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1. 发明专利

JP6063475B2 パッケージングに適合する、MEMSデバイスのウェハレベルキャッピング有权
标题翻译：与MEMS器件的封装，晶片级封端兼容
公开(公告)号：JP6063475B2
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：JP2014546048
申请日：2012-12-06
申请人：ジョージア・テック・リサーチ・コーポレーション , ポール・エイ・コール , ラジャーシ・サハ , ネイサン・フリッツ
发明人：ポール・エイ・コール , ラジャーシ・サハ , ネイサン・フリッツ
IPC分类号： B81B3/00 , H01L23/08 , B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00261 , B81B3/0018 , B81C1/00333 , B81C2201/0108 , B81C2203/0154

3. 发明专利

JP5281682B2 The micro-electro-mechanical device and a sealing method and method for manufacturing 有权
公开(公告)号：JP5281682B2
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：JP2011183879
申请日：2011-08-25
申请人：ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングRobert Bosch Gmbh
发明人：パートリッジ，アーロン , ルッツ，マルクス , クローンミュラー，ズィルヴィア
IPC分类号： B81C1/00 , H01L20060101 , H01L21/44 , H01L23/06 , H01L23/28 , H01L23/48 , H01L23/52 , H01L27/14 , H01L29/40 , H01L29/82 , H01L29/84
CPC分类号： B81C1/00261 , B81B2207/015 , B81C1/00333 , B81C2201/0176 , B81C2203/0136 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： There are many inventions described and illustrated herein. In one aspect, the present invention is directed to a MEMS device, and technique of fabricating or manufacturing a MEMS device, having mechanical structures encapsulated in a chamber prior to final packaging. The material that encapsulates the mechanical structures, when deposited, includes one or more of the following attributes: low tensile stress, good step coverage, maintains its integrity when subjected to subsequent processing, does not significantly and/or adversely impact the performance characteristics of the mechanical structures in the chamber (if coated with the material during deposition), and/or facilitates integration with high-performance integrated circuits. In one embodiment, the material that encapsulates the mechanical structures is, for example, silicon (polycrystalline, amorphous or porous, whether doped or undoped), silicon carbide, silicon-germanium, germanium, or gallium-arsenide.

4. 发明专利

JP6417764B2 電子部品、電子部品の製造方法、電子機器、および移動体审中-公开
公开(公告)号：JP6417764B2
公开(公告)日：2018-11-07
申请号：JP2014150484
申请日：2014-07-24
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：近藤学
IPC分类号： H03B5/32 , H03H9/02 , H03H3/02 , H01L23/04
CPC分类号： H01L23/13 , B81C1/00261 , H01L23/15 , H01L23/49811 , H01L2224/48225 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311

5. 发明专利

JP2015003381A ＭＥＭＳデバイス用パッケージング方法审中-公开
标题翻译： MEMS器件封装方法
公开(公告)号：JP2015003381A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：JP2014121276
申请日：2014-06-12
申请人：ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド , Honeywell Internatl Inc
发明人： ALBERT HROVAT
IPC分类号： B81C3/00 , B81B7/02 , G01P15/08 , H01L25/00
CPC分类号： B81B3/0016 , B81B7/0048 , B81C1/0023 , B81C1/00261 , H01L2224/48227 , H01L2224/4899 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311
摘要：【課題】低コストで信頼性の高いMEMSデバイス用パッケージング方法を提供する。【解決手段】微小電気機械システム(MEMS)デバイスをパッケージングする方法において、第1面104及び反対側の第2面106を有するインターポーザボードであって、第2面に複数の電気接点108を含むインターポーザボード102が準備される。インターポーザボードの第1面に複数のシム層112が接着され、シム層の各々の一つに複数のMEMSダイ120がそれぞれ分離して接着される。ワイヤボンディングによりMEMSダイの各々がインターポーザボードに電気的に接続される。パッケージングされたMEMSデバイスを製造するために複数のカバー130がMEMSダイの各々を覆ってインターポーザボードの第1面に取り付けられる。MEMSダイの各々は、カバーのそれぞれの一つによって画定される密封キャビティ内に存在し、熱応力から実質的に隔離される。【選択図】図1A
摘要翻译：要解决的问题：为MEMS器件提供低成本且高可靠性的封装方法。解决方案：在微机电系统（MEMS）器件的封装方法中，具有第一表面104和第二表面104的插入板在第二表面上制备作为具有多个电接触点108的插入板102的相对侧的第二表面106。多个垫片层112粘合到插入板的第一表面上，并且多个MEMS管芯120以分开的方式粘附到每个垫片层上。每个MEMS管芯通过引线接合电连接到插入器板。为了制造封装的MEMS器件，多个盖130覆盖每个MEMS管芯，并且附接到插入器板的第一表面。 MEMS模具中的每一个都存在于由盖中的每一个限定的气密密封腔中，并基本上与热应力隔离。

