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1. 发明专利

JP2012033891A Plasma processing method and semiconductor device manufacturing method 有权
标题翻译：等离子体处理方法和半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2012033891A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：JP2011129790
申请日：2011-06-10
申请人： Tokyo Electron Ltd , Toshiba Corp , 東京エレクトロン株式会社 , 株式会社東芝
发明人： TAWARA SHIGERU , NISHIMURA EIICHI , YAMASHITA FUMIKO , TOMITA HIROSHI , OIWA NORIHISA , OGUCHI HISASHI , OMURA MITSUHIRO
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/304 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/02071
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma processing method and a semiconductor device manufacturing method capable of effectively removing deposits including metal accumulated on a pattern sidewall by dry processing while suppressing pattern thinning by side etching.SOLUTION: A plasma processing method for forming a pattern having a metal layer in a laminate structure through a step of plasma-etching the metal layer formed on a substrate and then removing deposits accumulated in a pattern sidewall part and including metal that constitutes the metal layer comprises: a protective layer formation step of forming an oxide or chloride of the metal in the sidewall part of the metal layer; a deposit removal step of removing the deposits by the action of plasma of gas including a fluorine atom; and a reduction step of reducing the oxide or chloride of the metal by the action of plasma including hydrogen after the protective layer formation step and the deposit removal step.
摘要翻译：解决的问题：提供一种等离子体处理方法和半导体器件制造方法，其能够通过干法处理有效地除去堆积在图案侧壁上的金属的沉积物，同时通过侧面蚀刻抑制图案变薄。解决方案：一种等离子体处理方法，用于通过等离子体蚀刻形成在基板上的金属层，然后去除积聚在图案侧壁部分中的沉积物并包括构成的金属的步骤，在层叠结构中形成具有金属层的图案金属层包括：保护层形成步骤，在金属层的侧壁部分形成金属的氧化物或氯化物; 沉积物去除步骤，通过包含氟原子的气体的等离子体的作用除去沉积物; 以及还原步骤，在保护层形成步骤和沉积物去除步骤之后，通过包括氢的等离子体的作用还原金属的氧化物或氯化物。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP2011142248A Method and device for cleaning substrate 有权
标题翻译：清洗基板的方法和装置
公开(公告)号：JP2011142248A
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：JP2010002720
申请日：2010-01-08
申请人： Tokyo Electron Ltd , Toshiba Corp , 東京エレクトロン株式会社 , 株式会社東芝
发明人： TAWARA SHIGERU , YAMASHITA FUMIKO , NISHIMURA EIICHI , OIWA NORIHISA , MATSUSHITA TAKAYA , TOMITA HIROSHI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/027 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67028 , H01L21/02057
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and device for cleaning a substrate which remove a by-product and residual fluorine without damaging a pattern including an exposed portion of a silicon layer when forming the pattern by plasma etching.
SOLUTION: In the method for cleaning the substrate, the surface of a substrate is cleaned after a pattern is formed on the substrate by plasma etching. The method includes a by-product removing step of exposing the substrate to an HF-gas atmosphere to remove the by-product, and a residual-fluorine removing step of plasmanizing cleaning gas containing hydrogen gas and gas of a compound containing carbon and hydrogen as constituent elements, and causing the plasma cleaning gas to act on the substrate to remove residual fluorine on the substrate.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于清洁基板的方法和装置，其在通过等离子体蚀刻形成图案时，不会损坏包括硅层的暴露部分的图案，而不会损坏副产物和残余氟。解决方案：在清洁基板的方法中，在通过等离子体蚀刻在基板上形成图案之后，清洁基板的表面。该方法包括将基板暴露于HF气体气氛以除去副产物的副产物除去步骤，以及将含有氢气的清洗气体和含有碳和氢的化合物的气体等离子化的残余氟除去步骤作为构成元件，并且使等离子体清洁气体作用在基板上以除去基板上的残余氟。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2014209514A パターンを形成する方法有权
标题翻译：形成图案的方法
公开(公告)号：JP2014209514A
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：JP2013085940
申请日：2013-04-16
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
发明人： MORIKITA SHINYA , NISHIMURA EIICHI , YAMASHITA FUMIKO
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/31133 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , G03F7/0002 , H01J37/32091 , H01J37/32577 , H01L21/02118 , H01L21/02351 , H01L21/0271 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要：【課題】ブロック共重体の相分離した一方の領域のみを削除してパターンを形成する方法の提供。【解決手段】a)下地層上に第1のポリマー及び第2のポリマーを含む自己組織化可能なブロック共重合体層を形成する工程(ST1)と、(b)ブロック共重合体層に第1のポリマーを含む第1の領域及び第2のポリマーを含む第2の領域を形成するよう被処理体を処理する工程(ST2)と、(c)被処理体を処理する工程の後、容量結合型のプラズマ処理装置内において第2の領域の膜厚の途中まで該第2の領域をエッチングする工程(ST3)と、(d)第2の領域をエッチングする工程の後、プラズマ処理装置の上部電極に負の直流電圧を印加して該上部電極から二次電子を発生させ、該二次電子を被処理体に照射する工程(ST4)と、(e)二次電子を被処理体に照射する工程の後、プラズマ処理装置内において第2の領域を更にエッチングする工程(ST5)と、を含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供通过仅删除嵌段共聚物的相分离区域的一个区域形成图案的方法。解决方案：形成图案的方法包括以下步骤：a）形成自组织嵌段共聚物层（ST1）上包含第一和第二聚合物的层; （b）加工工件，使得包含第一聚合物的第一区域和包括第二聚合物的第二区域形成在嵌段共聚物层中（ST2）; （c）在所述工件加工步骤（ST3）之后，在电容耦合等离子体处理装置中将所述第二区域蚀刻到所述第二区域的膜厚度的中间; （d）通过向上电极施加负的直流电压并在第二区域蚀刻步骤（ST4）之后用二次电子照射工件，从等离子体处理装置的上部电极产生二次电子; 和（e）在工件照射步骤之后进一步蚀刻等离子体处理装置中的第二区域（ST5）。

