジウム・ガリウム銅(CIG)の結晶にして、このCIG結晶を粉砕して粉末化してもよい。これにより、SやSeとの結晶化において高品質の結晶が得られる。インジウム・ガリウム銅結晶は、銅とインジウムとガリウムを原材料として混合し、アンプルに真空封入する真空封入工程と、アンプルを加熱して、アンプル内の原材料を融液成長により結晶化させるCIG結晶化工程とから作製される。CIG結晶を粉砕し、セレンのみと混合すれば4元系合金とすることができる。
摘要翻译：用于制造太阳能电池的合金，铜和铟，镓，硒和硫的方法，混合为原料，并真空密封在安瓿，加热安瓿，以便在安瓿内的原料通过熔融生长结晶。铜和铟和镓原料，在铟镓铜（CIG）的晶体中，可以通过粉碎CIG晶体粉末。因此，在S及Se的结晶，得到高品质的晶体。铟镓铜晶体，所述铜和铟和镓混合为原料，和真空密封的真空密封的安瓿的步骤，加热安瓿，原料在安瓿通过熔体生长的结晶的结晶CIG步骤它是从一个制造。研磨CIG晶体可以是四元合金时仅混合硒。

9. 发明专利

JP2015063438A ペロブスカイト関連化合物审中-公开
标题翻译： PEROVSKITE相关化合物
公开(公告)号：JP2015063438A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：JP2014008192
申请日：2014-01-21
申请人：国立大学法人東京工業大学 , 第一稀元素化学工業株式会社
发明人：八島正知 , 藤井孝太郎 , 尾本和樹 , 江崎勇一 , 齋藤千紘
IPC分类号： C04B35/50 , C01G15/00 , C04B35/00
CPC分类号： C01G15/006 , H01B1/08 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2002/77
摘要：【課題】新規な層状構造を有するペロブスカイト関連化合物を提供する。【解決手段】本発明のペロブスカイト関連化合物は、ペロブスカイトユニットとA−希土構造ユニットとが交互に積層した層状構造を有する。既約格子定数ar〜cr、αr〜γrおよび既約格子体積Vrが以下の数値範囲内である。ar=6.05±0.6Å、br=8.26±0.8Å、cr=9.10±0.9Å、αr=103.4±10°、βr=90±10°、γr=90±10°、Vr=442.37±67Å 3 。ただし、既約格子定数ar〜crのうち少なくとも1つは、上記で規定される数値のm/n倍であってもよい。ここで、mおよびnはそれぞれ独立に、自然数、2または3の平方根またはその整数倍である。なお、ar、br、およびcr間の数値、または、αr、βr、およびγr間の数値は互いに入れ替わってもよい。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供具有新型层状结构的钙钛矿相关化合物。解决方案：钙钛矿相关化合物包括其中钙钛矿单元和A-稀土结构单元交替堆叠的层状结构。不可约的晶格常数ar至cr，αr至γr和不可约的晶格体积Vr在以下数值范围内。 ar = 6.05±0.6A，br = 8.26±0.8，cr = 9.10±0.9，αr= 103.4±10°，rgr = 90±10°，γr= 90±10°，Vr = 442.37±67 。而不可约的晶格常数ar至cr中的至少一个可以是如上定义的数值的m / n倍。这里，m和n各自独立地为2或3的自然数，平方根或整数倍。应注意，ar，br和cr之间的数值，或αr，＆bgr; r和 γr可以彼此互换。

10. 发明专利

JP2015508747A ｉｎｖｉｖｏ光学イメージング、ｉｎｖｉｖｏ多モード光学−ＭＲＩイメージング、および治療的診断のためのｉｎｓｉｔｕで励起可能な持続的発光ナノ粒子审中-公开
标题翻译：体内光学成像，体内多模光学-MRI成像和治疗持续激发的纳米粒子发射原位用于诊断
公开(公告)号：JP2015508747A
公开(公告)日：2015-03-23
申请号：JP2014553756
申请日：2013-01-30
申请人：サントル、ナショナール、ド、ラ、ルシェルシュ、シアンティフィク、(セーエヌエルエス)
发明人：トマ、マルディネ , シリル、リシャール , ダニエル、シャーマン , ディディエ、グーリエ , ブリューノ、ビアナ , オレリー、ベシエール
IPC分类号： A61K49/00
CPC分类号： A61B5/0071 , A61B5/055 , A61B90/39 , A61B2090/3954 , A61K49/0093 , A61K49/186 , C01G15/00 , C01G15/006 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/16 , C01P2006/60 , C01P2006/90
摘要：持続的発光ナノ粒子の使用に基づく多モード光学・磁気共鳴イメージング法。治療適用のためのメソ多孔質持続的発光「コア−シェル」複合体の使用。
摘要翻译：基于使用持久发光纳米颗粒的多模光的磁共振成像方法。在复用 - 治疗应用“壳芯”孔持续排放。

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