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1. 发明专利

JP2014241414A ルミネセンス像形成を用いた間接バンドギャップ半導体の試験方法およびシステム有权
标题翻译：使用发光成像测试间接带状半导体的方法和系统
公开(公告)号：JP2014241414A
公开(公告)日：2014-12-25
申请号：JP2014139445
申请日：2014-07-07
申请人：ビーティーイメージングピーティーワイリミテッド , Bt Imaging Bty Ltd , ビーティーイメージングピーティーワイリミテッド
发明人： THORSTEN TRUPKE , ROBERT ANDREW BARDOS
IPC分类号： H01L21/66 , G01N21/66 , G01R31/26 , H02S50/15
CPC分类号： H02S50/15 , G01N21/64 , G01N21/6489 , G01N21/66 , G01N21/9501 , G01N21/956 , H01L31/022425
摘要：【課題】間接バンドギャップ半導体デバイスにおいて接続不良または電気的に絶縁された領域を特定する方法およびシステムを提供する。【解決手段】間接バンドギャップ半導体デバイスの空間分解特性は、間接バンドギャップ半導体デバイスを外部励起してルミネセンスを発光させ110、外部励起に応答して間接バンドギャップ半導体デバイスから発光されたルミネセンスの像を捕捉し120、1つ以上のルミネセンス像中の領域の相対的強度の比較に基づいて間接バンドギャップ半導体デバイスの空間分解特性を測定することによって測定される130。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供用于识别间接带隙半导体器件中不良连接或电隔离区域的方法和系统。解决方案：间接带隙半导体器件的空间分辨特性通过外部激励间接带隙半导体器件来测量，使其发射发光110，响应于外部激发120捕获从间接带隙半导体器件发射的发光的图像，以及基于间接带隙半导体器件的一个或多个中的区域的相对强度的比较来测量间接带隙半导体器件的空间分辨特性发光图像130。

2. 发明专利

JP2015038481A ウエハ画像化と処理の方法及び装置有权
标题翻译： WAFER成像和处理方法和WAFER成像和处理设备
公开(公告)号：JP2015038481A
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：JP2014169103
申请日：2014-08-22
申请人：ビーティーイメージングピーティーワイリミテッド , Bt Imaging Bty Ltd , ビーティーイメージングピーティーワイリミテッド
发明人： THORSTEN TRUPKE , ROBERT A BARDOS
IPC分类号： G01N21/64 , C30B29/06 , H02S50/15
CPC分类号： G01N21/63 , G01N21/6489 , G01N21/9505 , G01N2021/646 , G01N2033/0095 , G06T7/0004 , G06T2207/30148 , H01L22/12 , H01L31/18 , H01L2924/0002 , H02S50/10 , H01L2924/00
摘要：【課題】太陽電池製造の開始時、又はウェハ製造の終了時に、未加工ウェハの品質を迅速に評価し、電池の性能パラメータ、又は通常のプロセス条件下で期待されるそれらのパラメータの統計的変動を予測することが可能な、方法とシステムの提供。【解決手段】シリコンのようなバンドギャップ材料のフォトルミネセンス画像を撮影する第1のステップ2と、それに続いて、先ずサンプル中に存在し得る転位等の欠陥をハイライトするために画像を強調し、次いで、そのような欠陥の分布に関する情報を取得する、撮影画像の処理ステップ3を含む。この情報は、欠陥密度の絶対的又は相対的な面積平均を含み、或いは欠陥密度、又は欠陥分布、又はその両方に関連する測定基準を含む。最後にステップ4で、その材料から作られる太陽電池などのデバイスの動作特性の予測に、その情報が利用される。【選択図】図1A
摘要翻译：要解决的问题：提供一种方法和系统，其能够在制造太阳能电池开始时或晶片制造结束时及时评估未加工的晶片的质量，并且预测电池的性能参数或其中的统计波动在正常工艺条件下预期的参数。方法：一种方法包括：拾取诸如硅的带隙材料的光致发光图像的第一步骤2; 以及在第一步骤2之后的拾取图像处理步骤3，首先增强图像以突出显示可能存在于样本中的错位的缺陷，然后获取关于这种缺陷的分布的信息。该信息包括缺陷密度的绝对面积平均值或相对面积平均值，或包括与缺陷密度和缺陷分布中的一个或缺陷密度相关的测量标准。最后，在步骤4中，使用该信息来预测由材料制成的太阳能电池等装置的动作特性。

