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1. 发明专利

JP2020052393A 素数モジュロの二重カプセル化に基づく1対多分配鍵管理によるポスト量子非対称鍵暗号化システム审中-公开
公开(公告)号：JP2020052393A
公开(公告)日：2020-04-02
申请号：JP2019123599
申请日：2019-07-02
申请人：國立交通大學
发明人：リカルド・ネフタリ・ポンタザ・ロダス , 林盈達
IPC分类号： G09C1/00
摘要：【課題】格子代数に基づくポスト量子非対称鍵生成システムを提供する。【解決手段】ポスト量子非対称鍵生成システム10は、p(素数)ベクトルを生成するpベクトル生成モジュール11と、pベクトルに基づいてp配列を生成するp配列生成モジュール13と、p配列に基づいて関連行列を生成する関連行列生成モジュール14と、関連行列と第1の基準素数p1とに基づいて、第1の基準逆p配列を取得する逆p配列生成モジュール15と、秘密鍵を生成する秘密鍵生成モジュール17と、第2の逆p配列に基づいて、秘密鍵とペアとなる公開鍵を取得する公開鍵生成モジュール18を備える。第2の逆p配列は、関連行列と、第1の素数p1と、第2の素数p2と、ランダム化配列とに基づいて取得される。【選択図】図2

2. 发明专利

JP2018098478A 半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP2018098478A
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：JP2017053220
申请日：2017-03-17
申请人：國立交通大學
发明人：張翼 , 劉世謙 , ▲黄▼ 崇▲カイ▼ , ▲呉▼ 佳勳 , 韓秉承 , 林岳欽 , 謝廷恩
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/7786 , H01L21/28282 , H01L21/28291 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/408 , H01L29/42352 , H01L29/4236 , H01L29/42364 , H01L29/513 , H01L29/516 , H01L29/66462 , H01L29/78391 , H01L29/792
摘要：【課題】閾値を6Vよりも大きくし、誤起動の発生を効果的に避ける半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、基材110と、チャネル層120と、バリア層130と、溝と、電荷トラップ層220と、強誘電体材料230と、ゲート250と、ソースSと、ドレインDと、を含む。チャネル層120は、基材110に配置される。バリア層130は、チャネル層120に配置される。バリア層130は溝を有し、且つ、溝の下方のバリア層130は、厚さを有する。ドレインDとソースSは、バリア層130に配置される。電荷トラップ層220は、溝の底面を覆う。強誘電体材料230は、電荷トラップ層220に配置される。ゲート250は、強誘電体材料230に設けられる。【選択図】図4A

3. 发明专利

JP2017031148A 薬物組成物およびその製造方法有权
标题翻译：药物组合物和制造的方法
公开(公告)号：JP2017031148A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2016151063
申请日：2016-08-01
申请人：國立交通大學
发明人：黄唯▲ティン▼ , 李翊綺 , 劉典謨
IPC分类号： A61P43/00 , A61P35/00 , A61K9/10 , A61K47/36 , A61K39/395 , A61K49/00 , A61K31/121 , A61K33/24 , A61K45/06
CPC分类号： A61K9/5161 , A61K31/12 , A61K33/24 , A61K47/36 , A61K47/4823 , A61K47/48592 , A61K47/48869 , A61K47/48923
摘要：【課題】薬物組成物およびその製造方法を提供する。【解決手段】複数の親水基と複数の疎水基で変性された両親媒性キトサン誘導体と、前記両親媒性キトサン誘導体に埋め込められ、静電力により前記複数の親水基を吸引する少なくとも一つの親水性薬物と、前記両親媒性キトサン誘導体に埋め込められ、前記複数の疎水基の間にある少なくとも一つの疎水性薬物と、を含む、薬物組成物を提供する。また、複数の親水基と複数の疎水基で変性された両親媒性キトサン誘導体と、少なくとも一つの疎水性薬物と、少なくとも一つの親水性薬物とを溶剤に分散させて混合溶液を形成し、前記混合溶液のpHを前記親水性薬物および前記疎水性薬物が沈殿しない範囲に調整することと、前記混合溶液を少なくとも12時間撹拌し、前記混合溶液のpHを6〜7にすることと、を含む薬物組成物の製造方法を提供する。【選択図】図1
摘要翻译：用于制备该化合物的药物组合物和方法。的两亲性脱乙酰壳多糖衍生物与多个亲水性基团和多个疏水性基团的改性，被嵌入到两亲性脱乙酰壳多糖衍生物，至少一种亲水性以通过静电力吸多个亲水性基团的和药物，被嵌入在所述两亲性脱乙酰壳多糖衍生物，包括，至少一个疏水性药物是所述多个疏水性基团之间，提供了药物组合物。另外，经过修饰具有多个亲水性基团和多个疏水性基团，以形成至少一个疏水性药物的混合溶液和至少一个亲水性药物的两亲性脱乙酰壳多糖衍生物被分散在溶剂中，在包括在所述的pH的混合溶液中的亲水性药物和疏水性药物在不沉淀的范围内被调节，并且该混合的溶液搅拌至少12小时，将混合溶液的pH至6-7，将提供一种制造药物组合物的方法。 1点域