4. 发明专利

JP2013207089A Method and device for forming periodic pattern using self-organizable block copolymer 有权
标题翻译：使用自组织嵌段共聚物形成周期性图案的方法和装置
公开(公告)号：JP2013207089A
公开(公告)日：2013-10-07
申请号：JP2012074540
申请日：2012-03-28
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： NISHIMURA EIICHI , YAMASHITA FUMIKO , NIIZUMA SATOKO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： C08J7/123 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y30/00 , C08J2353/00 , H01J37/32366 , H01J37/32651 , H01J2237/334 , H01L21/0271 , H01L21/0273 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/31127 , H01L21/31133 , H01L21/31138
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To etch a periodic pattern using a block copolymer while forming a protective film.SOLUTION: A method for self-organizing a first polymer and a second polymer of a block copolymer and forming a periodic pattern formed in a guide layer 210 includes: a first etching step of etching the second polymer by plasma generated from first gas; a first film formation step of, after the first etching step, forming a first protective film 270 by plasma generated from second gas on surfaces of the first polymer and the guide layer, at a site other than the etched part of the second polymer; and a second etching step of, after the first film formation step, further etching the second polymer by plasma generated from the first gas.
摘要翻译：要解决的问题：在形成保护膜的同时使用嵌段共聚物蚀刻周期性图案。解决方案：一种自组装嵌段共聚物的第一聚合物和第二聚合物并形成在引导层210中形成的周期性图案的方法包括：通过从第一气体产生的等离子体蚀刻第二聚合物的第一蚀刻步骤; 第一成膜步骤，在第一蚀刻步骤之后，在除了第二聚合物的蚀刻部分之外的位置处，通过在第一聚合物和引导层的表面上由第二气体产生的等离子体形成第一保护膜270; 以及第二蚀刻步骤，在第一成膜步骤之后，通过由第一气体产生的等离子体进一步蚀刻第二聚合物。

