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1. 发明专利

JP2011230084A Method of cleaning support plate 审中-公开
标题翻译：清洁支撑板的方法
公开(公告)号：JP2011230084A
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：JP2010104522
申请日：2010-04-28
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： MITAKE TATSUHIRO , MATSUSHITA ATSUSHI
IPC分类号： B08B7/00 , H01L21/673 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67028 , B24C1/003 , B24C1/086 , B24C3/322 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of cleaning a support plate that generates no waste solution after cleaning of the support plate and that allows treatment at low cost.SOLUTION: The method of cleaning the support plate includes performing a carbon dioxide blasting treatment to remove an organic substance and metal each adhered to the support plate 7, by bringing the support plate 7 into contact with dry ice particles 4, wherein the support plate 7 is a support plate from which the substrate has been stripped.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在清洁支撑板之后清洁不产生废溶液的支撑板的方法，并且可以以低成本进行处理。解决方案：清洁支撑板的方法包括进行二氧化碳喷射处理以通过使支撑板7与干冰颗粒4接触来去除附着在支撑板7上的有机物质和金属，其中，支撑板7是已经剥离基板的支撑板。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP2015046515A 積層体の製造方法及び積層体有权
标题翻译：制造层压板和层压板的方法
公开(公告)号：JP2015046515A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：JP2013177344
申请日：2013-08-28
申请人：東京応化工業株式会社 , Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
发明人： MATSUSHITA ATSUSHI , MITAKE TATSUHIRO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/304 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/02274 , H01L21/0212 , H01L21/6835 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要：【課題】積層する基板を大型化することが可能な分離層を備えた積層体を提供する。【解決手段】積層体21の製造方法は、基板11、基板11を支持する光透過性のサポートプレート12、及び基板11とサポートプレート12との間に設けられ、サポートプレート12を介して照射される光を吸収することによって変質する第一分離層15を備えた積層体21の製造方法であって、不飽和結合を有する有機化合物とフッ素化合物とを含有する反応ガスを用いてプラズマ処理することによって、第一分離層15を形成する分離層形成工程を包含している。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有分层的层压体，其中待层压的基板可以上升。解决方案：一种制造层压体21的方法，其包括基板11，用于支撑基板的透光支撑板12 如图11所示，并且设置在基板11和支撑板12之间并通过吸收经由支撑板12照射的光而改变的第一分离层15包括分离层形成步骤，用于通过使用反应进行等离子体处理来形成第一分离层15 含有具有不饱和键的有机化合物和氟化合物的气体。

3. 发明专利

JP2014072453A Plasma processing apparatus, plasma processing method, and process of manufacturing laminate 有权
标题翻译：等离子体处理装置，等离子体处理方法及其制造方法
公开(公告)号：JP2014072453A
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：JP2012218627
申请日：2012-09-28
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： MATSUSHITA ATSUSHI , MITAKE TATSUHIRO
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/507 , H01L21/312
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To form an excellent separation layer.SOLUTION: A plasma processing apparatus 100 include: a bell jar type chamber 102 provided with a dome part 112 and a cylindrical part 113; a cap type coil 107 provided at an outer periphery of the dome part 112; and a stage 103 to which a support body 4 is mounted. A downflow region 111 where a radical generated in a plasma generation part 114 is recoupled is provided between the plasma generation part 114 surrounded by the cap type coil 107 of the chamber 102 and the stage 103.
摘要翻译：要解决的问题：形成优异的分离层。解决方案：等离子体处理设备100包括：设有圆顶部分112和圆柱形部分113的钟形瓶室102; 设置在圆顶部112的外周的盖型线圈107; 以及安装支撑体4的台架103。在由等离子体产生部分114中产生的自由基重新耦合的下游区域111设置在由腔室102的盖型线圈107围绕的等离子体产生部分114和级103之间。