6. 发明专利

JP2012171053A Method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing microphone 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法和制造麦克风的方法
公开(公告)号：JP2012171053A
公开(公告)日：2012-09-10
申请号：JP2011035915
申请日：2011-02-22
申请人： Omron Corp , オムロン株式会社
发明人： HORIMOTO TAKAHIRO , NAKAGAWA SUKEMASA , INOUE MASASHI , TAKAHASHI TOSHIYUKI
IPC分类号： B81C3/00 , H01L21/304 , H01L29/84 , H04R19/04 , H04R31/00
CPC分类号： B81C1/00261 , H01L21/304 , H01L21/50 , H01L24/80 , H04R19/005 , H04R31/00 , H04R2201/003
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of reducing the height of each semiconductor element, and thereby reducing the height of the semiconductor device, in a semiconductor device mounted with semiconductor elements on a support member.SOLUTION: A plurality of acoustic sensors 51 are provided on a Si wafer. A plurality of interposers 52 each including a cavity 70, penetrating electrodes 65, 66, and the like are integrally formed using an Si wafer 74. The surfaces of the acoustic sensors 51 which are opposite to the Si wafer are joined and integrated with the plurality of interposers 52. Thereafter, the Si wafer of the acoustic sensors 51 is polished to reduce the thickness of the Si wafer in a state where the acoustic sensors 51 and the interposers 52 are joined and integrated with one another. Thereafter the Si wafer and the separate acoustic sensors 51 which are divided into separate elements while remaining joined, are installed in a package together with a signal processing circuit.
摘要翻译：解决的问题：提供一种制造半导体器件的方法，该半导体器件能够在将半导体元件安装在支撑部件上的半导体器件中降低半导体元件的高度，从而降低半导体器件的高度。解决方案：在Si晶片上设置多个声传感器51。每个包括空腔70，穿透电极65,66等的内插件52使用Si晶片74一体地形成。声学传感器51的与Si晶片相对的表面被接合并与多个此后，对声传感器51的Si晶片进行抛光，以在声传感器51和插入件52彼此接合并整合的状态下减小Si晶片的厚度。此后，Si晶片和分离成独立的元件同时保持连接的单独的声学传感器51与信号处理电路一起安装在封装中。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP5382029B2 Method of manufacturing a microphone 有权
公开(公告)号：JP5382029B2
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：JP2011035915
申请日：2011-02-22
申请人：オムロン株式会社
发明人：恭弘堀本 , 佑将中河 , 匡志井上 , 敏幸高橋
IPC分类号： H04R31/00 , H04R19/04
CPC分类号： B81C1/00261 , H01L21/304 , H01L21/50 , H01L24/80 , H04R19/005 , H04R31/00 , H04R2201/003

9. 发明专利

JP2013516329A Micro Electro Mechanical Systems (MEMS) acoustic (acoustic) package that is pre-molded lead frame base having an air channel for the device 有权
公开(公告)号：JP2013516329A
公开(公告)日：2013-05-13
申请号：JP2012547262
申请日：2010-12-29
申请人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 , テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド
发明人：アールハッカビージェームズ , エイチパードムレイ
IPC分类号： B81B7/02 , B81C3/00 , H01L23/02 , H01L23/08
CPC分类号： B81C1/00261 , B81B3/0081 , B81B7/0061 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , H01L2224/45144 , H01L2224/48465 , H01L2924/1461 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
摘要： A low-cost microelectromechanical system (MEMS) device has a mass-produced carrier fabricated as a pre-molded leadframe so that the space of the leadframe center is filled with compound and a two-tier stepped recess is created in the center. The first tier is filled by an inset with a first perforation and a second perforation. An integrated circuit chip with an opening and a membrane at the end of the opening, operable as a pressure sensor, microphone, speaker, etc, is assembled on the inset so that the chip opening is aligned with the first perforation. The chip is protected by a cover transected by a vent aligned with the second inset perforation. An air channel extends from the ambient exterior through the vent and the second perforation to the second tier recess, which acts as a channel and connects to the first perforation and the chip opening to the membrane.

10. 发明专利

JP2013080923A Three-dimensional integrated electronic device structure including increased thermal dissipation capabilities 审中-公开
标题翻译：三维集成电子设备结构，包括增加热量消耗能力
公开(公告)号：JP2013080923A
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：JP2012210260
申请日：2012-09-25
申请人： General Electric Co , ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人： KAUSTUBH RAVINDRA NAGARKAR , KEIMEL CHRISTOPHER FRED
IPC分类号： H01L23/36 , B81B7/02 , H01L23/02
CPC分类号： B81C1/00261 , B81B3/0081 , B81B7/0077 , B81B7/0093 , H01L21/56 , H01L23/10 , H01L23/3677 , H01L24/96 , H01L2224/16225 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a microelectronic device structure including increased thermal dissipation capabilities.SOLUTION: The structure includes a three-dimensional (3D) integrated chip assembly 105 that is flip chip bonded to a substrate 110. The chip assembly includes a device substrate 132 including an active device 144 disposed thereon. A cap layer 114 is physically bonded to the device substrate 132 to at least partially define a hermetic seal 148 about the active device 144. The microelectronic device structure provides a plurality of heat dissipation paths therethrough to dissipate heat generated therein.

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