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1. 发明专利

JP2017092454A 高スループットの複数チャンバ原子層堆積システムおよび方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017092454A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016185221
申请日：2016-09-23
申请人：ウルトラテックインク , Ultratech Inc , ウルトラテックインク
发明人： HAWRYLUK M ANDREW
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/48 , C23C16/50
CPC分类号： C23C16/45551 , C23C16/4408 , C23C16/45536 , C23C16/4584 , C23C16/52
摘要：【課題】高スループットを有するALD(原子層蒸着)システムおよび方法を提供する。【解決手段】ALDシステムは、処理チャンバ20を持つ。処理チャンバは、内部チャンバ仕切り44によって規定される複数のチャンバ区画を有する。処理されるウエハは、プラテンに支持される。プラテンは、処理チャンバハウジング30との間に僅かな空隙を有しつつ、処理チャンバハウジングの真下で回転する。これにより、ウエハは、チャンバ区画間を移動する。複数のチャンバ区画は、仕切りおよび空気弁50によって空気圧で仕切られる。空気弁は、仕切り内に動作可能に配置され、空隙でプラテン表面と空気連通している。チャンバ区画は、処理ガスを使用してALD処理を実行するために使用する。一方、その他のチャンバ区画は、パージガスを含む移行部である。いくつかのチャンバ区画は、ウエハを通過させてレーザ処理またはプラズマ処理を実行するために採用する。【選択図】図2

2. 发明专利

JP2015034987A 気体環境中のフォトレジストをレーザ処理する方法有权
标题翻译：气体环境中光电子激光处理方法
公开(公告)号：JP2015034987A
公开(公告)日：2015-02-19
申请号：JP2014143920
申请日：2014-07-14
申请人：ウルトラテックインク , Ultratech Inc , ウルトラテックインク
发明人： ARTHUR W ZAFIROPOULO , HAWRYLUK M ANDREW
IPC分类号： G03F7/40 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/168 , G03F7/26 , G03F7/38 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01L21/67069
摘要：【課題】パターン化製品ウエハにおいて、表面を有するフォトレジスト層のエッチング耐性及び線境界粗さのうちの少なくとも一つを改善する方法を提供する。【解決手段】a)トリメチルアルミニウムガス、四塩化チタンガス、及びジエチル亜鉛ガスからなる群から選択される少なくとも1つの第1の処理ガスに、フォトレジスト層を曝す工程、b)フォトレジスト層及び第1の処理ガスにレーザを照射し、第1の処理ガスをフォトレジスト層に注入させる工程であって、フォトレジスト層の表面は、+/−5℃の温度均一性を有する300℃から500℃の間の温度に上昇させられる工程、c)フォトレジスト層の周辺から、残余の第1の処理ガスを除去する工程、d)フォトレジスト層を、H2Oを含む第2の処理ガスに曝す工程、e)フォトレジスト層及び第2の処理ガスにレーザを照射し、H2Oをフォトレジスト層に注入させる工程とを含む方法。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于改善在图案化产品晶片中具有表面的光致抗蚀剂层的蚀刻耐久性和线边界粗糙度中的至少一个的方法。解决方案：该方法包括以下步骤：（a）使光致抗蚀剂层涉及作为选自三甲基铝气体，四氯化钛气体和二乙基锌气体中的至少一种气体的第一处理气体; （b）用激光照射光致抗蚀剂层和第一处理气体，以将第一处理气体注入到光致抗蚀剂层中，其中光致抗蚀剂层的表面温度升高到300℃至500℃的范围，其中+ -5℃温度均匀性; （c）从光致抗蚀剂层的周边除去残余的第一处理气体; （d）将光致抗蚀剂层暴露于含有HO的第二处理气体; 和（e）用激光照射光致抗蚀剂层和第二处理气体以将HO注入到光致抗蚀剂层中。