3. 发明专利

JP2010537434A Manufacture of photovoltaic cells 审中-公开
公开(公告)号：JP2010537434A
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：JP2010522135
申请日：2008-09-01
申请人：ビーティーイメージングピーティーワイリミテッド
发明人：トラプケ、トルステン , バードス、ロバート、アンドルー
IPC分类号： H01L21/66 , G01N21/88 , G01N21/956 , H01L31/04
CPC分类号： G01N21/6489 , G01N21/9501 , G01N2021/8887 , H01L31/18
摘要：少なくとも１つの半導体光電池またはモジュールを製造し半導体材料を分類する方法（３００）が開示される。一実装形態（５００）において、この方法は、製造工程の複数の段階（３１２〜３２４）各々においてウェーハをルミネセンス撮像するステップと、同じウェーハに関する撮像ステップから獲得される少なくとも２つの画像を比較して製造工程によって誘起された障害の発生または増大を識別するステップと、を含む。所定の許容レベルを超えるプロセス誘起の障害が識別されまたは障害が修復され得る場合には、ウェーハは製造工程（３１０）から除去され（３５１〜３５６）、またはウェーハはその特性に適合する別の製造工程に渡される。別の実装形態において、この方法は半導体材料を分類するステップを含む。例えば、少なくとも２つのウェーハを用意し、各ウェーハのルミネセンス画像を獲得し、画像を比較してウェーハの電気的構造の類似性を判定し、所定のレベルの電気的構造の類似性を有するウェーハを同じ系統にグループ化する。本発明の方法は、様々な形の機械的、電気的、および外見上の異常を判定するのに適する。

4. 发明专利

JP2013102172A Method and system for inspecting indirect bandgap semiconductor structure 审中-公开
标题翻译：用于检测间接带状半导体结构的方法和系统
公开(公告)号：JP2013102172A
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：JP2012279527
申请日：2012-12-21
申请人： Bt Imaging Bty Ltd , ビーティーイメージングピーティーワイリミテッド
发明人： TRUPKE THORSTEN , BERDOS ROBERT ANDREW
IPC分类号： H01L21/66 , H01L31/04
CPC分类号： G01N21/6489 , F21Y2115/10 , G01N21/6456 , G01N21/8851 , G01N2021/8887 , H01L22/14
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a system for inspecting an indirect bandgap semiconductor structure including a foundation which could cause a faulty solar cell.SOLUTION: A light source 110 generates a light suitable for inducing photoluminescence in an indirect bandgap semiconductor structure 140. A unit 114 reduces long-wavelength light of a generated light exceeding a specified radiation peak. A collimator 112 collimates the light. The semiconductor structure 140 is substantially uniformly and simultaneously illuminated with a collimated, short-pass filtered light. An imaging device 130 simultaneously captures photoluminescence images induced by the substantially uniform, simultaneous illumination incident across the semiconductor structure. The photoluminescence images are image-processed to quantify spatially resolved specified electronic properties of the semiconductor structure 140 using spatial variation of the photoluminescence induced in a large area.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于检查包括可能导致有故障的太阳能电池的基座的间接带隙半导体结构的系统。解决方案：光源110产生适合于在间接带隙半导体结构140中诱导光致发光的光。单元114减少超过特定辐射峰的所产生的光的长波长光。准直器112对光进行准直。半导体结构140基本均匀地并且同时被准直的短路滤光照射。成像装置130同时捕获通过跨越半导体结构的基本均匀的同时照射入射引起的光致发光图像。对光致发光图像进行图像处理，以利用在大面积中诱发的光致发光的空间变化来量化半导体结构140的空间分辨的指定电子特性。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2011527510A Thin film imaging method and apparatus 审中-公开
公开(公告)号：JP2011527510A
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：JP2011516928
申请日：2009-07-09
申请人：ビーティーイメージングピーティーワイリミテッド
发明人：トラプキ、ソーステン , バードス、ロバート、アンドルー , マクスウェル、イアン、アンドルー
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/52
CPC分类号： H01L22/20 , C23C16/52 , G01N21/6456 , G01N21/6489 , G01N2021/646 , G01R31/2648 , G01R31/2656 , H01L22/12
摘要：光ルミネセンス撮像を使用して半導体薄膜の堆積処理及び／又は事後堆積処理を監視するための方法および装置が提供される。光ルミネセンス画像は、半導体膜の１つ以上の特性および該膜にわたる特性の変化を決定するために解析される。これらの特性は堆積プロセスに関する情報を推定するために使用され、その後、前記情報を使用して、堆積プロセス条件およびその後の処理ステップの条件を調整することができる。方法および装置は、薄膜に基づく太陽電池に対して特定の用途を有する。