5. 发明专利

JP2014170894A Method of etching metal layer 有权
标题翻译：蚀刻金属层的方法
公开(公告)号：JP2014170894A
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：JP2013043100
申请日：2013-03-05
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： NISHIMURA EIICHI , YAMASHITA FUMIKO , SASA KOYUMI
IPC分类号： H01L21/3065 , C23F4/00 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： C23F4/00 , H01L21/02071 , H01L21/32136 , H05K3/027 , H05K2203/087 , H05K2203/092 , H05K2203/095 , H05K2203/1388 , H05K2203/1484 , H05K2203/1492 , H05K2203/1509
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of etching a copper layer while forming a protection layer containing carbon on a mask, with which it is possible to remove the protection layer formed at the time of the etching.SOLUTION: In an embodiment, a method of etching a metal layer is provided which includes the steps of: (a) etching a metal layer of a workpiece through etching based on ion sputtering while forming a protection layer containing carbon on a surface of a mask for the workpiece (step (a)); (b) exposing the workpiece to oxygen plasma after the step of etching the metal layer (step (b)); and (c) exposing the workpiece to hexafluoroacetylacetone after the step of exposing the workpiece to the oxygen plasma (step (c)).
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在掩模上形成含有碳的保护层的同时蚀刻铜层的方法，通过该方法可以去除蚀刻时形成的保护层。解决方案：在一个实施方案中，提供蚀刻金属层的方法，其包括以下步骤：（a）通过基于离子溅射的蚀刻来蚀刻工件的金属层，同时在用于工件的掩模的表面上形成含有碳的保护层（步骤（a ））; （b）在蚀刻金属层的步骤之后将工件暴露于氧等离子体（步骤（b））; 和（c）在将工件暴露于氧等离子体的步骤（步骤（c））之后将工件暴露于六氟乙酰丙酮。

6. 发明专利

JP2013110139A Manufacturing method for semiconductor device 审中-公开
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2013110139A
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：JP2011251397
申请日：2011-11-17
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： NISHIMURA EIICHI , SHOSHI TADASHI , YAMASHITA FUMIKO , ADACHI KENJI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3088 , H01J37/32091 , H01L21/0337 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3083 , H01L21/32137
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a semiconductor device capable of removing a silicon-containing layer in which a silicon oxide layer or a silicon nitride layer is formed in a side wall part without causing a residue and a loss in a lower layer film, and manufacturing a good-quality semiconductor device.SOLUTION: A manufacturing method for a semiconductor device comprises the steps of: forming a silicon oxide layer or a silicon nitride layer so as to cover the side wall part of the patterned silicon-containing layer formed on a substrate by the silicon nitride layer or the silicon oxide layer; and leaving the silicon nitride layer or the silicon oxide layer formed in the side wall part by selectively removing the silicon-containing layer (plasma etching step). The plasma etching step uses an etching gas including a SFgas.
摘要翻译：解决的问题：为了提供能够去除在侧壁部分中形成氧化硅层或氮化硅层的含硅层的半导体器件的制造方法，而不引起残留物和损耗在下层膜中，制造出优质的半导体器件。解决方案：半导体器件的制造方法包括以下步骤：形成氧化硅层或氮化硅层，以便通过氮化硅覆盖形成在衬底上的图案化含硅层的侧壁部分层或氧化硅层; 并且通过选择性地除去含硅层（等离子体蚀刻步骤）而留下形成在侧壁部分中的氮化硅层或氧化硅层。等离子体蚀刻步骤使用包括SF

7. 发明专利

JP2014049466A Etching processing method and substrate processing apparatus 审中-公开
标题翻译：蚀刻加工方法和基板加工设备
公开(公告)号：JP2014049466A
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：JP2012188588
申请日：2012-08-29
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： NISHIMURA EIICHI , SHIMIZU AKITAKA , YAMASHITA FUMIKO
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/12 , C21D8/12 , C21D8/1277 , H01J2237/334 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To perform etching or treatment, following to etching, of a metal laminate film laminated by sandwiching an insulation layer between two layers of magnetic material.SOLUTION: An etching processing method for etching a multilayer film material including a metal laminate film laminated by sandwiching an insulation layer between a first magnetic material layer and a second magnetic material layer includes an etching step for generating plasma by supplying first gas into a processing container, and etching the metal laminate film with the plasma thus generated. The first gas is a gas containing PF.
摘要翻译：要解决的问题：在蚀刻之后进行蚀刻或处理通过将绝缘层夹在两层磁性材料之间而层压的金属层压膜。解决方案：一种用于蚀刻包括金属层压膜的多层膜材料的蚀刻处理方法通过在第一磁性材料层和第二磁性材料层之间夹着绝缘层而层压的步骤包括：通过将第一气体供应到处理容器中并产生等离子体来蚀刻金属层压膜来产生等离子体的蚀刻步骤。第一种气体是含PF的气体。