3. 发明专利

JP2014209556A 発光ダイオードを利用した材料の製造システムおよび製造方法有权
标题翻译：使用发光二极管的材料的生产系统和生产方法
公开(公告)号：JP2014209556A
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：JP2014011186
申请日：2014-01-24
申请人：ウルトラテックインク , Ultratech Inc , ウルトラテックインク
发明人： ARTHUR W ZAFIROPOULO , HAWRYLUK M ANDREW
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/027 , H01L21/302 , H01L33/00
CPC分类号： B23K26/0066
摘要：【課題】より高い温度での、かつ、より短い時間での、有機物および無機物の製造方法を提供する。【解決手段】それぞれが複数のLEDのアレイ60から構成される複数のLED光源62を含む光源アセンブリ50を利用して、基板40に支持される材料層46を製造するシステムおよび製造方法である。材料層は、温度依存の反応速度を有する光プロセスを受けることができる。LEDのいくつかは、光プロセスを初期化する第1の波長の光を発し、LEDのいくつかは、基板を熱する第2の波長の光を発する。基板からの熱は材料層を熱し、光プロセスの温度依存の反応速度を高める。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供在较短时间内在较高温度下生产有机材料和无机材料的方法。解决方案：提供一种由衬底40支撑的材料层46的制造系统和方法，通过使用包括分别由多个LED的阵列60构成的多个LED光源62的光源组件50。可以对材料层进行具有取决于温度的反应速率的光学方法。一些LED发射第一波长的光以初始化光学过程，并且一些LED发射第二波长的光以加热衬底。来自基板的热量加热材料层，并提高反应速率。

4. 发明专利

JP2014039025A Led type photolithography illuminator having high light collection efficiency 有权
标题翻译：具有高光收集效率的LED型光刻机
公开(公告)号：JP2014039025A
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：JP2013155291
申请日：2013-07-26
申请人： Ultratech Inc , ウルトラテックインク
发明人： DAVID G STITES , HAWRYLUK M ANDREW
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , H01L33/00
CPC分类号： G03F7/201 , G03F7/70391 , H01L25/0753 , H01L33/642 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an LED type photolithography illuminator having high light collection efficiency.SOLUTION: A plurality of LEDs are used as an illuminator 10. Each LED has an LED die and a heat sink. The LED die is imaged on the input end 452 of a homogenizer rod 450, and covers the input end substantially without including the non-light-emitting heat sink portion of the LED. A microlens group 414 is used for imaging the LED die. Light collection efficiency of the illuminator is better than 50%, and illumination homogeneity at the output end of a light homogenizer is in the range of ±2%.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高采光效率的LED型光刻照明器。解决方案：多个LED用作照明器10.每个LED具有LED管芯和散热器。 LED芯片成像在均质器450的输入端452上，并且基本上不包括LED的非发光散热器部分覆盖输入端。微透镜组414用于对LED管芯进行成像。照明器的采光效率优于50％，光均质器输出端的照明均匀度在±2％的范围内。

5. 发明专利

JP2014123719A Wynn-dyson imaging system reducing thermal deformation 有权
标题翻译： WYNN-DYSON成像系统减少热变形
公开(公告)号：JP2014123719A
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：JP2013239824
申请日：2013-11-20
申请人： Ultratech Inc , ウルトラテックインク
发明人： HAWRYLUK M ANDREW
IPC分类号： H01L21/027 , G02B5/04 , G02B17/08 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2002 , G03F7/70191
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a Wynn-Dyson imaging system reducing thermal deformation.SOLUTION: A reticle prism and a wafer prism are made of a glass material having a thermal expansion coefficient of about 100 ppb/°C or less. A Wynn-Dyson imaging system comprises: a first window arranged between a reticle 16 and a reticle prism 110R; and a second window arranged between a wafer 18 and a wafer prism, and maintaining symmetry of an image. The first window substantially blocks arrival of convective heat and radiation heat at the reticle prism, thus reducing the amount of thermally-induced image deformation of a reticle image formed on the wafer.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种降低热变形的Wynn-Dyson成像系统。解决方案：光栅棱镜和晶片棱镜由热膨胀系数为约100ppb /℃以下的玻璃材料制成。 Wynn-Dyson成像系统包括：布置在标线片16和标线棱镜110R之间的第一窗口; 以及布置在晶片18和晶片棱镜之间并保持图像的对称性的第二窗口。第一个窗口基本上阻挡了在标尺棱镜处的对流热和辐射热的到达，从而减少了在晶片上形成的标线片图像的热诱导图像变形的量。