4. 发明专利

JP2017011673A ユーザ機器をPOST認証する方法、コントローラおよびネットワークシステム有权
标题翻译：如何发布认证用户设备，控制器和网络系统
公开(公告)号：JP2017011673A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2015257718
申请日：2015-12-30
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE , 國立交通大學
发明人：陳志成 , 楊人順 , 林逸豪 , 歐尚▲チュン▼
IPC分类号： H04W4/04 , H04W92/12 , G06F21/44 , H04W12/06
CPC分类号： H04W48/16 , H04W12/06 , H04W60/04
摘要：【課題】ユーザ機器(UE)をPOST認証する方法、コントローラおよびネットワークシステムを提供する。【解決手段】UEがゲートウェイによってルーティングされたアクセスポイント(AP)に接続されているとき、少なくとも1台のゲートウェイの外部チャネル品質が閾値より高いか否かを決定するS310。外部チャネル品質が閾値より高くないとき、UEを不完全に認証し、UEに付与するネットワーク能力を制限するようにAPを制御するS320。ゲートウェイの将来のチャネル能力を推定するS330。各UEの優先度重みを計算するS340。将来のチャネル容量および各UEの優先度重みに従ってUE群から候補UEを選択し、将来のチャネル容量に対応する時点で候補UEを完全に認証するため認証機構を用意するS350。【選択図】図3
摘要翻译： POST的方法认证用户设备（UE），以提供一个控制器和一个网络系统。 A当UE连接到一个路由的接入点（AP）由该网关确定该至少一个网关的外部信道质量是否小于阈值S310更高。当外部信道质量不高于阈值，UE不完全认证，控制所述AP以限制以赋予UE S320网络的能力。 S330估计网关的未来信道容量。 S340计算每个UE的优先级权重。从UE组根据用于未来的信道容量，并且UE的优先级权重选择候选UE，并且提供了一种认证机制在时间对应于未来的信道容量S350充分验证该候选UE。点域

5. 发明专利

JP2016131974A 廃水処理システム有权
标题翻译：废水处理系统
公开(公告)号：JP2016131974A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2016003335
申请日：2016-01-12
申请人：黎明興技術顧問股▲分▼有限公司 , 國立交通大學
发明人：黎徳明 , 江明桂 , 陳金得 , 宋耿全 , ▲藍▼ ▲茜▼▲茹▼ , 林志高 , 江翌安 , ▲蔡▼ 承祐
IPC分类号： C02F1/00 , C02F3/28 , C02F3/34
CPC分类号： C02F3/2833 , C02F3/307 , C02F9/00 , C02F2003/001 , C02F3/2806 , C02F3/2853 , C02F3/286 , C02F3/301 , C02F3/305 , Y02E50/343 , Y02W10/37
摘要：【課題】廃水処理システムを提供する。【解決手段】本発明に係る廃水処理システムは廃水中の少なくとも一部分の化学的酸素要求量及び含窒素化合物を除去させ、脱炭素嫌気性流動床反応器及び窒素除去流動床反応器を備える。脱炭素嫌気性流動床反応器は、主に廃水中の大部分の化学的酸素要求量を順に加水分解、酸化及びメタン化させてメタンにし、窒素除去流動床反応器則は廃水中のアンモニア態窒素及び余剰の化学的酸素要求量を部分的な硝化反応、独立栄養性脱硝反応及び従属栄養性脱硝反応を経て窒素に変化させる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供废水处理系统。解决方案：根据本发明的废水处理系统将废水中的化学需氧量和含氮化合物的至少一部分去除，并且包括脱碳厌氧流化床反应器和除氮流化床反应器。脱碳厌氧流化床反应器主要在废水中依次水解，氧化和甲烷化大多数化学需氧量以产生甲烷。除氮流化床反应器通过硝化反应，自养脱硝反应和异养脱硝反应将氨氮和废水中剩余的化学需氧量转化为氮。选择图1：