8. 发明专利

JP2011151114A Method and apparatus for recovering pattern on silicon substrate 有权
标题翻译：用于恢复硅基板上的图案的方法和装置
公开(公告)号：JP2011151114A
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：JP2010009979
申请日：2010-01-20
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： NISHIMURA EIICHI , TAWARA SHIGERU , YAMASHITA FUMIKO
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/02057
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and an apparatus for recovering patterns on a silicon substrate, wherein foreign matters grown between the patterns formed on the silicon substrate by etching are removed to recover a shape of the patterns.
SOLUTION: This invention relates to the method for recovering patterns on a silicon substrate, in which foreign matters grown between the patterns formed on the silicon substrate by etching are removed to recover the shape of the patterns, and the method includes a heating process where the silicon substrate is accommodated in a chamber and heated to ≥160°C.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供一种用于在硅衬底上恢复图案的方法和装置，其中去除通过蚀刻形成在硅衬底上的图案之间生长的异物，以恢复图案的形状。解决方案：本发明涉及在硅衬底上恢复图案的方法，其中去除通过蚀刻形成在硅衬底上的图案之间生长的异物以恢复图案的形状，并且该方法包括加热其中将硅衬底容纳在室中并加热至≥160℃。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2017085161A 基板処理装置及び基板処理方法有权
公开(公告)号：JP2017085161A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2017008536
申请日：2017-01-20
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
发明人： NISHIMURA EIICHI , SHIMIZU AKITAKA , YAMASHITA FUMIKO , URAYAMA DAISUKE
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32513 , H01J37/32 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32449 , H01J37/32724 , H01J37/32834 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L43/12
摘要：【課題】被エッチング膜をエッチングした際に生成される反応生成物を適切に除去する。【解決手段】被処理基体に含まれる被エッチング層がエッチングされることで堆積した反応生成物を処理する装置である。この装置は、処理容器、仕切板、プラズマ源、載置台、第1処理ガス供給部及び第2処理ガス供給部を備える。処理容器は、空間を画成する。仕切板は、処理容器内に配置され、空間をプラズマ生成空間及び基板処理空間に仕切り、イオン及び真空紫外光の透過を抑制する。プラズマ源は、プラズマ生成空間にプラズマを生成する。載置台は、基板処理空間に配置され、被処理基体を載置する。第1処理ガス供給部は、プラズマによって解離しラジカルを生成する第1処理ガスをプラズマ生成空間へ供給する。第2処理ガス供給部は、プラズマに晒すことなく反応生成物と反応させる第2処理ガスを基板処理空間へ供給する。【選択図】図10

10. 发明专利

JP2014086500A Method of etching copper layer, and mask 审中-公开
标题翻译：蚀刻铜层的方法和掩模
公开(公告)号：JP2014086500A
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：JP2012232968
申请日：2012-10-22
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： NISHIMURA EIICHI , KUSHIBIKI MASATO , SONE TAKASHI , SHIMIZU AKITAKA , YAMASHITA FUMIKO
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01J37/32082 , C23F1/02 , C23F4/00 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/32139
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of etching a copper layer of a workpiece.SOLUTION: A mask having a pattern to be transferred to a copper layer is disposed on the copper layer. A method of etching the copper layer includes a step (a) of etching the copper layer by using plasma of a first gas containing hydrogen gas, and a step (b) of processing the workpiece by using plasma of a second gas containing hydrogen gas and a gas sedimentary to the workpiece. The step (a) of etching the copper layer by using plasma of the first gas, and the step (b) of processing the workpiece by using plasma of the second gas are repeated alternately.
摘要翻译：要解决的问题：提供蚀刻工件的铜层的方法。解决方案：将具有转印到铜层的图案的掩模设置在铜层上。蚀刻铜层的方法包括通过使用含有氢气的第一气体的等离子体来蚀刻铜层的工序（a），以及使用含有氢气的第二气体的等离子体处理工件的工序（b）气体沉积到工件上。交替地重复通过使用第一气体的等离子体蚀刻铜层的步骤（a）和通过使用第二气体的等离子体来处理工件的步骤（b）。

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