6. 发明专利

JP2013038417A FAST ANNEALING FOR GaN LED 审中-公开
标题翻译： GaN LED快速退火
公开(公告)号：JP2013038417A
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：JP2012161560
申请日：2012-07-20
申请人： Ultratech Inc , ウルトラテックインク
发明人： WANG YUN , HAWRYLUK M ANDREW
IPC分类号： H01L33/32 , H01L21/26 , H01L21/268
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming GaN light-emitting diodes which realizes enhanced output power, lower starting voltage, and reduced series resistance.SOLUTION: A method of forming GaN light-emitting diodes includes forming a GaN multilayer structure having an n-GaN layer 40 and a p-GaN layer 50 between which an active layer 60 is interposed. The method also includes performing fast annealing of the p-GaN layer 50 using either a laser or a flash lamp. The method further includes forming a transparent conductive layer 70 on the GaN multilayer structure, and adding a p-contact 90p to the transparent conductive layer 70 and an n-contact 90n to the n-GaN layer 40.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种形成GaN发光二极管的方法，其实现增强的输出功率，较低的起始电压和降低的串联电阻。解决方案：一种形成GaN发光二极管的方法包括形成具有n-GaN层40和p-GaN层50的GaN多层结构，其间介于有源层60之间。该方法还包括使用激光或闪光灯对p-GaN层50进行快速退火。该方法还包括在GaN多层结构上形成透明导电层70，并将p接触90p加到n-GaN层40上的透明导电层70和n型接触90n。版权所有：（C ）2013，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2014055938A Betavoltaic power sources for mobile applications 有权
标题翻译：用于移动应用的BETAVOLTAIC电源
公开(公告)号：JP2014055938A
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：JP2013143764
申请日：2013-07-09
申请人： Ultratech Inc , ウルトラテックインク
发明人： ARTHUR W ZAFIROPOULO , HAWRYLUK M ANDREW
IPC分类号： G21H1/06 , B60L11/18
CPC分类号： B60L11/18 , B60L11/002 , G21H1/00 , G21H1/06
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a long-life battery to be mounted on an electric vehicle or the like.SOLUTION: A betavoltaic power source for mobile devices, such as electric vehicles, and mobile applications includes a stacked configuration of isotope layers 20 and energy conversion layers 10. The isotope layers 20 have a half-life of between about 0.5 years and about 5 years and generate radiation with energy in the range from about 15 keV to about 200 keV. The betavoltaic power source is configured to provide sufficient power to operate the mobile device over its useful lifetime.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种要安装在电动车辆等上的长寿命电池。解决方案：用于诸如电动车辆和移动应用的移动设备的贝塔电源包括同位素层20和能量转换层10.同位素层20的半衰期在约0.5年至约5年之间，并且能量在约15keV至约200keV范围内产生辐射。贝塔伏特电源被配置为提供足够的功率来在其使用寿命期间操作移动设备。