6. 发明专利

JP2015058428A 廃液処理方法および廃液処理装置有权
标题翻译：废液处理方法和装置
公开(公告)号：JP2015058428A
公开(公告)日：2015-03-30
申请号：JP2014010573
申请日：2014-01-23
申请人：黎明興技術顧問股▲分▼有限公司 , Leaderman & Associates Co Ltd , 國立交通大學 , Jiaotong Univ
发明人： LEE DER-MING , CHIANG MING-KUEI , CHEN CHIN-TE , SUNG KENG-CHUAN , LAN CHIEN-JU , LIN JIH-GAW , LIANG YING-CHANG
IPC分类号： C02F3/34
CPC分类号： C02F3/307 , C02F3/109 , C02F3/1263 , C02F3/301 , C02F3/341 , C02F3/348 , C02F2101/16 , C02F2101/38 , C02F2103/346 , C02F2209/06 , C02F2209/22 , C02F2301/08 , Y02W10/15
摘要：【課題】単一反応槽を利用可能なTMAHおよびアンモニア性窒素を含む廃液を処理する廃液処理方法および廃液処理装置を提供する。【解決手段】単一反応槽内にTMAHの含まないアンモニア性窒素含有溶液を導入する。反応槽内において微生物を利用してアンモニア性窒素含有溶液に対して脱窒作用を行う。前記微生物は硝化菌および独立栄養性脱硝菌を含む。反応槽は、溶存酸素濃度が0.1〜0.5mg/Lであり、PH値が7〜8である。脱窒効率が安定となった後、TMAHを当該アンモニア性窒素含有溶液に混合し、TMAHの添加濃度を60mg/Lより低くする。脱窒効率が再び安定となった後に、TMAHの添加濃度を漸次的に高める。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供可以使用单个反应罐并处理含有四甲基氢氧化铵（TMAH）和氨氮的废液的废液处理方法和装置。溶液：将不含TMAH的含氨氮溶液引入单反应罐。使用反应槽中的微生物对含氨氮的溶液进行脱氮作用。微生物包括硝化细菌和自养反硝化细菌。在反应罐中，溶解氧浓度为0.1-0.5mg / L，pH值为7-8。脱氮效率稳定后，将TMAH与含氨氮溶液混合，将TMAH的添加浓度设定为低于60mg / L。脱氮效率再次稳定后，TMAH的添加浓度逐渐增加。

7. 发明专利

JP5559762B2 Print type filtering antenna 有权
公开(公告)号：JP5559762B2
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：JP2011254784
申请日：2011-11-22
申请人：國立交通大學
发明人：鍾世忠 , 莊肇堂
IPC分类号： H01Q9/42 , H01P1/203 , H01Q1/38 , H01Q9/38
CPC分类号： H01P1/20381 , H01Q1/38 , H01Q9/24 , H01Q9/42

8. 发明专利

JP5533780B2 Liquid crystal lens structure and a method of driving the same 有权
公开(公告)号：JP5533780B2
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：JP2011107054
申请日：2011-05-12
申请人：國立交通大學
发明人：怡欣林 , 弘峻林
IPC分类号： G02F1/13 , G02B3/14 , G02F1/133 , G02F1/13363 , G02F1/1343
CPC分类号： G02F1/13471 , G02F1/13306 , G02F2001/133565 , G02F2001/133631 , G02F2001/13775 , G02F2001/291 , G02F2001/294 , G02F2202/40 , G02F2203/28 , G02F2203/62 , G03B3/10 , G03B2205/0046 , G03B2205/0092

9. 发明专利

JP5486578B2 Semiconductor manufacturing method 有权
公开(公告)号：JP5486578B2
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：JP2011245369
申请日：2011-11-09
申请人：國立交通大學
发明人：耀銓呉 , 寶明王 , 豐慶蕭
IPC分类号： C30B29/38 , H01L21/205 , H01L33/20 , H01L33/32
CPC分类号： H01L21/02658 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02664 , H01L21/187 , H01L33/0079

10. 发明专利

JP5449121B2 Multilayer structure substrate and a method of manufacturing the same with a gallium nitride layer 有权
公开(公告)号：JP5449121B2
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：JP2010284369
申请日：2010-12-21
申请人：國立交通大學
发明人：翼張 , 佑霖蕭 , 榮淇呂
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/34
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L29/66462 , H01L29/778

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