4. 发明专利

JP2014194986A Substrate processing method 有权
标题翻译：基板处理方法
公开(公告)号：JP2014194986A
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：JP2013070435
申请日：2013-03-28
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： MATSUSHITA ATSUSHI , MITAKE TATSUHIRO
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing method capable of preventing peeling and contamination of a wafer which are caused when desired processing is performed to a lamination body.SOLUTION: A substrate processing method according to the invention includes: a lamination body formation step where a lamination body 1 formed by laminating a substrate 11, an adhesion layer 13, a separation layer 14, and a support plate 12 in the written order is formed; and a plasma processing step where plasma processing is performed to the lamination body 1.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够防止在对层叠体进行所需加工时引起的晶片的剥离和污染的基板处理方法。本发明的基板处理方法包括：层叠体形成工序形成通过以书面顺序层叠基板11，粘合层13，分离层14和支撑板12而形成的层叠体1。以及对层叠体1进行等离子体处理的等离子体处理工序。

5. 发明专利

JP2014160743A Bonding apparatus and cleaning method of the same 审中-公开
标题翻译：粘合装置及其清洗方法
公开(公告)号：JP2014160743A
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：JP2013030466
申请日：2013-02-19
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： MATSUSHITA ATSUSHI , MITAKE TATSUHIRO , OYA TETSUSHI
IPC分类号： H01L21/02
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To prolong a maintenance period in a bonding apparatus which uses a press plate and bonds a wafer to a support plate through an adhesive.SOLUTION: A bonding apparatus 100 laminates a substrate, an adhesion layer, and a support supporting the substrate in this order and applies pressing force to the laminated body to bond the substrate to the support through the adhesion layer. The bonding apparatus 100 comprises: a pair of plate members 4; and plasma generation means which generates plasma between the pair of plate members 4. The bonding apparatus 100 generates the plasma between the plate members to clean the plate members and thereby eliminates contamination of the plate members without stopping the operation of the bonding apparatus. Thus, a maintenance period of the bonding apparatus is prolonged.
摘要翻译：要解决的问题：延长使用压板的接合装置的维护期间，并通过粘合剂将晶片粘合到支撑板上。粘合装置100将基板，粘合层和支撑基板基板，并且对层叠体施加按压力，以通过粘合层将基板粘合到支撑体上。接合装置100包括：一对板构件4; 以及在一对板构件4之间产生等离子体的等离子体产生装置。接合装置100在板构件之间产生等离子体，以清洁板构件，从而消除板构件的污染，而不停止接合装置的操作。因此，延长了接合装置的维护周期。

6. 发明专利

JP2013162091A Method for manufacturing laminate 有权
标题翻译：制造层压板的方法
公开(公告)号：JP2013162091A
公开(公告)日：2013-08-19
申请号：JP2012025379
申请日：2012-02-08
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： MATSUSHITA ATSUSHI , MITAKE TATSUHIRO
IPC分类号： H01L21/02 , B32B37/24 , H01L21/304
CPC分类号： B32B38/0008 , B32B2310/14 , H01L21/268 , H01L21/6835 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique for suitably manufacturing a laminate for temporarily fastening a support body to a substrate.SOLUTION: A method for manufacturing a laminate having a substrate, a support body, and an isolation layer comprises the steps of: increasing a temperature in the support body carried into a reaction chamber and a temperature in the reaction chamber by plasma processing (preparatory processing step); and forming an isolation layer (isolation layer forming step) on the support body by supplying a material gas serving as the isolation layer into the reaction chamber after the preparatory processing step.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于适当地制造用于将支撑体临时固定到基底的层压体的技术。解决方案：一种用于制造具有基底，支撑体和隔离层的层压体的方法，包括以下步骤：增加通过等离子体处理（准备处理步骤）将载体内的载体携带到反应室中的温度和反应室中的温度; 以及在预备处理步骤之后，通过将用作隔离层的材料气体供应到反应室中，在支撑体上形成隔离层（隔离层形成步骤）。

7. 发明专利

JP2015046514A 積層体の製造方法及び積層体审中-公开
标题翻译：制造层压板和层压板的方法
公开(公告)号：JP2015046514A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：JP2013177340
申请日：2013-08-28
申请人：東京応化工業株式会社 , Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
发明人： MATSUSHITA ATSUSHI , MITAKE TATSUHIRO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/312 , H01L21/683
摘要：【課題】分離層の接着力が高い積層体を製造する。【解決手段】積層体の製造方法は、基板1、基板1を支持する光透過性のサポートプレート4、及び基板1とサポートプレート4との間に設けられ、サポートプレート4を介して照射される光を吸収することによって変質する分離層3を備えた積層体10の製造方法であって、分離層3をサポートプレート4上に形成する分離層形成工程と、分離層形成工程の後、不活性ガスを用いたプラズマ処理によって分離層3の表面を処理する表面処理工程と、を包含している。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：制造分离层具有高粘合力的层压体。解决方案：一种制造叠层10的方法，其包括基板1，用于支撑基板1的光学透明支撑板4和分离层3 设置在基板1和光学透明支撑板4之间并通过吸收通过支撑板4照射的光而改变，包括用于在支撑板4上形成分离层3的分离层形成步骤，以及用于处理在分离层形成步骤之后通过使用惰性气体的等离子体处理分离层3的表面。