8. 发明专利

JP2014045186A Non-melt thin-wafer laser annealing methods 有权
标题翻译：非熔融薄膜激光退火方法
公开(公告)号：JP2014045186A
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：JP2013162856
申请日：2013-08-06
申请人： Ultratech Inc , ウルトラテックインク
发明人： WANG YUN , HAWRYLUK M ANDREW , WANG XIAORU , SHEN XIAOHUA
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/268
CPC分类号： H01L21/268 , H01L21/02107 , H01L21/28518 , H01L27/14634 , H01L27/1469
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of annealing a thin semiconductor wafer that allows effective non-melt dopant activation on one side of the wafer without causing thermal degradation on the other side of the wafer.SOLUTION: A device wafer 10a is ground from a back side 14a so as to reduce the thickness of the device wafer 10a from about 750 μm to a thickness d in the range from about 5 μm to about 150 μm. An oxide layer 15 and carrier wafer 10b constitute a protective structure on a top side. The protective structure serves to protect a main part 34 of the electronic device, embedded within a product wafer 10.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种退火薄半导体晶片的方法，其允许在晶片的一侧上有效的非熔融掺杂剂活化而不会在晶片的另一侧引起热劣化。解决方案：将器件晶片10a从背面14a，以将器件晶片10a的厚度从约750μm减小到约5μm至约150μm范围内的厚度d。氧化物层15和载体晶片10b在顶侧构成保护结构。保护结构用于保护嵌入在产品晶片10内的电子设备的主要部分34。

9. 发明专利

JP2013238585A Betavoltaic power sources for use in mobile device 有权
标题翻译：用于移动设备的BETAVOLTAIC电源
公开(公告)号：JP2013238585A
公开(公告)日：2013-11-28
申请号：JP2013081978
申请日：2013-04-10
申请人： Ultratech Inc , ウルトラテックインク
发明人： ARTHUR W ZAFIROPOULO , HAWRYLUK M ANDREW
IPC分类号： G21H1/06
CPC分类号： G21H1/02 , G21H1/06
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide betavoltaic power sources for use in a mobile device.SOLUTION: A betavoltaic power source 6 for mobile devices and mobile applications includes a stacked configuration of isotope layers 20 and energy conversion layers 10. The isotope layers have a half life in the range from about 0.5 years to about 5 years, and generate radiation with energy in the range from about 15 keV to about 200 keV. The betavoltaic power source is configured to provide sufficient power to operate the mobile device throughout the useful life of the mobile device.
摘要翻译：要解决的问题：提供用于移动设备的贝塔伏安电源。解决方案：用于移动设备和移动应用的贝塔伏特电源6包括同位素层20和能量转换层10的堆叠配置。同位素层具有半寿命在约0.5年至约5年的范围内，并产生能量在约15keV至约200keV范围内的辐射。贝塔伏特电源被配置为在移动设备的整个使用寿命期间提供足够的功率来操作移动设备。

10. 发明专利

JP2014013890A Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times 有权
标题翻译：激光退火系统和超短时间的方法
公开(公告)号：JP2014013890A
公开(公告)日：2014-01-23
申请号：JP2013118693
申请日：2013-06-05
申请人： Ultratech Inc , ウルトラテックインク
发明人： SERGUEI ANIKITCHEV , HAWRYLUK M ANDREW
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/268
CPC分类号： H01L21/324 , B23K26/0006 , B23K26/0081 , B23K26/032 , B23K26/0608 , B23K26/0648 , B23K26/0736 , B23K26/082 , B23K2201/40 , B23K2203/56 , H01L21/02675 , H01L21/02691 , H01L21/268 , H01L21/67115 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide laser annealing systems and methods for annealing a semiconductor wafer with ultra-short dwell times.SOLUTION: A laser annealing system can include one or two laser beams that at least partially overlap. One of the laser beams is a pre-heat laser beam and the other laser beam is the annealing laser beam. The annealing laser beam scans sufficiently fast so that the dwell time is in the range from about 1 μs to about 100 μs. These ultra-short dwell times are useful for annealing product wafers formed from thin device wafers because they prevent the device side of the device wafer from being damaged by heating during the annealing process.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有超短停留时间的半导体晶片退火的激光退火系统和方法。解决方案：激光退火系统可以包括至少部分重叠的一个或两个激光束。其中一个激光束是预热激光束，另一个激光束是退火激光束。退火激光束扫描足够快，使得停留时间在约1μs至约100μs的范围内。这些超短停留时间对于退火由薄的器件晶片形成的产品晶片是有用的，因为它们防止器件晶片的器件侧在退火过程中被加热而损坏。

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