6. 发明专利

JP2009536448A Indirect band gap semiconductor test method and system using a luminescence imaging 审中-公开
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP2009536448A
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：JP2009508050
申请日：2007-05-04
申请人：ビーティーイメージングピーティーワイリミテッド
发明人：トラプケ、トールステン , バードス、ロバート、アンドルー
IPC分类号： H01L21/66 , G01R31/26
CPC分类号： H02S50/15 , G01N21/64 , G01N21/6489 , G01N21/66 , G01N21/9501 , G01N21/956 , H01L31/022425
摘要：太陽電池などの間接バンドギャップ半導体デバイスの空間分解特性を特定または測定する方法およびシステムの実施形態が説明される。一実施形態において、間接バンドギャップ半導体デバイスの空間分解特性は、間接バンドギャップ半導体デバイスを外部励起して間接バンドギャップ半導体デバイスにルミネセンスを発光させ（１１０）、外部励起に応答して間接バンドギャップ半導体デバイスから発光されたルミネセンスの像を捕捉し（１２０）、１つ以上のルミネセンス像中の領域の相対的強度の比較に基づいて間接バンドギャップ半導体デバイスの空間分解特性を測定することによって測定される（１３０）。
摘要翻译：描述了用于识别或确定诸如太阳能电池的间接带隙半导体器件中的空间分辨特性的方法和系统的实施例。在一个实施例中，间接带隙半导体器件的空间分辨性质通过外部激发间接带隙半导体器件来确定，以使间接带隙半导体器件发射发光（110），从而响应于从间接带隙半导体器件发射的发光的图像基于一个或多个发光图像（130）中的区域的相对强度的比较来确定间接带隙半导体器件的空间分辨特性。

7. 发明专利

JP2011516374A Wafer imaging and processing methods and apparatus 审中-公开
公开(公告)号：JP2011516374A
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：JP2011502194
申请日：2009-03-31
申请人：ビーティーイメージングピーティーワイリミテッド
发明人：トラプキ、トールステン , バルドス、ロバート、エー．
IPC分类号： C30B29/06 , H01L31/04
CPC分类号： G01N21/63 , G01N21/6489 , G01N21/9505 , G01N2021/646 , G01N2033/0095 , G06T7/0004 , G06T2207/30148 , H01L22/12 , H01L31/18 , H01L2924/0002 , H02S50/10 , H01L2924/00
摘要：切断されたまま、又は一部工程の終了した、多結晶シリコンウェハなどのバンドギャップ材料からルミネセンス画像を撮影する（２）一方法（１）が開示される。この画像は次に処理されて（３）、バンドギャップ材料中にある転位などの欠陥に関する情報を提供する。得られた情報は、バンドギャップ材料から製造される太陽電池の、開放電圧、及び短絡電流のような、種々の主要パラメータの予測に利用される（４）。この情報は、バンドギャップ材料の分類へも利用することが可能である。この方法は、バンドギャップ材料中の欠陥密度の低減を目的とする、アニールなどの追加プロセス工程の調整又は効果の評価に利用することも可能である。