8. 发明专利

JP2015010030A フッ化炭素、フッ化炭素の製造方法、及びその利用有权
标题翻译：碳氟化物，氟氟化碳的制造方法及其用途
公开(公告)号：JP2015010030A
公开(公告)日：2015-01-19
申请号：JP2013139165
申请日：2013-07-02
申请人：東京応化工業株式会社 , Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
发明人： OGATA HISAYUKI , SUZUKI YASUO , MATSUSHITA ATSUSHI , MITAKE TATSUHIRO
IPC分类号： C01B31/02 , C07C17/00 , C07C19/08 , C07C21/18 , C23C16/30
CPC分类号： C09J7/0228 , C08K5/01 , C08K2201/011 , C09J7/401 , C09J2427/005 , Y10T428/1429 , Y10T428/2982
摘要：【課題】新規な特性を有する新規なフッ化炭素、その製造方法及びその利用を提供する。【解決手段】本発明に係るフッ化炭素は、フッ素と炭素とからなり、累積粒度分布におけるd50が、1.0nm以上、4.0nm以下である。本発明に係るフッ化炭素の製造方法は、本発明に係るフッ化炭素を製造する方法であって、フルオロカーボンガスを用いて誘導結合プラズマを生成することによってラジカルを発生させるプラズマ処理工程を包含する。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供具有新特性的新的氟化碳，其制备方法及其用途。溶液：提供由氟和碳组成的氟化碳，其中累积颗粒中的（D50）尺寸分布为1.0nm以上且4.0nm以下。提供一种生产氟化碳的方法，其包括使用碳氟化合物气体产生感应耦合等离子体以产生自由基的等离子体处理步骤。

9. 发明专利

JP2011023689A Method of cleaning support plate 有权
标题翻译：清洁支撑板的方法
公开(公告)号：JP2011023689A
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：JP2009170012
申请日：2009-07-21
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： MITAKE TATSUHIRO , MIYANARI ATSUSHI , INAO YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/36 , H01L21/683
CPC分类号： B08B7/0035
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of cleaning a support plate, wherein the support plate stuck on a substrate to be made thin to support the substrate can be processed at low cost without producing any waste solution after cleaning. SOLUTION: The method of cleaning the support plate 1 stuck on the substrate to be made thin to support the substrate includes an organic matter-removing step of bringing oxygen plasma into contact with the support plate 1 to remove organic matter sticking on the support plate 1. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

10. 发明专利

JP2014072454A Plasma processing apparatus and process of manufacturing laminate 有权
标题翻译：等离子体加工设备和制造层压板的工艺
公开(公告)号：JP2014072454A
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：JP2012218628
申请日：2012-09-28
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： MATSUSHITA ATSUSHI , MITAKE TATSUHIRO
IPC分类号： H01L21/205 , C23C14/12 , C23C16/507 , H01L21/304 , H01L21/683 , H05H1/46
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To form an excellent separation layer.SOLUTION: A plasma processing apparatus 100 includes: a bell jar type chamber 102, provided with a dome part 112 and a cylindrical part 113, and also provided with an opening at the summit of the dome part 112; a top plate 108 that closes the opening; a cap type coil 107 provided at an outer periphery of the dome part 112; and a stage 103 to which a support body 4 is mounted.
摘要翻译：要解决的问题：形成优异的分离层。解决方案：等离子体处理设备100包括：喇叭形室102，设有圆顶部分112和圆柱形部分113，并且还在顶部设置有开口圆顶部112; 封闭开口的顶板108; 设置在圆顶部112的外周的盖型线圈107; 以及安装支撑体4的台架103。

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