8. 发明专利

JP2009512198A Method and system for inspecting an indirect bandgap semiconductor structure 审中-公开
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP2009512198A
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：JP2008534812
申请日：2006-10-11
申请人：ビーティーイメージングピーティーワイリミテッド
发明人：トゥルプケ、トールステン , バードス、ロバート、アンドリュー
IPC分类号： H01L21/66 , H01L31/04
CPC分类号： G01N21/6489 , F21Y2115/10 , G01N21/6456 , G01N21/8851 , G01N2021/8887 , H01L22/14
摘要：間接バンドギャップ半導体構造（１４０）を検査する方法（６００）およびシステム（１００）が説明される。光源（１１０）は間接バンドギャップ半導体構造（１４０）にフォトルミネセンスを誘起するのに適した光（６１２）を発生させる。ショートパスフィルタユニット（１１４）は、発生した光の特定の放射ピークを超える長波長光を低減する。コリメータ（１１２）は光をコリメート（６１６）する。大面積の間接バンドギャップ半導体構造（１４０）はコリメートされショートパス濾波された光で、略均一かつ同時に照明（６１８）される。撮像デバイス（１３０）は大面積の間接バンドギャップ半導体構造に入射する略均一な同時照明によって誘起されるフォトルミネセンス像を同時に捕捉する（６２０）。フォトルミネセンス像は、大面積に誘起されたフォトルミネセンスの空間的変動を用いて、間接バンドギャップ半導体構造（１４０）の空間的に分解された特定の電子特性を定量化するために像処理（６２２）される。
摘要翻译：描述了用于检查间接带隙半导体结构（140）的方法（600）和系统（100）。光源（110）产生适于在间接带隙半导体结构（140）中诱导光致发光的光（612）。短路滤波器单元（114）将产生的光的长波长光减少到特定发射峰以上。准直器（112）准直（616）光。间接带隙半导体结构（140）的大面积基本均匀地并且被同步地照射（618）并且被准直的短路滤波的光。图像捕获装置（130）捕获（620）由间接带隙半导体结构的大面积上基本均匀的同时照射入射引起的光致发光图像。对光致发光图像进行成像处理（622），以使用在大面积中诱导的光致发光的空间变化来量化间接带隙半导体结构（140）的空间分辨的特定电子特性。

9. 发明专利

JP5936657B2 ウエハ画像化と処理の方法及び装置有权
标题翻译：晶片成像和处理的方法和装置
公开(公告)号：JP5936657B2
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：JP2014169103
申请日：2014-08-22
申请人：ビーティーイメージングピーティーワイリミテッド
发明人：トラプキ、トールステン , バルドス、ロバート、エー.
IPC分类号： C30B29/06 , H02S50/15 , G01N21/64
CPC分类号： G01N21/63 , G01N21/6489 , G01N21/9505 , G06T7/0004 , H01L22/12 , H01L31/18 , G01N2021/646 , G01N2033/0095 , G06T2207/30148 , H01L2924/0002 , H02S50/10

10. 发明专利

JP5893683B2 ルミネセンス像形成を用いた間接バンドギャップ半導体の試験方法およびシステム有权
标题翻译：间接带隙半导体的测试方法和系统中使用发光成像
公开(公告)号：JP5893683B2
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：JP2014139445
申请日：2014-07-07
申请人：ビーティーイメージングピーティーワイリミテッド
发明人：トラプケ、トールステン , バードス、ロバート、アンドルー
IPC分类号： H02S50/15 , G01N21/66 , G01R31/26 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/9501 , G01N21/64 , G01N21/6489 , G01N21/66 , G01N21/956 , H01L31/022425

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